Патенты с меткой «жидкокристаллическим»

Номер патента: 656017

Опубликовано: 05.04.1979

Авторы: Иванюта, Ключников, Цуканов, Чернуха

МПК: G04G 3/00, G04G 9/06

Метки: жидкокристаллическим, индикатором, часы, электронные

...входами соответствующего ключа каждой из четырех групп и системы ключей 6, выход каждого из ключей системы 6 - с соответствующим сегментом каждого из четырех разрядов ЖКИ 7. Управляющие входы ключей каждой из четырех групп системы ключей 8 подключены к соответствующему из выходов 1, 11, 111, 1 Ч схемы считывания 4 (форма сигналов на этих выходах показана на фиг. 3). На общий электрод ЖКИ и на вторые управляющие входы ключей системы 6 подан выходной сигнал постоянной частоты 1 (например, 32 Гц) одного из триггеров делителя частоты 2, и на первые управляющие входы ключей системы 6 - инвертированный сигнал ( с того же триггера делителя частоты.При включении питания начинается генерация сигнала опорной частоты (например, 32768 Гц),...

Номер патента: 748327

Опубликовано: 15.07.1980

Автор: Петеримов

МПК: G02F 1/13

Метки: жидкокристаллическим, модулятором, света

...подключены к соответствующим входам элемента ИЛИ, парафаэные выходы которого являются выходами коммутатора частот.В качестве коммутатора амплитуд может быть использована совокупность транзисторов, коллекторы которых соединеныдруг с другом и через общий резисторподключены к источнику постоянного напряжения, при этом в эмиттерной цепйкаждого транзистора включен резистор, аколлекторы транзисторов являются выходом коммутатора амплитуд.Наличие в предложенном устройствекоммтутатора частот и коммутатора амплитуд позволяет подавать на ЖКМС в любойуказанный заранее момент времени напряжение любой заранее заданной частоты всочетании с любой заранее заданной амплитудой. Этим самым становится возможной раздельная и независимая регулировка частоты и...

Номер патента: 972566

Опубликовано: 07.11.1982

Авторы: Жалинский, Кузьминов, Шадров

МПК: G09G 3/18

Метки: жидкокристаллическим, индикатором

...содержащее последовательно соединенные генератор импульсов и делитель частоты, ключи,соединенные с входами жидкокристаллического индикатора, и первый триггер,введены схема сравнения и второй триг гер, вход которого соединен с последним выходом делителя частоты, а выход - с входом первого ключа и первым входом первого триггера, выходкоторого соединен с входом второгоключа, второй вход первого триггерасоединен с выходом схемы сравнения,первые входы которой соединены с выходами делителя частоты, а вторыевходы являются входами устройства.На.фиг. 1 представлена функциональная схема устройства; на фиг. 2эпюры напряжений, поясняющие работуустройства.Предлагаемое устройство состоитиз генератора 1 импульсов, делителя2 частоты, второго...

Номер патента: 1050975

Опубликовано: 30.10.1983

Авторы: Кирьяшкин, Руденко, Смоляков

МПК: B65B 31/02

Метки: веществом, жидкокристаллическим, заполнения, индикаторов, пакетов

...определяется по формулеЬ 11Iгде Р - наружный диаметр цилиндра, мм,г - средний радиус кривизны менискажидкокристаллического вещества нри полном смачивании, мм;1 - максимальное расстояние края заливочного отверстия пакета от точки контакта-с цилиндром, мм;1 о%1 -- + Ь,3где 1 о - , максимальная длина заливочногоотверстия пакета, мм;Ь - максимальная погрешность взаимнойориентации пакета и цилиндра, мм;А - угол между осью цилиндра и плоскостью пакета.Прй этом шаг винтовой канавки цилиндра может быть меньше расстояния междусмежными пакетами На ци,линдре может быть Монцентрично укреплена трубка, имеющая в нюкней частя образующей отверстия дляпрохода жидкокристаллического вещества в винтовую канавку, а.в верхней части - длясообщения...

