Патенты с меткой «гетероструктурах»

Номер патента: 1629931

Опубликовано: 23.02.1991

Авторы: Ермакова, Перов, Поляков, Руковишников

МПК: H01L 21/66

Метки: гетероструктурах, параметров, полупроводниках, уровней, энергетических

...с толщиной 10 диэлектрического слоя С 300 й. Измерения проводят при амплитуде обедняющего напряжения Ф 0,1 В. Длительность приложения напряжения меняется от 10 до 10с. После переключения образца от источника напряжения к измерительной. схеме измеряют величины стекающих зарядов Чи Чпри длительности приложения обедняющегол Л напряжения соответственнои- 2 С, и находят заряд ДЧ = Ч - ЧНа чертеже приведены полученные зависимости ДЧФ; ) = Ч(2) - Ч (И) при Т = 320 К и Т = 295 К (площадь электродов составляет 2 ф 1(Г см), 25 Заряды Ч и Ч измеряют через промежуток времени10с после снятия об едняющег о напряжения, и подключения образца к измерительной схеме, При-3 временах измерения более 10 с величины зарядов Чи Ч практически не изменяются, а...

Номер патента: 1544111

Опубликовано: 27.02.1996

Авторы: Захаров, Колмакова, Матвеев, Тимир-Булатов

МПК: H01L 21/306

Метки: ga1-xalxas, гетероструктурах, многослойных, слоев, толщин

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТОЛЩИН СЛОЕВ GaAs И Ga1-xAlxAs В МНОГОСЛОЙНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ, включающий локальную обработку слоя GaAs в травителе на основе концентрированной перекиси водорода и концентрированного водного раствора аммиака при комнатной температуре и локальную обработку слоя Ga1-xAlxAs в концентрированном водном растворе галогеноводорода, замер толщины образовавшихся ступенек интерференционным методом, отличающийся тем, что, с целью повышения точности определения толщины в слоях GaAs и Ga1-xAlxAs, где x 0,1, локальную обработку слоя GaAs...