Григоришин

Номер патента: 524440

Опубликовано: 10.04.1996

Авторы: Григоришин, Дубровенская, Игнашев, Котова, Кравец, Сурмач

МПК: H01J 9/02

Метки: диэлектрических, подложек

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОДЛОЖЕК из алюминиевых пластин для вакуумных интегральных схем, включающий операции нанесения защитной пленки, электрохимического анодирования пластины, локального травления алюминия в местах углублений, отличающийся тем, что, с целью получения консольных навесов в углублениях подложки и обеспечения возможности регулирования местоположения консолей по высоте внутри углублений, пластину вначале анодируют в местах консольных навесов, затем покрывают эти места защитной пленкой и анодируют остальную часть пластины до тех пор, пока не будет достигнуто требуемое возвышение уровня поверхности окиси алюминия над уровнем навесов.

Номер патента: 407406

Опубликовано: 10.04.1996

Авторы: Александров, Больбасов, Григоришин, Игнашев, Калугин, Кузьмичев, Шохина

МПК: H01J 21/10, H01J 9/02

Метки: прибора, структуры, электровакуумного, электродной

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОДНОЙ СТРУКТУРЫ ДЛЯ ЭЛЕКТРОВАКУУМНОГО ПРИБОРА, содержащий операции полировки алюминиевой заготовки, формирования на ней электродов с выводами и электрохимического анодирования алюминиевой заготовки, отличающийся тем, что, с целью изготовления многоэлектродной структуры, перед операцией полировки на поверхности алюминиевой заготовки выполняют микрорельеф для размещения электродов и контур многоэлектродной структуры, а формирование электродов с выводами выполняют после операции электрохимического анодирования вакуумным напылением.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью упрощениия технологии изготовления электродной структуры, микрорельеф выполняют многопуансонным инструментом, совершающим...

Номер патента: 1478885

Опубликовано: 30.10.1994

Авторы: Говядинов, Григоришин, Дубровенская, Полевская

МПК: H01J 5/00

Метки: вакуумных, высокотемпературных, интегральных, паяный, схем, узел

ПАЯНЫЙ УЗЕЛ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫХ ВАКУУМНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, содержащий диэлектрические подложки, расположенные параллельно одна другой с соосными отверстиями, тонкопленочные контактные площадки, выполненные вокруг отверстий с обеих сторон каждой подложки, ограничивающие покрытия, выполненные на контактных площадках, и металлический штыревой вывод, запаянный в отверстия подложек, отличающийся тем, что с целью повышения надежности, ограничивающее покрытие выполнено толщиной не менее 0,3 мкм из металлов элементов 5,6 периодов V, VI и VII групп с незаполненной d-оболочкой, на которые нанесено дополнительное покрытие из материала, образующего с материалом припоя твердый раствор, причем площадь дополнительного покрытия выбрана меньшей площади...

Номер патента: 1120880

Опубликовано: 30.10.1994

Авторы: Говядинов, Григоришин, Кухновец, Сидоренко

МПК: H01L 21/306

Метки: мдм-структур, н-образной, характеристикой

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДМ-СТРУКТУР С N-ОБРАЗНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКОЙ, включающий формирование на алюминиевой пластине пористого диэлектрического слоя, электролитическое осаждение металла в поры, напыление контактного электрода, отличающийся тем, что, с целью повышения качества МДМ-структур за счет исключения возможности образования мостов проводимости, перед осаждением металла в поры дополнительно образуют барьерный слой в нерастворяющем электролите, причем потенциал анодирования в нем должен превышать амплитуду переменного напряжения осаждения металла на величину 0 < U 4B.

Номер патента: 1540334

Опубликовано: 30.09.1994

Авторы: Григоришин, Ефремов, Котова

МПК: C25D 1/08

Метки: гальванопластического

СПОСОБ ГАЛЬВАНОПЛАСТИЧЕСКОГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИЗДЕЛИЙ, преимущественно диафрагм для электронных микроскопов, включающий формирование изоляционного слоя по заданному рисунку на электропроводном основании, удаление изоляционного слоя, локальное гальваническое осаждение слоя металла и отделение готового изделия, отличающийся тем, что, с целью повышения качества диафрагм, изоляционный слой формируют анодным окислением алюминия с последующим формированием на нем фотолитографий первой защитной маски по рисунку будущего отверстия и контура диафрагмы и второй защитной маски для формирования утолщенной части диафрагмы, после чего удаляют изоляционный слой в незащищенных местах, гальванически осаждают утолщенную часть диафрагмы, удаляют вторую защитную...

