Патенты с меткой «антимонида»

Номер патента: 146049

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Дашевский, Лазарев, Миргаловская

МПК: C30B 29/40, C30B 31/04

Метки: антимонида, дендритах, индия, переходов, полупроводникового, создания, электронно-дырочных

...антимонида индия зашлифовки, полировки и травления лектронно-дырочный переход на опрефигурации,ма установки для осуществления спор - и переходов ведут следующим обр нь 1 помещают в печь 2 сопротивления температуру которой измеряют при поз иевого стерпня, обращенный к плоскост ом режим печи подбирают таким, чтоб от падения силами поверхностного натя) оя индия на поверхность дендрита 4 ст в сторону дендрита и, касаясь его пов азом.(с регу ОЩИ тЕР- и дендриы капля кения.ерпень 1 ерхности,ц лируе мопар та 4, индия мопе смачи Кдиевыи стержень 1 и печь 2 могут перемещаться в ости, что позволяет регулировать размеры поверхлоя индия. Как показано на схеме, тигель 5 с расертикости роцесс создачиндиевый стерпмым нагревом)ы 3, Конец...

Номер патента: 521620

Опубликовано: 15.07.1976

Авторы: Козлова, Ольховикова, Приходько, Хашимов

МПК: H01L 21/306

Метки: антимонида, индия, полирующий, раствор

...обра521620Ф 4 Формула изобретения Составитель В, МальцевТехред Е. Подурушина Редактор И. Шубина Корректор А. Дзесова Заказ 1793/1 О Изд.1551 Тираж 963 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, 5 К, Раушская наб., д, 4/5Типография, пр, Сапунова, 2 зом, пригодны для исследования методом трансмиссионной электронной микроскопии.Предлагаемым методом возможно исследование микроструктуры материала, в частности дефектов кристаллического строения. Особое значение метод трансмиссионной электронной микроскопии преобретает при исследовании структурного совершенства тонких эпитаксильных слоев.П р и м е р 1. Подготовку образцов к утоньшпию производят следующим...

Номер патента: 521921

Опубликовано: 25.07.1976

Автор: Еланская

МПК: B01J 17/00

Метки: антимонида, индия, травитель

...ляет Травление длил цы промывали вод выявлялись в виде вершиной. атемисл ми л к о онусообразных я и быть рмула и етени инТравитель для антимо ший соляную кислоту и п личаюшийся те,выявления дислокаций по 111), (110 (100,нительно содержит молоч следующем соотношении к Соляная кислота Пергидроль я Молочная кислотасо ем с 0 - 250 0 - 150 0 - 400 лупроводниковых материалов,Известен травитель, выявляюшийкации в монокристаллах антив состав которого входят азая и уксусная кислоты,Однако известный травитель выядислокационные ямки травления толодной или двух кристаллографическикостях,Известен также травитель, состоиз соляной кислоты и пергидроля.Однако этот травитель не может1использован для травления антимони дня.Целью изобретения...

Номер патента: 854881

Опубликовано: 15.08.1981

Авторы: Абдусалямова, Бурнашев, Власов, Миронов

МПК: C01F 17/00

Метки: антимонида, диспрозия

...выдержку 5-6 ч и повышают температуру ВНИИПИ Заказ 6796/30 Тираж 505 Подписное Филиал ППП "Патент", г, Ужгород, ул. Проектная, 4 монида диспроэия, состоящему вгсмешивании стехиометрических количеств порошков исходных компонентов, прессовании, загрузке в реактор, эвакуировании, заполнении инертным газом, нагревании и охлаждении до комнатной температуры, нагревание гедут.от комнатной температуры до 440-460 С в течение 1-2 ч, затем деолают выдержку 5-6 ч и повьппают температуру от 440"460 до 490-510 С во течение -2 ч с последующей выдержкой 5-6 ч, после чего увеличивают температуру от 490-510 до 540-560 С в течение 1-2 ч с выдержкой 5"6 ч и отожУ женную смесь растирают в порошок, прессуют в таблетки и нагреваюот комнатной температуры...

