Способ контроля микродефектов в прозрачных пленках
Формула | Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 659018
Авторы: Казаков, Лизин, Преображенский
Формула
СПОСОБ КОНТРОЛЯ МИКРОДЕФЕКТОВ В ПРОЗРАЧНЫХ ПЛЕНКАХ, основанный на ионно-плазменном распылении, включающий создание плазмы, бомбардировку пленки положительными ионами плазмы и наблюдение микродефектов, отличающийся тем, что, с целью повышения достоверности контроля, в постоянном электрическом поле ведут ионно-плазменное распыление диэлектрика, а о наличии микродефектов судят по появлению вокруг них цветовых ореолов.
Описание
Известен способ выявления сквозных дефектов окисной пленки на полупроводниковой пластине, который заключается в том, что дефекты наблюдают на увлажненной фотобумаге, помещенной между полупроводниковой пластиной и металлическим электродом. После выдержки в течение 3-60 с под напряжением 70-100 В фотобумагу проявляют и закрепляют. В местах соприкосновения фотобумаги с дефектов окисла возникает темное пятно.
Недостатками такого метода являются сложность сопоставления дефектов на образце с их изображением на фотобумаге; невозможность выявления двух или нескольких близко расположенных дефектов из-за низкой разрешающей способности фотобумаги, а также выявление только сквозных дефектов.
Известен способ контроля микродефектов в прозрачных пленках, основанный на ионно-плазменном распылении, включающий создание плазмы, бомбардировку пленки положительными ионами плазмы и наблюдение микродефектов.
Этот способ включает следующие операции.
В рабочей камере установки, в которую помещен испытуемый образец, создается плазма. При подаче отрицательного потенциала на стол-мишень, на котором расположен образец, последний подвергается бомбардировке ионами плазмы, что приводит к более четкому проявлению структуры образца. О дефектах судят по световому восприятию с помощью оптического микроскопа.
Однако этот способ не дает достоверной информации о наличии микродефектов.
При световом восприятии дефектов в силу низкой разрешающей способности оптического микроскопа невозможно наблюдать дефекты, размеры которых
0,1 мкм, не наблюдаются также два или более близко расположенных дефекта, воспринимаемых при наблюдении как один дефект.Целью изобретения является повышение достоверности контроля.
Поставленная цель достигается тем, что в постоянном электрическом поле ведут ионно-плазменное распыление диэлектрика, а о наличии микродефектов судят по появлению вокруг них цветовых ореолов.
П р и м е р. Проводят исследование окисной пленки SiO2 на полупроводниковой пластине кремния (hSiO2 0,4 мкм). Пластину помещают в камеру установки ионно-плазменного распыления УРМЗ 279013, в которую подают аргон и создают вакуум
10-3 мм рт.ст. На стол-мишень, на котором располагают исследуемую пластину, подают отрицательный потенциал, в результате чего пластина подвергается бомбардировке положительными ионами аргона. По истечении 20 мин под оптическим микроскопом МБИ-11 наблюдают цветовые ореолы поверхности окисной пленки, появляющиеся после ионно-плазменного распыления вследствие интерференции света. По ореолам судят о наличии дефектов и их размещении на пластине.Предлагаемый способ обеспечивает достоверные сведения о наличии дефектов и их расположении в прозрачных пленках. По появлению цветового ореола вокруг каждого дефекта можно обнаружить дефекты, размеры которых
0,1 мкм. Два или несколько близко расположенных дефекта выявляются благодаря перекрытию цветовых ореолов.СПОСОБ КОНТРОЛЯ МИКРОДЕФЕКТОВ В ПРОЗРАЧНЫХ ПЛЕНКАХ, основанный на ионно-плазменном распылении, включающий создание плазмы, бомбардировку пленки положительными ионами плазмы и наблюдение микродефектов, отличающийся тем, что, с целью повышения достоверности контроля, в постоянном электрическом поле ведут ионно-плазменное распыление диэлектрика, а о наличии микродефектов судят по появлению вокруг них цветовых ореолов.
Заявка
2548574/25, 18.11.1977
Проектно-технологический научно-исследовательский институт
Лизин А. И, Казаков Г. В, Преображенский М. Н
МПК / Метки
МПК: H01L 21/66
Метки: микродефектов, пленках, прозрачных
Опубликовано: 10.02.1996
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-659018-sposob-kontrolya-mikrodefektov-v-prozrachnykh-plenkakh.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ контроля микродефектов в прозрачных пленках</a>
Способ получения прозрачных проводящих пленок на основе оксидов индия и олова
Номер патента: 1499573
Опубликовано: 07.03.1992
Авторы: Акашкин, Ветошкин, Печенкин
МПК: C23C 14/34
Метки: индия, оксидов, олова, основе, пленок, проводящих, прозрачных
...приводит к росту удельногосопротивления, т,е, в данных режимахстановится существенным процесс трав эления пленки. Так как выдержать время обработки с точностью до секундзатруднительно, то в этих режимахнаблюдается невоспроизводимость повеличине полученного значения удельного .сопротивления до минимальнойвеличины в течение нескольких секунд.В качестве рабочего газа используют азот и/или аргон, которые не, образуют летучих соединений с окислами индия и олова. Использованиедругих газов не обеспечивает достижение положительного эффекта ввидуих реакционной способности; сопровождающейся травлением и образованием летучих соединений, загрязняющихокислы индия-олова.При давлении рабочего газа ниже1 Па происходит. существенное увеличение...