Номер патента: 784636

Опубликовано: 30.09.1994

Автор: Григоришин

МПК: H01L 21/311

Метки: масок

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАСОК, включающий операции анодирования алюминиевой пластины, нанесения защитного покрытия, вытравливания алюминия, формирования рисунка и кромок щелей маски и термической обработки масок на воздухе, отличающийся тем, что, с целью повышения тепловой формоустойчивости масок, после анодирования алюминиевой пластины на глубину, равную толщине кромок щелей маски, формируют на анодированной поверхности алюминиевой пластины рисунок маски из защитного покрытия, вытравливают анодный окисел и частично алюминий на открытых участках анодированной поверхности, выращивают в вытравленных участках барьерный оксидный слой при напряжении формирования, в 2 - 4 раза превосходящем напряжение анодирования алюминиевой пластины, стравливают...

Номер патента: 716427

Опубликовано: 15.09.1994

Авторы: Григоришин, Котова, Матусевич, Сурмач, Шохина

МПК: H01J 9/14

Метки: интегральных, микросхем

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ, включающий операции получения диэлектрической пластины-заготовки путем толстослойного анодирования, нанесения на обе стороны пластины сплошных тонкопленочных покрытий, формирования элементов схем травлением диэлектрической пластины и покрытий, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления, в местах будущих элементов микросхем на обе стороны диэлектрической пластины наносят первый защитный слой фоторезиста, затем обе стороны пластины за исключением мест будущих отверстий в подложках и контуров отдельных схем на одной из сторон пластины покрывают вторым защитным слоем фоторезиста, причем указанные фоторезисты выбирают из условия их избирательного травления в разных электролитах,...

Номер патента: 646778

Опубликовано: 15.09.1994

Авторы: Григоришин, Кухновец

МПК: H01J 1/30

Метки: катод, пленочный, холодный

ПЛЕНОЧНЫЙ ХОЛОДНЫЙ КАТОД, включающий рабочую область, состоящую из последовательно размещенных слоев металла, диэлектрика и верхнего прозрачного для электронов тонкого металлического слоя, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности и надежности катода, в диэлектрическом слое рабочей части катода выполнено множество углублений, а верхний металлический слой имеет утолщение в местах между углублениями, причем толщина диэлектрического слоя в углублениях выбрана меньшей толщины диэлектрического слоя между ними по крайней мере в три раза.

Номер патента: 580767

Опубликовано: 15.09.1994

Авторы: Григоришин, Котова, Кухновец

МПК: H01J 9/02

Метки: диэлектрических, отверстиями, углублениях

1. СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ДЕТАЛЕЙ С ОТВЕРСТИЯМИ В УГЛУБЛЕНИЯХ, содержащий операции предварительного покрытия алюминиевой пластины мягким слоем анодной окиси алюминия, нанесения в местах будущих углублений слоя фоторезиста, анодирования в слаборастворяющем анодную окись алюминия электролите, удаления фоторезиста, повторного анодирования и вытравливания оставшегося алюминия, отличающийся тем, что, с целью увеличения точности изготовления отверстий и их расположения, после операции покрытия пластины мягким слоем анодной окиси алюминия всю пластину, за исключением мест будущих отверстий, покрывают фоторезистом, в незащищенных местах получают твердый слой окиси алюминия анодированием в электролите, не растворяющем анодную окись...

Номер патента: 688022

Опубликовано: 15.09.1994

Авторы: Григоришин, Сурмач, Шохина

МПК: H01J 9/14

Метки: анодной, диэлектрических, металла, окиси, отверстиями

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ДЕТАЛЕЙ С ОТВЕРСТИЯМИ ИЗ АНОДНОЙ ОКИСИ МЕТАЛЛА преимущественно для электродных приборов, включающий операции толстослойного анодирования одной из поверхностей металлической пластины, избирательное вытравливание неокисленного металла, фотолитографическое нанесение рисунка и травление анодной окиси металла, отличающийся тем, что, с целью повышения точности отверстий и устранения разнотолщинности перемычек, после вытравливания неокисленного металла на поверхность пластины, контактирующей в процессе анодирования с электролитом, наносят защитный слой металла, а фотолитографическое нанесение рисунка осуществляют на другой поверхности пластины.

