Грибковский

Номер патента: 749013

Опубликовано: 20.09.1999

Авторы: Грибковский, Егоров, Мельников, Червяков

МПК: B23P 19/02

Метки: армирующей, вставкой, кольцевой, поршня, сборки

Способ сборки поршня с кольцевой армирующей вставкой заключается в том, что в кольцевую канавку на наружной поверхности поршня устанавливают с осевым зазором вставку и деформируют ее по периметру до заполнения канавки в осевом и радиальном направлениях материалом вставки, отличающийся тем, что, с целью обеспечения установки кольцевой неразъемной вставки и повышения качества соединения и производительности, перед деформированием периметр вставки разбивают на ряд четных и нечетных участков, а деформирующее усилие прикладывают сначала одновременно ко всем одним, преимущественно четным, участкам, а затем ко всем другим, нечетным, участкам за несколько приемов с последующим приложением этого...

Номер патента: 1491271

Опубликовано: 27.02.1996

Авторы: Гладыщук, Грибковский, Парашук, Яблонский

МПК: H01L 21/66

Метки: кристаллов, кристаллографической, неоднородности, полупроводниковых

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКОЙ НЕОДНОРОДНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛОВ, основанный на погружении кристалла в диэлектрическую жидкость, возбуждения в кристалле стримерных разрядов одиночными импульсами напряжения с помощью электродов, один из которых выполнен игольчатым, а другой плоским, и регистрации траекторий стримерных разрядов в кристалле со стороны одной из плоскостей кристалла при перемещении игольчатого электрода над его поверхностью, отличающийся тем, что, с целью повышения информативности путем определения блочной структуры кристалла, перед возбуждением стримерных разрядов ориентируют поверхности кристалла относительно его кристаллографических плоскостей, одновременно с регистрацией стримерных разрядов со стороны...

Номер патента: 1653514

Опубликовано: 20.02.1996

Авторы: Грибковский, Грузинский, Гурский, Давыдов, Кулак, Митьковец, Ставров, Шкадеревич, Яблонский

МПК: H01S 3/18

Метки: лазер, накачкой, полупроводниковый, пучком, электронным

1. Полупроводниковый лазер с накачкой электронным пучком, включающий полупроводниковую пластину из сульфида кадмия, разделенную на элементы перпендикулярными ее поверхности пазами, и оптический резонатор, состоящий из двух зеркал, одно из которых глухое, отличающийся тем, что, с целью увеличения выходной мощности излучения лазера, пластина вырезана параллельно базисной плоскости кристалла, а глухое зеркало резонатора расположено на поверхности с элементарной структурой, причем ориентация этой поверхности соответствует кристаллографическому направлению [0001], а рельеф поверхности состоит из пирамид с размерами основания 1 - 10 мкм и углом между основанием и гранью пирамиды большим, чем угол полного внутреннего отражения для луча,...

Номер патента: 1268015

Опубликовано: 10.02.1996

Авторы: Гладыщук, Грибковский, Гурский, Паращук, Пендюр, Таленский, Яблонский

МПК: H01L 21/66

Метки: кристаллических, кристаллографической, неоднородности, образцов, полупроводниковых

1. СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКОЙ НЕОДНОРОДНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ОБРАЗЦОВ, основанный на возбуждении и регистрации стримерных разрядов в образце, отличающийся тем, что, с целью обеспечения определения кристаллографической неоднородности тонких (тоньше 0,1 мм) пластин сульфида кадмия, повышения экспрессности и достоверности, возбуждение стримерных разрядов в образце производят периодическими импульсами напряжения, имеющими амплитуду 2 - 5 кВ, отрицательной полярности с крутизной фронта импульса электрического поля не менее 1016 В/см с, перемещают точку приложения импульсов напряжения по поверхности образца, а о наличии...

Номер патента: 2001729

Опубликовано: 30.10.1993

Автор: Грибковский

МПК: B23P 11/02, B23P 15/10

Метки: армирующей, вставкой, поршня, сборки

...что в конечном счете приводит к выходу поршня иэ строя.Цель изобретения - получение надежного соединения поршня с армирующейвставкой, увеличивающего срок службыпоршня цри работе двигэгел нэ форсированных режимахЭто досткается сцоеобе сборки поршня в аркирующей вставкой, включаюцемустановку цоршя в канавку тела поршнявс 1 авки, вьполнелной в виде неразреэногокольца, с цоследующеее зэцрессовкой,благодаря тому, что дно, энэвки поршнявыполняют торообразным, внутреннюю поверхность вставки выполняют со скошенными заходными кромками или по меньшеймере с одним выступом со скошенными заходными кромками, а ээпрессовку вставкипроводят в несколько этапов усилием, неравномерным по окружности вставки на завершающем этапе, причем максимальноеусилие,...