Номер патента: 1109340

Опубликовано: 23.08.1984

Авторы: Киселева, Моисеев, Неказаченко

МПК: B65B 31/02

Метки: веществом, жидкокристаллическим, заполнения, индикаторов, пакетов

...поверхности торца по всех) периметру щели. В результате этц о вся поверхность торца пакета 9. заклктчснндя между боковыми стенками пд;цдлсжцо контактирует с повсрхцостьк) жилкости. )с(к как зазор в цели составляет 8 15 мкм, жил кость ЖКВ) с поверхности торпа пол воздействием сил поверхностиго натяжения 1)(. Ц;(. Ц Б Г,И И:33( Я З М(Ж , ( 1;1 ср 0 с Г р с) ц (. Т 13(( 3 цГ 1) 1 ц 3 К ( Т31 1 1), 11 (.11 С Б, )П ( " 1 "с:,") Г11)сц и 5:, ц)Оцс,ис , КсН,1 1 ( К с)(., 1 Ь , ,1ЕБ 3 к) ) иной к 11;( 1 ) -, Гох (К 01)ос 1 зд.1 ( )Г( (С (3 5: Б ( ) . 1 ) сс .:" .сК), 1 Ь КО Р с) . 3 . ; ; к к с 3 к 1 ( ( 1 с)К К В ,3, ;) ( 1 3 1 1 д к с т , 1 1,( 13 с ,(СИс( Вовс 3 Ь с с(Мс СИЛ, ОСТ 05(п(с(Я ИИ 1 Ь 1 10 В(1)Ост 110 Г 11 т 51 ж(1 13 51 11 Р с...

Номер патента: 1317389

Опубликовано: 15.06.1987

Авторы: Некрасов, Раков, Чернышев

МПК: G02F 1/13

Метки: жидкокристаллическим, модулятором, света

...выходных напряжений формирователей 4 20 25 ЗО 35 40 45 и 5 не станет равной О. Поскольку в контуре регулирования имеется интег-,рирующее звено первого порядка, система является устойчивой и астатической.При поступлении на входы ключей 1и 2 управляющих сигналов (Фиг.2 а, б)формируется биполярный управляющийсигнал, приложенный к ЗАКИС (Фиг.2 в,Прн подаче импульса на вход ключа 1(точка А) он отпирается, снижаетсяпотенциал коллектора транзистора 12и ток от источника питания Е черезтранзистор 13, БКИС 6, диод 14, открытый транзистор 12 и ключ 1 заряжает ячейку ЖКМС,В следующем такте отпирается ключ 2 и ЖКМС 6 перезаряжается по цепи; источник Е, транзистор 15, ПКМС .6, диод 16, транзистор 17, ключ 2 до выходного напряжения формирователя...

Номер патента: 1478250

Опубликовано: 07.05.1989

Авторы: Гусев, Кашкин, Тарасов, Тищенко

МПК: G09G 3/36

Метки: жидкокристаллическим, индикатором, матричным

...длина которой опре деляется емкостью этого счетчика. Код с выхода счетчика 2, а также код сим. вола с входа устройства 4 поступают на вход дешифратора 3, выполненного, например, в виде ПЗУ, и определяют ЗО состояние двух групп его выходов, что в свою очередь приводит к формированию на выходах ЦАП 5 и 6 одного из трех возможных уровней сигнала, например +Е/2 или О. Распределение этих уровней изменяется с каждым импульсом генератора 1 и зависит от содержимого ПЗУ дешифратора 3Если специально подобрать величину Е так, чтобы возбуждение элементов 4 О индикатора 7 происходило при разности потенциалов его шин управления равной Е и не происходило при Е/2 и менее (по абсолютной величине), тогда появляется возможность индикации боль-...

Номер патента: 1695390

Опубликовано: 30.11.1991

Авторы: Баринов, Быков, Вернер, Онацко, Подопригора

МПК: G11C 19/18

Метки: жидкокристаллическим, схема, экраном

...не проходитна вход формирователя 5 или 6), т,е. выход16 разряда регистра 3 отключен от входафсрмирователя 5 или 6), "1" с прямого выхода ВЯ-триггера 10 открывает первый ключ., подключая тем самым вход 12 разряда; регистра 3 (т.е, выход 13 первого ключа 11предыдущего разряда) к входу 12 следующего разряда регистра 3,После этого на вход 12 первого разряда3 регистра 2 сдвига поступает сигнал запуска, Поскольку в блоках 4 всех разрядов 3регистра 2 сдвига первые ключи 11 открыты,этот сигнал поступает одновременно навходы 12 всех разрядов 3 регистра.Р том случае, если разряд 3 регистраисправен, на его выходе 9 тоже появляетсяимпульс. Фронт этогоимпульса запускаетодновибратор 8, который формирует им, пульс сброса, устанавливающий ВЯ-триггер10...

Номер патента: 1762690

Опубликовано: 30.08.1994

Авторы: Абаньшин, Высоцкий, Кузьмин, Митрохин, Севостьянов, Смирнов, Усенок

МПК: H01L 21/28

Метки: жидкокристаллическим, индикатором, матрицы, тонкопленочных, транзисторов

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАТРИЦЫ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКИМ ИНДИКАТОРОМ, включающий нанесение на прозрачную диэлектрическую подложку слоя прозрачного токопроводящего материала, формирование элементов отображения, формирование электродов затворов и управляющих шин, подзатворного диэлектрика и активных областей, нанесение токопроводящего слоя, формирование электродов стока, истока и информационных шин, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологического процесса, формирование электродов затворов и управляющих шин, подзатворного диэлектрика и активных областей проводят путем последовательного нанесения вентильного металла, диэлектрического и полупроводникового слоев и их совместного травления, а после...