Номер патента: 1059033

Опубликовано: 07.12.1983

Авторы: Сорокина, Улин

МПК: C30B 33/00

Метки: антимонида, индия, полирующий, травитель

...чтопри большой скорости травления приводит к созданию неровностей типа"апельсиновой корки" .Кроме того, очень высокая скорост/травления около 800 мкм/мин) непозволяет контролировать малые толщины удаляемых слоев,Цель изобретения " улучшение качества обработки поверхности и снижение скорости травления.Поставленная цель достигаетсятем, что травитель для антимонидаиндия, содержащий концентрироваиную плавиковую кислоту и окислитель, дополнительно содержит 7,610,4-ный водный раствор щавелевойкислоты и в качестве окислителя перекись водорода и концентркрованнувсерную кислоту при следующем соотно-,шении компонентов, об.ч.;Плавиковая кислота 2-4Перекись водорода 0,3-1,5Серная кислота 2-47,6-10,4-ный водныйраствор .щавелевойкислоты...

Номер патента: 1135382

Опубликовано: 15.10.1986

Авторы: Лазарев, Луфт, Хусид, Яссен

МПК: H01L 21/306

Метки: антимонида, галия, монокристаллов, основе, полирования, прецизионного, растворов, твердых, травитель, химического

...и 457-ного ра 40створа плавиковой кислоты НР при соотношениях компонентов, указанных впримерах 1-5. Используются реактивы .марок ОСЧ или ХЧ (молочная кислота)и деионизованная вода марки АТравление поверхности монокристал 45лов СаЯЬ.Образец, например монокристаллическую пластину СаЯЬ ориентации100) или 111 В толщиной 400 -600 мкм, предварительно подвергнутую химико-механическому полированию (ХМП), очищают от поверхностныхзагрязнений, помещают во фторопластовую кассету и подвергают химико-динамическому полированию вначале в55 известном составе травителя (1) или(2) с большой скоростью травления35382 43 мин; обработка в концентрированной НГ - 5 мин, промывка в воде2-3 мин, сушка в центрифуге - 2 мин.Такая последовательная обработкапри...

Номер патента: 1397409

Опубликовано: 23.05.1988

Авторы: Абулхаев, Чуйко

МПК: C01F 17/00

Метки: антимонида, самария

...Г 7 3111, 8 Ь 32,69; эксцсричецг,льный 8 ш 67,35; 8 Ь;)2,511 Отцость рсцгсцовскся 8, 30 гсм 3, и кцомстрисски 5 8,230 г см . 1 хрцсталлохццческцс харак.ТГ)ИСТР(КЦ: Г(.КСс 1 ГОНПЛ ЬН а Я СЦ Ц (О(И Я, СТр КТу р 1 ЫЙ ТИ 31 М)8,3, 13 ро(Т 1)с НС ГВС(1(515Г)мппа5(, 1 с ч, .ара (с 11 ы )с ц(. тки. с 1 = 8,932 г., с = 6,381 .сФизНсскис с 30 йст 3 с,ьцос лск(р- со и ост ц 3; с ц Р(с О, 2)61 (ч (, ( а 1; цц (1 51 . ( о.- при Р м ц и 1 Ость 1691,сц. с к(фф ц (сц( Холла 1,9910,11 Сл, к(ффи,цс и тсрч цеского рсц ир(.ц,(Я 10Г. х;рак (ср - Гццескс 51 (с 1 цсра 1 );с 3,1 с( 51 16 с Ь Г(ч(, и) проволцол ь 3,6 11 т ч В. ) с рч: .9с.80 мкБ К .На и.рвои с"Гал 1 и син Ге:с,)п(;1)п.)и 300 ).30" С и выдержке 1,5- 2,0 и. Происходи( полное вцслрсцие...