Номер патента: 1755336

Опубликовано: 15.08.1992

Авторы: Грибковский, Паращук, Русаков

МПК: H01L 21/66

Метки: возбуждения, гексагональных, заданного, полупроводниках, разряда, стримерного, типа

...При этом возможна селекция .: ных типов обуславливает невысокую эффектолько одного типа стримера(ез), интенсив- тивность селекции. При охлаждении же1755336 ра одногО-двух типов. В случае отрицательной полярности возбуждаются только разряды типа е 1, а их количество уменьшается гасится только один из трех возможных типов разрядов, а два остальные возбуждаются одновременно, что ограничивает электрического поля, в частности от взаим той, так как не требует низких температур,ного расположения образца и электрода. В экономией материала в связи с использоваслучае кристаллов СбЗ подведение иглово- нием тонких стержневидных образцов;го электрода со стороны плоскости (1010): . Способ может быть использован при образца при 77 К приводит к...

Номер патента: 1622913

Опубликовано: 23.01.1991

Авторы: Грибковский, Паращук, Яблонский

МПК: H01S 3/18

Метки: лазер, полупроводниковый

...которой на поверхности полупроводниковой пластины 3 формируют горизонтальную возбуждающую полосу. Вследствие небольшого значения коэффициента двухфотонного поглощения (порядка 0,01 см/Мвт) излучение накачки проходит через весь объем пластины, отражается от элементов микроструктуры и возвращается обратно в обьемкристалла. Рассеяние, обуславливающее при этом равномерное распределение интенсивности возбуждающего излучения, происходит в местах соприкосновения элементов микроструктуры, где между ними нет четкой границы (нарушена кристалличность, поверхность шероховата и т,п.), и в аналогичных местах при вершине фигур, не имеющей четкой огранки, а также на не- сформировавшихся фигурах с различной ориентацией и формой поверхностей. Часть...

Номер патента: 1045785

Опубликовано: 15.08.1985

Авторы: Грибковский, Зубрицкий, Яблонский

МПК: G01N 27/62, H01L 21/66

Метки: кристаллографической, поверхностей, полупроводников, полярности

...поскольку используе -мые жидкости - серный эФир., этилоВый эФир уксусной кислота. и ацетонимели диэлектрическую проницаемость4, 2, 6 и 20 соответственно,Поверхностные стримерные разрядывозникают либо на основе 1, атомовметалла при отрицательной полярностилибо на стороне 8 атомов металлоицапри положительной полярности импульсов подаваемого напряжения т,е, поместочоложению наблюдаемой визуально картины поверхностных стримерньгх,разрядов судят о кристаллограФической полярности полупроводников.Реальная поверхность получаетсяв результате обработки кристалла1045в химически полирующем травителеили химико-механическим способом, В качестве диэлектрической жидкостииспользуют этиловый эфир уксусной кислоты.П р и м е р,...

Номер патента: 1094543

Опубликовано: 30.06.1985

Авторы: Грибковский, Зюльков, Иванов, Котибников, Павловский

МПК: H01S 3/11

Метки: излучения, импульсов, лазерного, субмикросекундных, формирования

...элементе при высоком уровне возбуждения нелинейные потери были значительны еще до порога разрушения материала. Это достигается охлаждением монокристаллов до 6-35 К. Причинами препятствующими возникновению нелинейных потерь, могут быть следующие: 1) небольшой параметр нелинейности фильтра и, как следствие, значительное остаточное поглощение в фильтре, сохраняющееся вплоть до порога разрушения полупроводника (т.е. фильтр полностью не просветляется), 2) низкий порог разрушения материала.П р и м е р. Субмикросекуидный лазерный импульс формируется привозбуждении активной среды и воздействии излучения на полупроводниковый нелинейный элемент в видеплоскопараллельной пластинки легиро10 ванного монокристалла теллурида цинка, помещенный в...

