Симистор
Формула | Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1373248
Авторы: Думаневич, Евсеев, Рачинский, Тетерьвова
Формула
1. СИМИСТОР, содержащий n-p-n-p-n-структуру с контактами к основным n- и p-эмиттерным слоям и к области управления, в котором проекции n-эмиттерных слоев на противоположных поверхностях структуры за пределами области управления не перекрываются, область p-типа управления, расположенная на верхней поверхности, охвачена частично областью n-типа управления, проекция которой попадает на n-эмиттерный слой, расположенный на нижней поверхности, отличающийся тем, что, с целью управления напряжением переключения в любом направлении током одного порядка, повышения динамических параметров и рабочей температуры, часть n-эмиттерного слоя, расположенная на нижней поверхности под областью управления, проекционно связана и повторяет форму области n-типа управления и соединена через участок n-типа с основным n-эмиттерным слоем.
2. Симистор по п.1, отличающийся тем, что часть контакта, расположенная на верхней поверхности над n-эмиттерным слоем нижней поверхности, приближена к области управления до границы раздела p- и n-эмиттерных слоев, расположенных до нижней поверхности структуры.
3. Симистор по п.1, отличающийся тем, что центральный угол обхвата области p-типа управления областью n-типа управления составляет 60 - 180oС.
4. Симистор по пп.1 и 3, отличающийся тем, что между областью управления и контактом к основным n- и p-эмиттерным слоям на различных расстояниях от центра расположены два вспомогательных участка n-типа в виде полуколец, при этом n-эмиттерный слой, расположенный на нижней поверхности, содержит участок, проекционно связанный и повторяющий форму вспомогательного участка n-типа, расположенного на верхней поверхности со стороны основного p-эмиттерного слоя.
5. Симистор по п.1, отличающийся тем, что области n-типа управления и часть n-эмиттерного слоя, расположенная над ней, снабжены распределенной шунтировкой.
Описание
Цель изобретения обеспечение управления напряжением переключения в любом направлении током одного порядка и повышение динамических параметров и рабочей температуры.
На фиг. 1 и 2 показаны фрагменты топологии верхней (фиг. 1) и нижней (фиг. 2) поверхностей n-р-n-р-n-структуры симистора.
Симистор содержит верхние основные n-эмиттерный 1 и р-эмиттерный 2 слои и нижние основные р-эмиттерный 3 и n-эмиттерный 4 слои с контактом 5 к ним. Область управления содержит область 6 р-типа проводимости, которая охвачена областью 7 n-типа проводимости с контактом 8 к области управления. Нижний n-эмиттерный слой 4 содержит участок 9, который проекционно связан и повторяет форму n-области 7 управления. Для обеспечения эффективного включения симистора в обратном направлении положительным сигналом управления в n-области 7 управления предусмотрены шунты 10, а для включения в прямом направлении отрицательным сигналом управления в участке 9 нижнего n-эмиттерного слоя 4 имеются шунты 11. Ограничение участка 9 нижнего n-эмиттерного слоя n-областью 7 управления позволяет улучшить коммутационные характеристики симистора за счет ослабления взаимовлияния включенной и выключенной частей структуры, находящихся в пределах действия области управления.
Изобретение относится к области конструирования полупроводниковых приборов, более конкретно к симметричным тиристорам. Цель изобретения - обеспечение управления напряжением переключения в любом направлении током одного порядка, а также повышение динамических параметров и рабочей температуры. Сущность изобретения состоит в ограничении участка нижнего n-эмиттерного слоя, расположенного под областью управления, размерами n-области управления при обязательном введении шунтировки указанных участка n-эмиттерного слоя и n-области управления. Изобретение позволяет при обеспечении управляемости симистора во всех четырех квадрантах током одного порядка улучшить коммутационные характеристики прибора за счет удаления (ограничения) участка n-эмиттерного слоя из-под p-области управления. 4 з. п. ф-лы, 2 ил.
Рисунки
Заявка
3655852/25, 29.08.1983
Всесоюзный электротехнический институт им. В. И. Ленина, Всесоюзный научно-исследовательский, проектно конструкторский и технологический институт силовых полупроводниковых устройств
Тетерьвова Н. А, Рачинский Л. Я, Евсеев Ю. А, Думаневич А. Н
МПК / Метки
МПК: H01L 29/747
Метки: симистор
Опубликовано: 10.03.1996
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1373248-simistor.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Симистор</a>
Способ определения типа проводимости слоев полупроводниковых структур
Номер патента: 1045313
Опубликовано: 30.09.1983
МПК: G01R 31/26, H01L 21/66
Метки: полупроводниковых, проводимости, слоев, структур, типа
...цншии компоцецтцв, мсГ.(Г:П.)явиковая к 31 слОтс 2,0-;Вода Остальцое а тип проводимости ццредслякт из соотццшеия линейных размеров образовавшихся ямок, причем меньшие размеры ямок соотвлствуют слоям р-типы, ы большие п-типа.На фиг. 1 приведена диаграммы, цокызыБаюшд 51 ОГряничеци 51 15)смени т")ЯБ 1 ец 3)я. П,101 НОСТИ ТЦКЯ И КЦЦЦ(сЦТРЯЦИИ 1)пасЗИКОВЦИ кислоты цри рса,тизации изобрстеция; цы фи 2 х 3 крсс)цтц рафия ск(кы эпитыксиалыкй л руктуры р-и-п тица Ны фи. 3 м и к р О ф ц т 0 Г 1) я ф и и я м ц к т р а Б, ) с ц и я д Г 1 я п,1 ы стин с рызг)ичный т)Г 1 цм прцвц,ихО(ти рызц удсльцым сспрц)3 Гзг)сиисм.На фиг. 1 осизцачсно: область 1 фцрми- Г)овация коричневой пленки цы ццвсрхцост; скоса, которая це позволяет цаблкдать ях)к 1,...