Номер патента: 434861

Опубликовано: 30.08.1994

Авторы: Александров, Больбасов, Григоришин, Игнашев, Калугин, Кузьмичев

МПК: H01J 1/88, H01J 21/10

Метки: прибор, электровакуумный

ЭЛЕКТРОВАКУУМНЫЙ ПРИБОР, содержащий две соединенные между собой диэлектрические подложки, на которые нанесены пленочные электроды, образующие на одной из подложек анодно-сеточные, а на другой катодно-подогревательные блоки, отличающийся тем, что, с целью улучшения условий коммутации электровакуумного прибора, выводы катодов расположены на подложке с анодно-сеточными блоками, а подложка катодно-подогревательного блока короче подложки с анодно-сеточными блоками и выполнена из прозрачной пленки, например, окиси алюминия, толщина которой не превышает ширины пленочного подогревателя.

Номер патента: 430763

Опубликовано: 30.08.1994

Авторы: Больбасов, Григоришин, Игнашев, Котова, Кравец, Шохина

МПК: H01J 9/14, H05K 3/00

Метки: диэлектрических, отверстиями

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ДЕТАЛЕЙ С ОТВЕРСТИЯМИ, преимущественно для электронных приборов, включающий электрохимическое анодирование полированной стороны заготовки, выполненной в виде пластины, например алюминиевой, с предварительной защитой противоположной стороны пластины изоляционным материалом, формирование отверстий и контуров деталей, снятие защитного изоляционного материала, травление слоя алюминия и разделение заготовки на отдельные детали механическим путем, например ультразвуком, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии и повышения качества деталей, анодирование производят на глубину порядка 1 мкм, после чего на места будущих отверстий и контуров анодированной поверхности алюминиевой пластины наносят...

Номер патента: 529772

Опубликовано: 30.08.1994

Авторы: Больбасов, Григоришин, Кухновец, Морозов

МПК: H01J 9/02

Метки: прибора, системы, электровакуумного, электродов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СИСТЕМЫ ЭЛЕКТРОДОВ ДЛЯ ЭЛЕКТРОВАКУУМНОГО ПРИБОРА, включающий операции нанесения защитной пленки, анодирования, травления алюминия, нанесения проводящих покрытий, отличающийся тем, что, с целью получения системы гальванически развязанных электродов с отверстиями и варьирования междуэлектродными расстояниями, защитную пленку наносят одновременно с обеих сторон пластины, анодируют обе стороны пластины на глубину, обеспечивающую электродные расстояния и толщину электрода, и вытравливают оставшийся алюминий в местах отверстий.

Номер патента: 470226

Опубликовано: 30.08.1994

Авторы: Григоришин, Игнашев, Котова, Кравец, Шохина

МПК: H01J 9/02

Метки: вакуумных, микроприборов, структуры, электродной

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОДНОЙ СТРУКТУРЫ ДЛЯ ВАКУУМНЫХ МИКРОПРИБОРОВ, включающий операции электрохимического анодирования, защиты отдельных участков подложки, ее травления и формирования на ней электродов, отличающийся тем, что, с целью повышения точности геометрии структур, алюминиевую подложку подвергают "мягкому" первичному анодированию, линии контуров и места углублений многоэлектродной структуры защищают фоторезистом, проводят дальнейшее анодирование алюминия на требуемую глубину, затем снимают фоторезист, стравливают первичный слой "мягкого" анодирования, вытравливают на необходимую глубину алюминий в местах будущих углублений и контуров и проводят окончательное анодирование.

Номер патента: 1131379

Опубликовано: 30.08.1994

Авторы: Воробьев, Григоришин, Котова, Шкунов

МПК: H01J 9/02

Метки: подложки, структур, управляющих, электродных

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОДЛОЖКИ ДЛЯ УПРАВЛЯЮЩИХ ЭЛЕКТРОДНЫХ СТРУКТУР, включающий получение углублений и отверстий в них путем анодирования алюминиевой пластины на заданную толщину, фотолитографии и травления через маски металла и оксида и удаление непрореагированного алюминия, отличающийся тем, что, с целью повышения качества подложки, в анодированном алюминии вначале формируют углубления, затем анодируют алюминий со стороны углубления и в нем формируют отверстие со стороны непрореагировавшего алюминия.