Номер патента: 1117567

Опубликовано: 07.10.1984

Авторы: Воронин, Грибковский, Жуков, Рябцев, Сосновский

МПК: G02B 5/20

Метки: оптический, просветляющийся, фильтр

...основана на40 нелинейном поглощении, выражающемся в увеличении оптического пропускания кристалла при мощном лазерном возбуждении, Обнаруженный эффект просветления наблюдается вблизи края собственного поглощения антимонида галлия,45 легированного кремнием, и обусловлен насыщением поглощенияпри оптических переходах с участием примеси. Минимальньй уровень концентрации крем 1 -Ъния (1 о см ) соответствует уровню неконтролируемых примесей в антимониде галлия, а максимальный уровеньидконцентрации (10 см ) является пределом растворимости примеси в полупроводниках.На фиг.1 представлена зависимость коэффициента пропускания полупроводниковой пластины из легированного кремния антимонида галлия р-типа слт -з концентрацией примеси 10 см от...

Номер патента: 578672

Опубликовано: 23.05.1982

Авторы: Грибковский, Паращук, Яблонский

МПК: H05B 33/08

Метки: излучением, стримеров

...к увеличению его проводимости(уменьшению сопротцвлси 11 я). Это вызывает снижение напряженности электрическогополя внутри кристалла, что, в свою очередь,приводит к уменьшению интенсивности свечения стрцмеров цлц и их полному гашению.Для изменения свечения отдельного стрцмера цлц участка кристалла луч света фокусируют сферической линзой в пятно диаметром 50 в 1 мкм ца поверхности кристалла и направляют на тот учасж кристалла, где проходит стример, Этим достигают локального изменения сопротивления образца и, как следствие этого, уменьшения длины разрядов или их интенсивности,Освещение кристалла импульсным светом 5 не сопровождается повреждением его поверхности, так как порог разрушения кристаллов больше мощности, необходимой...

Номер патента: 574011

Опубликовано: 23.05.1982

Авторы: Грибковский, Паращук, Яблонский

МПК: H01L 21/66

Метки: кристаллов, ориентации, полупроводниковых

...импульсэлектрического поля в режиме возникновения стримеров, в кристалле измеряют углымежду стримерами и по измеренным значениям судят оо ориентации поверхностискола,574011 Подписно зд. Мо 15 Тираж 73 ПО Поиск Заказ 713 ография, пр. Сапунова,определению плоскость скола и укрепленному на стеклянной пластинке 3, через раз. рядный промежуток подводят высоковольтный импульс электрического поля. Образец и разрядный промежуток помещают в ди электрическую жидкость: трансформаторное масло, метилметакрилат или этиловый спирт.При амплитуде напряжения У)20 кВ в образце возникает сетка тонких (толщиной 10 4 - 8 мкм) нитевидных разрядов - стримеров, составляющих в приповерхностной области данного образца определенные углы между собой или с...

Номер патента: 878048

Опубликовано: 30.04.1982

Авторы: Грибковский, Зюльков, Иванов, Павловский, Тиминский, Чирвоный

МПК: G02F 1/37

Метки: затвор, оптический, перекрывающий

...мощным лазерным излучением,Целью изобретения является созданиенеподверженного разрушению перекрывающего оптического затвора, срабатывающегопри относительно невысокой плотности излучения (1 - 5 ГВт/см) для спектральнойобласти 5350 в 80 А,Это достигается благодаря применениюмонокристаллических плоскопараллельныхпластин из легированного, например фосфором, теллурида цинка при возбужденииего пикосекундными импульсами света вкачестве перекрывающего оптического затвора для блокировки излучения в спекотральной области 5350 - 8000 А,Перекрывающий оптический затвор изготовляют в ви 1 де плоскопараллельныхпластинок толщиной ОД 9 2 мм из монокристаллического легированного фосфоромтеллурида цинка. При этом уменьшениепропускания такого...

Номер патента: 577864

Опубликовано: 25.07.1979

Авторы: Грибковский, Зимин

МПК: H01S 3/113

Метки: длительности, изменения, импульса, окг, формы

...-се),0 СТ Ии Н)1 с ИО 510 ц(1 К) )10.115311 И,10 р)1.ЦОС(И, Вот 5 ВРс И(с 10 ЦС 0 С 51 ИР 13 с(С0,(Вако и и )сстцо) )стройстве 0:(м(0 кИОСТ( уорС(С 1151,5(ТС ц 1(ОСТ(111 И ЬСЧ 311 3 Г 1 с3 С 151 1 В Т)))Г с) Р ) 0 1 1 1 К ( ( ) 1) с) 1 11 С 1с) .11 е и 1(зооре с ци 51 ) кро 1(ц и .1 11 тс иИ(сти )1135,1 ЬС В(Орой Грс 0(ц(КИ ИСОТ0)оп) С)Е( ллицй влцы 5,1(Н) с.Составитель А. ЛебедевТехред О. Луговая Корректор М. Вигула Тираж 922 Подписное Редактор Е. Месропова В а к аз 4399,56 ЦН И И П И Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий13035, Москва, Ж - 35, Раущская наб., д. 45 Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул, Проектная, 4Гки 5 К 11 Г)ЫИ ГОС)111), ,313 И)З 11 ) 1 ы . 31511 1 , и 1.О 1 11 к )3и и и .1.1 ) с 11 и1 1) .13(И...