Модель летательного аппарата для определения области перехода пограничного слоя
Номер патента: 904433
Опубликовано: 10.10.2008
Авторы: Уланов, Шкатов, Шманенков
МПК: G01K 17/08, G01M 9/08
Метки: аппарата, летательного, модель, области, перехода, пограничного, слоя
Модель летательного аппарата для определения области перехода пограничного слоя, содержащая корпус и нанесенные на его поверхности слои термоиндикаторных покрытий, внешний слой которого имеет температуру перехода меньше смежного внутреннего слоя, отличающаяся тем, что, с целью повышения точности определения границ переходной области пограничного слоя в ней, термоиндикаторные покрытия выполнены из пленок разного цвета, а между нижним термоиндикаторным слоем и корпусом модели размещен слой теплозащитного материала с низким коэффициентом теплопроводности.
Способ измерения параметров области полупроводникового слоя
Номер патента: 1068847
Опубликовано: 23.01.1984
Авторы: Гулидов, Овчаренко, Панасюк, Смирнов
МПК: G01R 31/26, G01R 31/28, H01L 21/66
Метки: области, параметров, полупроводникового, слоя
...области измерений, а такжевременная зависимость 13 толщины неравновесной области пространственного заряда.МДП-структура включает также скрытый слой 14, контактное окно 15 дляподключения вольтметра, контактнуюплощадку 16 - МДП-структура на внешней области полупроводникового слоя,контактную площадку 17 - МДП-струк-,тура на контролируемой области полупроводникового слоя,Электрическую изоляцию контролируемой области от остальной частислоя структуры на. время измеренияосуществляют не с помощью разрушающих структуру технологических операций, а путем йодачи на ограничивающую размеры контролируемой области по поверхности слоя замкнутуюМДП-структуру импульса напряжениятакой полярности, при которой происходит обеднение слоя полупроводника...
Устройство для обработки твердыми частицами, типа шариков, внутренних поверхностей длинномерных деталей
Номер патента: 595129
Опубликовано: 28.02.1978
Авторы: Букатый, Волков, Королев, Малинский, Медведев
МПК: B24B 31/00
Метки: внутренних, длинномерных, поверхностей, твердыми, типа, частицами, шариков
...и совпадает с профилем обрабатываемой резьбы 7, упругих элементов 8, сеток для стравливания избыточного давления 9, заглушки 10, держателя 11, закрепленного неподвижно и удерживающего устройство в горизонтальном положении,Внутри кам шающие инте Опора 6 ра профиль конт 5 батывасмой р бы кольца 14 болтами 16. Устройствоеры выполнены щпт нсивность обработки сположепа в заглул актирует как с про езьбы 7, так и с про , которое крепится пке 13, и ее фплем обрафилем резьк детали 15 работ ледующим образо ты в рабочую зону, ог, днищем 2 и щитками частицы. На обрабатыевают кольцо 14. Врасчет перемещения конй поверхностей опор 5 .ов резьбы, устройство ываемой детали 15, заяют болтами 16. 10 Перед начало раниченную кор 12, засыпают тв ваемую деталь...
Фотосимистор
Номер патента: 898905
Опубликовано: 27.02.1996
Авторы: Белая, Дудченко, Думаневич, Евсеев, Тетерьвова
МПК: H01L 31/111
Метки: фотосимистор
1. ФОТОСИМИСТОР на основе многослойной структуры, например, n-p-n-p-n типа, содержащий зашунтированные внешние n-эмиттерные слои, контакты основного токосъема, дополнительные n-эмиттерные области, частично металлизированные, участок базы, управляемый световым потоком, по крайней мере, с одной стороны структуры, отличающийся тем, что, с целью повышения стойкости прибора к высоким скоростям нарастания анодного напряжения в режиме коммутации и повышения чувствительности к оптическому сигналу управления, проекция внутреннего контура металлизации по крайней мере одной дополнительной n-эмиттерной области на поверхность структуры хотя бы частично совпадает с границей внешнего n-эмиттерного слоя.2. Фотосимистор по п.1, отличающийся тем, что,...
Предыдущий патент: Преобразователь влажности газов
Следующий патент: Способ изготовления мишени для распыления в вакууме
Случайный патент: Способ изготовления резиной обуви и тому подобных изделий