Патенты с меткой «моп-транзистор»

Номер патента: 1099791

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Агрич, Иванковский

МПК: H01L 29/78

Метки: n-канальный, интегральный, моп-транзистор

...эффекты, если и- канальный транзистор используется в КМОП структуре, а также более эффективно, т,е. с уменьшением потерь, передавать потенциал подложки между транзисторами в интегральных схемах.При этом, поскольку зона с повышенной концентрацией акцепторной примеси удалена от областей стоков, повышение концентрации в ней не приводит к ухудшению таких параметров, как токи утечки и пробивные напряжения, а также емкостей стоковых переходов, а это ведет к снижению потребляемой мощности, повышению надежности и быстродействия интегральных схем, использующих и-канальные транзисторы с заявляемой конструкцией.В соответствии с изобретением была изготовлена К-МОП ИС, включающая выполненные в кремниевой подложке КЭЭ 4,5 с ориентацией поверхности...

Номер патента: 1774794

Опубликовано: 20.03.1996

Автор: Бородин

МПК: H01L 29/74

Метки: моп-транзистор

МОП-ТРАНЗИСТОР, содержащий подложку первого типа проводимости, сформированные в ней области истока и стока второго типа проводимости, разделенные участком индуцированного канала и примыкающей к стоку слаболегированной областью второго типа проводимости, изолированный от подложки и расположенный над участком индуцированного канала электрод затвора, перекрывающий по всей ширине канала область истока и слаболегированную область стока, изолированный от подложки, электрода затвора и стока, расположенный над слаболегированной областью дополнительный электрод, перекрывающий по всей ширине канала электрод затвора и область стока, отличающийся тем, что, с целью обеспечения работоспособности транзистора при криогенных температурах, введена...