Широкоапертурная ионно-оптическая система газоразрядного источника ионов
Номер патента: 1790314
Опубликовано: 27.11.1995
МПК: H01J 27/00
Метки: газоразрядного, ионно-оптическая, ионов, источника, широкоапертурная
...была бы мала по отношению ктоку ионов, прозрачность сеток должнабыть не менее 95 . Таким образом, сетка 3служит для извлечения и формированияионного пучка, а сетка 4 - для подавления 40электронной эмиссии на коллекторе.В экспериментах использовалисьсетки,изготовленные из проволоки диаметром 2р= 0,2 мм с шагом 5 = 10 мкм и расположенные на расстоянии друг от друга б = 40 мм, 45Расстояние сетки 4 ускоряющего электрода2 до коллектора 5 бсх = 150 мм, а расстояниеот эмиттера ионов 1 до сетки 3 извлекающего электрода 2 бсэ = 20 мм,Даже при высокой геометрической прозрачности и большой электрической прониаемости подавление вториной эмиссии сетки 4 происходит при потенциале Ос300 В, при энергии ионов Оэ 100 к В и ); =- 5 10А/см (по...
Способ выделения ионов дейтерия из моноскоростного потока ионов
Номер патента: 699922
Опубликовано: 07.07.1991
МПК: G01T 1/00, H01J 49/40
Метки: выделения, дейтерия, ионов, моноскоростного, потока
...одноразрядных ионов П и Не В моноскоростном потоке солнечного ветра такой способ не позволяет отделить П от ионов Не из-за оди накового отношения массы к заряду -ш/с для этих сортов ионов,Цель изобретения - разделение потоков гП+ и 4 Не, т.е. разработка , фспособа однозначного вьщеления изпотока моноскоростного солнечноговетра ионов дейтерия - П и последующего анализа их по энергии,Это достигается тем, что ионыгП+ и 4 Неф+ пропускают сквозь твер-гЪ,дую мишень толщиной не более 1 мкг.смепревращает фНефф в ионы фНеф, для акоторых Е/Ч удваивается по сравнениюс первичной Е/"1 для фНе и затемс помощью электростатического анализатора (ЭСА) производят раздельныйФанализ однозарядных ионов 2 П+ й 4 Че699922 Эти измерения производились на...
Ионно-оптическая система плазменного источника ионов
Номер патента: 1496614
Опубликовано: 23.11.1990
Метки: ионно-оптическая, ионов, источника, плазменного
...отверстиемдиаметром й = 0,25-0,40 и выполне,ние выходного электрода линзы длиной .10,2-0,3 П, где 0 - апертура линзы,приводят к такому распределению радиальной компоненты Еэлектрическогополя в последнем ускоряющем зазорелинзы, что осуществляется согласование пространства линзы с ионнооптическими характеристиками пчка,поступающего на ее вход. При этомформируется пучок с малым эффективным эмиттансом правильной эллиптической .формы, В то же время в аналогич"ных ионно-оптических системах, содержащих одиночные линзы, фазовыйпортрет пучка частиц имеет Я-образнуюформу, что соответствует большемуэффективному эмиттансу,Формула и э о б р е т е н и я Ионно-оптическая система плазменного источника ионов, выполненная в виде одиночной...
Способ нанесения пленок гидрида металла в вакууме, применение пленки гидрида металла,полученной способом по п. 1, и применение субстрата с пленкой гидрида металла, полученной способом по п. 1
Номер патента: 1836487
Опубликовано: 23.08.1993
Авторы: Витторио, Джанфранко, Джованни
МПК: C23C 14/00
Метки: вакууме, гидрида, металла, металла,полученной, нанесения, пленки, пленкой, пленок, полученной, применение, способом, субстрата
...образец4 +с энергией 2,2 МеЧ и под углом 750. Как известно, эти два метода позволяют 50 определить концентрацию атомов в см, в результате чего можно сразу подсчитать стехиометрию гидрида, В данном случае получили величину соотношения Н/Т в интервале от 1,7 до 2. 55Анализ пленки при помощи малоуглового рентгеновского излучения подтвердил присутствие одной фазы гидрида титана, тогда как негидрированный титан имеет гексагонал ьную кристаллическую решетку. Анализ с помощью Оже-спектроскопиипоказал, что кислород содержится только ввиде примеси с концентрацией менее 1 ф,П р и м е р 2. На субстрат, представляющий собой стеклянную пластину размерами 5 х 5 см, была осаждена пленка гидрида титана при помощи того же оборудования и тем же...
Предыдущий патент: Комплекс краун-эфира пиридазинового ряда с хлористым калием, проявляющий антимутагенную активность
Следующий патент: Установка полунепрерывной разливки металлов в заготовки
Случайный патент: Устройство реверсивного транспортирования магнитной ленты