Номер патента: 602040

Опубликовано: 15.08.1994

Авторы: Бузников, Головин, Григоришин, Сурмач

МПК: H01J 21/10

Метки: вакуумная, интегральная, схема

ВАКУУМНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА по авт. св. N 529687, отличающаяся тем, что, с целью улучщения параметров активных элементов, навесы в местах расположения активных элементов соединены перемычками с нанесенным на них проводящим покрытием.

Номер патента: 529687

Опубликовано: 15.08.1994

Авторы: Григоришин, Дубровенская, Игнашев, Котова, Кравец, Сурмач

МПК: H01J 9/02

Метки: вакуумная, интегральная, схема

ВАКУУМНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА, содержащая две диэлектрические подложки, на которых выполнены анодно-сеточные и катодноподогревательные узлы активных элементов и пассивные элементы, отличающаяся тем, что, с целью расширения топологических возможностей построения вакуумных интегральных схем и повышения степени их интеграции, по крайней мере, на одной из подложек внутри углублений имеются консольные навесы, на которых, в местах расположения активных элементов, выполнены пленочные щелевые сетки, а аноды активных элементов и пассивные элементы размещены в одной плоскости на дне углублений.

Номер патента: 638169

Опубликовано: 15.08.1994

Авторы: Григоришин, Дубровенская

МПК: H01J 9/02

Метки: вакуумная, интегральная, схема

1. ВАКУУМНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА по авт. св. N 529687, отличающаяся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей, на подложке с катодно-подогревательными элементами, напротив консольных навесов по краям сквозных щелей, выполнены дополнительные пленочные щелевые сетки.2. Схема по п.1, отличающаяся тем, что на подложке с анодносеточными элементами под анодами выполнены дополнительные пленочные сетки.

Номер патента: 1264783

Опубликовано: 15.08.1994

Авторы: Григоришин, Ефремов, Кривоусова, Муравьев

МПК: H01L 21/70

Метки: микросхем, сборки

1. Способ сборки микросхем, включающий нагрев мест пайки диэлектрических подложек и металлических выводов путем пропускания тока через вывод, пайку подложек с выводами твердыми припоями, охлаждение спаяного узла, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных изделий за счет улучшения распределения температуры в зоне пайки, подложку перед пайкой предварительно подогревают до 500 - 700oС и выдерживают при этой температуре до начала локального разогрева мест пайки, а после снижения температуры в местах пайки до температуры подогретой подложки проводят охлаждение спаяного узла.2. Устройство для сборки микросхем, содержащее соединители с отверстиями в контактах, подвижные пластины с упругими элементами, гнездо...

Номер патента: 1695970

Опубликовано: 07.12.1991

Авторы: Говядинов, Григоришин, Лысенко, Мардилович, Мостовлянский

МПК: B01D 61/00

Метки: мембран

...же электролитев котором проводят анодирование алюминиевой пластины, при напряжении не менее конец- ного формирующего напряжения Оф, Теперь анодный процесс происходит уже не на алюминии, а в дополнительном проводящем покрытии,Доступ электролита к внутренней поверхности барьерного слоя осуществляется через поры. В местах соприкосновения с электролитом происходит растворение барьерного слоя и продвижение фронта анодирования в дополнительном покрытии, причем отдельные оксидные ячейки имеют вид полусферы выпуклостью в сторону проводящего покрытия, Таким образом через некоторое время в результате воздействия электролита постепенно и непрерывно поры в пористом слое продвигаются в барьер40 50 55 ный слой, а вентильный металл превращается в...

Номер патента: 1364168

Опубликовано: 23.09.1991

Авторы: Горбачев, Григоришин, Гулюк

МПК: H01L 35/32

Метки: многоэлементный, термоэлектрический

...размерами 8 Х 4,5 р, 0,03 мм осаждены пленки толщиной 0,8 мкм резистивного материала (нихрома Х 20 Н 80 или кермета К 50 С) в места расположения нагревателя 2 и пленки толщиной 0,6 мкм материала с высокой удельной электропроводностью (никеля НП 1 Эв, меди МВ или серебра Ад 999,9) в места расположения контактных площадок 12 нагревателя 2, На противоположную поверхность диэлектрической подложки 1 осаждены пленки толщиной 0,6 мкм материала с высокой электропроводностью (никеля НП 1 Эв, меди МВ или серебра Ад 999,9) в места расположения проводящего слоя 3 и обкладок 8,9 и 10,11 пленочных конденсаторов, а также пленки толщиной 0,50,9 мкм 0 образующие ветви 4 и 5 термопар из различных термочувствительных материалов (висмут-сурьма или...