Номер патента: 631031

Опубликовано: 25.07.1979

Авторы: Грибковский, Зимин

МПК: H01S 3/10

Метки: монокристалла, оптического, основе, просветляющегося, фильтра

...оптические свойства, так как просветление происходит в канале: акцентор цд основе вакансии цинка - зона проводимости.Ори.чер. Нелегированные монокристаллы в ХпТе помешают в кварцевую дчпулу, из которой откачивают воздух до давления 5 х н 10 мм рг. ст. Ампулу цд; ревдют до 1100 С и спустя 5 миц почещают в жидкий азот до полного охлаждения.Образцам, извлеченным из ампулы, механической полировкой придают форму плоскопараллельцой пластинки толцгиной 0,7 мм.Пластинки ХпТе почсшают в азотный криостат и цри температуре 77 К .проводят измерение величины ЬР =Рз в -Ро, гдеРо - 20 оптическая плотность образца при малыхпотоках излучения; Р в - оптическая плотность при потоках Я, вьзываюшцх насыщение поглощения (5:; 1 О МВтсм-).631031 Фор...

Номер патента: 664136

Опубликовано: 25.05.1979

Авторы: Грибковский, Зимин, Самуйлова

МПК: G02B 5/20

Метки: оптический, просветляющий, фильтр

...возникает необходимость частой заменыэтих элементов. Фильтр на основестекла КСработает , в краснойобласти спектра,Известно цветное оптическое стекло ЖС, применяемое в качествеспектрального фильтра (4,Целью изобретения является создание стабильного не подверженногонеобратимым фотохимическим реакциямпросветляющегося оптического фильтрадля синей области спектра.Поставленная цель достигаетсяпутем использования в качестве просветляющегося оптического фильтрастекла ЖС.В стекле ЖСбыло обнаруженснелинейное поглощение, выражающееся в увеличении пропускания с увеличением интенсйвности возбуждающего излучения.П р и м е р. При 300 К измеряютизменение оптической плотности стека ЖС В - В П1 " В- огде Эв-оптическая плотность при по".токах Я(Я Ф 200...

Номер патента: 543491

Опубликовано: 25.01.1977

Авторы: Грибковский, Мельников, Олешко, Червяков

МПК: B23P 15/10

Метки: вставкой, поршня, сборки

...поршня со вставкой включает следуюшие операции: изготавливают одним из известных способов вставку, напри мер, в виде неразрезного кольца с кгми пс внутренней поверхности,Размеры вставки определяются расчепутем в зависимости от конструкции поЗатем также известным способомнане, в месте постановки, обрабатывают иверхнссть под вставку, т.е, выполняютпения по форме сегментов,Эту операцию совершают на поршне, прошедшем предварительные операции типовоготехнологического процесса обработки заготовки поршня, например, операции прорезкиканавок под поршневые кольца,Конфигурацию оорабатываемой поверхности задают в зависимости от констр ипоршня со вставкой.Вставку надевают на поршень и центрируют тгк, чтобы при устгновке сна вошлав соответствующие...

Номер патента: 258769

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Грибковский, Сторол

МПК: F02F 3/12

Метки: внутреннего, двигателя, поршень, сгорания

...возможность отрыва накладки от поршня под действием сил инерции,дмет изобретен и Поршень т ния с наклад 5 сл тем, что,соединения,конусу и зас ленными в п с другим и с 0 щи сварки.Известны по е го сгорания складкой.Описываемый поршень отличается от известных тем, что накладка насажена на головку по конусу и застопорена полукольцами, установленными в пазу поршня и соединенными одно с другим и с накладкой, например, прц помощи сварки, Такое выполнение позволяет обеспечивать надежное соединение накладки с поршнем.На чертеже изобрагкен описываемый поршень.На головку поршня 1 из чугуна илп алюминия насажена по конусу 2 с натягом накладка 3, изготовленная из жаропрочной стали, Больший диаметр конуса 2 расположен в верхней части поршня....