H01L 21/467 — с использованием масок

Номер патента: 1629930

Опубликовано: 23.02.1991

Авторы: Вишневская, Лысенко, Первеев

МПК: H01L 21/467

Метки: дифракционной, решетки

...ввода-вывода излучения идифракционных решеток.Целью изобретения является повышение качества решетки путем увеличения отношения глубины штриха к перду этой решетки,Для изготовления дифракционнойрешетки на поверхности образца из арсенида галлия методом фотолитографиипредварительно Формируют защитнуюмаску из двуокиси алюминия, послеэтого образец подвергают ионнохимическому травлению в газовой смеси,изготовления ицтегрально-оптич эл емецтов ввода-вывода и злуч ец дифракционцых решеток. Цель из ция - повышение качества решет состоящей из 95+0,5 об,Е ксеноца и5+0,5 об,Е паров воды при энергииионов 1-1,5 кэВ и плотности ионноготока 1-2 мА/см . Использование водородсодержащей газовой смеси приводитк образованию легколетучих гидридовмышьяка,...

Номер патента: 1814451

Опубликовано: 10.03.1996

Авторы: Неустроев, Родионова

МПК: H01L 21/467

Метки: локального, олова, подложек, растворов, свинца-теллурида, твердых, теллурида, травления

...из компонентов смеси - метана в смеси с водородом для травления полупроводниковых соединений. В заявляемом изобретении используется смесь другого состава.В отличие от процесса по прототипу, где для травления ОаААз используют образующий плазму газ, содержащий треххлористый бор и хлор, в описываемом способе травления щелей твердого раствора теллурид свинца-теллурид олова проводят продуктами распада смеси метана и аргона, позволяющем увеличить скорость травления, понизить температуру нагрева, повысить разрешающую способность, устранить использование высокотоксичных веществ.Как показывают экспериментальные данные, наилучшими условиями плазмохимического травления щелей в подложках твердых растворов теллурид свинца-теллурид олова...