Номер патента: 1575249

Опубликовано: 30.06.1990

Авторы: Григоришин, Ефремов, Стельмах

МПК: H01H 59/00

Метки: реле, электростатическое

...- подвижный контакт 7, На внутренней поверхности подложки 2 выполнено углубление 8, на дне которого напротив подвижного контакта 7 25 расположены два неподвижных контакта 9 и по обе стороны от них - тонкопленочный управляющий электрод 10.Электростатическое реле работает следующим образом. 30При подаче управляющего напряжения на электроды б и 10 на пластину 4 действует распределенная сила электростатического притяжения, Под действием этой силы эластичные держатели прогибаются, причем 35 концы держателей, соединенные с пластиной 4, передвигаются по дугам в одном направлении, поэтому пластина 4 перемещается параллельно своему начальному положению к дну углубления 8 подложки 2, сохраняя при этом неизменной свою плоскостность. В...

Номер патента: 1291234

Опубликовано: 23.02.1987

Авторы: Григоришин, Ефремов, Шамров

МПК: B21D 3/10

Метки: пластин, рихтовки, тонколистового

...спальцами 31 и 32,кронштейнов 33 и34, фиксируемых на колонках 22 и 23с помощью винтов. Установка работает следующим образом.Включают электропечь 3 и устанавливают требуемую температуру нагрева, На направляющие 19 укладывают рихтуемую пластину 35, Включают механизм 1 переноса. Шестерня 8, вращаясь, по направляющим 11 и 12 перемещает каретку 1 О, которая толкателем 13 передвигает пластину 35 по направляющим 19 в электропечь 3. При этом упор 14 нажимает на мик-ропереключатель 16, отключая электродвигатель 7 и включая реле времени. После выдержки пластины в печи, требуемой для прогрева пластины, ре-. ле времени снова включает механизм 1 переноса, который быстро переме 129234щает по направляющим 19 пластину из печи в штамп 4, при...

Номер патента: 1261621

Опубликовано: 07.10.1986

Авторы: Белов, Ветошников, Гоженко, Григоришин, Калугин

МПК: A61B 5/01, G01J 5/00

Метки: диагностики, заболеваний, почек

...теплоотдачи в области проек. ции каждой из почек и контрольного Фона.Способ осуществляют следующим образом.Перед проведением исследования тело пациента частично обнажают и в течение 15-20 мин происходит адаптация человека к Окружающей среде, после чего одновременно или поочередно регистрируют плотность теплового потока радиационной теплоотдачи как с проекции каждой из почек на поверхность кожи, так и контрольного фона. Затем внутривенно вводят 1,5-10 мл 2,4%-ного эуфиллина на изо;тоническом растворе и измеряют тепловые потоки с указанных областей в течение 20-60 мин через каждый 2- 3 мин и при наличии непериодических незатухающих тепловых колебаний ус- танавливаюП поражение почек.П р и м е р 1. Больной А., 50 лет. Диагноз:...

Номер патента: 1241132

Опубликовано: 30.06.1986

Авторы: Алейникова, Вельдер, Горбачев, Григоришин, Сенько, Черняев

МПК: G01R 19/03, H01L 35/00

Метки: бесконтактный, термоэлектрический

...1 изображен бесконтактныйтермоэлектрический преобразователь;на фиг.,2 в .,разрез А-А на фиг. 1.Преобразователь содержит корпус1 с изолированными от него стеклоспаями выводами 2, преобразовательныйблок из двух идентичных секций 3,расположенных каждая на плоской диэлектрической подложке 4, на противоположных сторонах которой размещеныпленочные нагреватель 5 и термобатарея 6В подложках 4 выполнены соосныес выводами 2 .сквозные отверстия 7.Нагреватели 5 и термобатареи 6снабжены контактами 8, расположенными вокруг отверстий 7 и прилегающимик ним,Подложки 4 расположены таким образом, что поверхности нагревателей 5соприкасаются, а также совпадают поконфигурации, и жестко закреплены на Звыводах 2 посредством пайки к нимконтактов 8, при этом...

Номер патента: 1081436

Опубликовано: 23.03.1984

Авторы: Гоженко, Григоришин, Тарко, Шеляг

МПК: G01K 7/22

Метки: температуры

...и разрешающая способность измерений.Наиболее близким к изобретениюпо технической сущности являетсяустройство для измерения температуры, содержащее электротермометр,соединенный с источником питания,синхронный интегратор, соединенныйс электротермометром, формировательуправляющего импульса, регистратор Г 2 3.Недостатком данного устройстваявляется низкая разрешающая способность .измерений.Целью изобретения является повыаение разрешающей способности,Укаэанная цель достигается тем,что устройство, содержащее электротермометр, например измерительныймост с термочувствительным элементом в плече, источник его питания,синхронный интегратор, вход которого.соединен с электротермометром,формирователь .управляющего импульса,соединенный с источником...

Номер патента: 845197

Опубликовано: 07.07.1981

Авторы: Григоришин, Ефремов, Кривоусова

МПК: H01L 21/98, H05K 3/34

Метки: интегральныхсхем, сборки

...Контакты 10 имеют отверстие 15 с фаской для направления вывода и поперечный паз6, сторона7 которого служит опо.рой для вывода. В подвижной пластине 12 5 выполнены Т-образные окна (сквозные) 18, в узкой части которых расположены концы штырей, а в широкой части - упругие элементы 19, находящиеся напротив пазов 16. Направляющая пластина 13 соединителя 6 содержит отверстия 20 для выводов и выступы 21, входящие в Т-образные окна 22 токопроводящей подвижной пластины 14. В окнах 22 расположены упругие элементы 23. Подвижная пластина перемещается с помощью винта 24.15Устройство работает следующим образом.В оправку 7 укладываются подложки 8, затем через отверстия в подложке и штырях вставляются выводы 1 до упора в сторону 17 паза 6. На выводы...

Номер патента: 697228

Опубликовано: 15.11.1979

Авторы: Григоришин, Широбоков

МПК: B21D 28/26

Метки: перфорированных

...(на чертеже не показан). Инструмент 3 для получения отверстий в вершинах гофр может быть выполнен в виде фрозы, резца, протяжки, шлифовального круга. В выступах оправки вы. полнены пазы 4 для выхода инструмента, Для получения отверстий во впадинах гофров, образованных ца оправке 1, уст- ройство снабжено барабаном-оправкой 5 и дополнительным инструментом 6 для образования отверстий. Инструменты 3 и 6 могут быть выполнены в виде комплекта дисков.Для получения плоского перфорированного листа устройство может быть снабжено узлом выравнивания, в частности парой валков 7 и 8 для правки.Для получения отверстий с шахматным расположением инструменты 3 и 6 могут быть смещены на полшага.На фиг. 2 показан вариант выполнения устройства,...

Номер патента: 558327

Опубликовано: 15.05.1977

Авторы: Григоришин, Кухновец

МПК: H01J 29/50

Метки: лучами, электронными

...друг от друга.На чертеже показано предлагаемое устройство. На обеих сторонах диэлектрического основания 1 с отверстиями 2 нанесены управляющие 3 и экранные 4 электроды. Экранные электроды расположены на поверхности, а управляющие электроды - в углублениях основания и изолированы друг от друга диэлектрическими полосками 5, перпендикулярными плоскостям расположения управляющих и экранных электродов, Каждый управляющий электрод снабжен токоподводом 6 и контактной площадкой 7.Расположение управляющих и экранных электродов в разных плоскостях и на обеих сторонах диэлектрического основания дает возможность иметь систею индивидуальныхФормула изобретения Составитель В. ОбуховТехред М, Семенов Корректор 3. Тарасова Редактор И. Шубина Заказ...

Номер патента: 463003

Опубликовано: 05.03.1975

Авторы: Григоришин, Ивлев, Каспаров

МПК: G01J 5/20

Метки: температур

...объекта на показания, используют зависимости распределения фотоэлектронов по энергиям при внешнем фотоэффекте от распределения энергии в воспринимаемом спектре источника излучения,Сущность предлагаемого способа состоит в измерении напряжения запирания фотоэмиссионного тока в ФЭП, обусловленного попаданием на фотокатод излучения от нагретого тела, по известной зависимости напряжения запирания от температуры излучателя, полученной предварительной градуировкой для данного ФЭП по эталонному источнику,Чтобы напряжение запирания Ьподаваемое, например, на сетку между катодом и первым динодом ФЭУ или на анод фотоэлемента, однозначно зависело от температуры визируемого объекта, необходимо предварительно нормировать по фототоку...