Номер патента: 1756392

Опубликовано: 23.08.1992

Авторы: Векшина, Нагибин, Пепик, Попков

МПК: C30B 15/00, C30B 29/40

Метки: антимонида, индия, монокристаллов

...эффективного коэФФициейта распределенияпримесей от величинымагнитного поля,воздействующего на расплав, При этом легирование проводят на концентрации носителей заряда (3 - 6)10" см . В работе сиспользованием критериев тепломассопереноса объясняются причины возрастаниякоэффициентов распределения указанныхвыше примесей, 8 данном случае исследования по влиянию магнитного поля на электрофизические параметры получаемогоматериала не проводились,Целью изобретения является увеличениявыхода монокристаллов с подвижностью носителей заряда более 5 10 см /В с ч,э 2Поставленная цель достигается с помощью МГД устройства "поперечйого магнитного поля, позволяющего получать в"центре тигля магнйтное поле с индукциейдо 0,3 Тл.После наложения...

Номер патента: 1669337

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Мироненко, Налькина, Нестеров, Хрящев

МПК: H01L 21/306

Метки: антимонида, индия, полирования, приготовления, раствора

...супермедленным трввителем состава МВТВК1:50 по приведеннойвыше методике в течение 30, 60, 90 с.Часть образцов, облученных той аедозой, обработана при соОтношенииМВТ ; ВК " 1:100 в течение 2 н 3 мин.Результаты определения средней скорости травления сведены в таблицу,-раздел 111.Пример 4, В раздел 1 Ч таблицы сведены результаты по определению средней скорости травления присоотношении МВТ : ВК = 1:100 образцов внтимонида индия, нмплантированных большей дозой ионов магния,Из сравнения результатов разделов111 и 1 Ч таблицы видно, что даае приодинаковых степени разбавления и времени травления на скорости травлениясказывается степеньарушения струк-туры материала при р.зпичных дозахоблучения. Из результатов т;блицы следует, что...

Номер патента: 1530013

Опубликовано: 20.03.1996

Авторы: Веселова, Гусев, Космодемьянская, Прокофьев, Слесарева

МПК: H01L 21/306

Метки: антимонида, индия, поверхности, состав

СОСТАВ ДЛЯ ОЧИСТКИ ПОВЕРХНОСТИ АНТИМОНИДА ИНДИЯ, содержащий поверхностно-активное вещество, гексаметафосфат натрия и воду, отличающийся тем, что, с целью повышения качества очистки поверхности, в качестве поверхностно-активного вещества используют оксиэтилированный моноалкилфенол формулы RO6H4O(CH2C2H4O)nH, где n = 9 - 12, при следующем соотношении компонентов, мас.%:Оксиэтилированный моноалкилфенол формулы RC6H4O(CH2C2H4O)nH - 0,18 - 0,22Гексаметафосфат натрия - 0,65-0,85Вода - До 100

Номер патента: 1480674

Опубликовано: 10.04.1996

Авторы: Веселова, Гусев, Космодемьянская, Слесарева

МПК: H01L 21/306

Метки: антимонида, индия, раствор, травления

РАСТВОР ДЛЯ ТРАВЛЕНИЯ АНТИМОНИДА ИНДИЯ, включающий органическую кислоту, перекись водорода, азотную кислоту, отличающийся тем, что с целью улучшения качества травления за счет повышения его равномерности, раствор дополнительно содержит фторид аммония и алкилсульфонат натрия, а в качестве органической кислоты винную или лимонную кислоту при следующем соотношении компонентов, об.Винная или лимонная кислота (30%-ная) 66,7 72,7Перекись водорода (30%-ная) 15,5 23,3Азотная кислота (65%-ная) 3,3 5,7Фторид аммония (40%-ный) 2,9 6,2Алкилсульфонат натрия (1%-ный) 1,7 2,9

Номер патента: 1424643

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Балин, Гузев, Шкляев

МПК: H01L 21/316

Метки: антимонида, диэлектрик-полупроводник, индия, основе, структур

Способ получения структур диэлектрик - полупроводник на основе антимонида индия, включающий очистку поверхности полупроводниковой подложки, формирование потока молекул окиси кремния в атмосфере кислорода при давлении от 1,15 до 4,0 Па, зажигание ВЧ-разряда с плотностью мощности от 0,3 до 1,0 Вт/см2 на электроде с подложкой, охлаждение на подложке пленки двуокиси кремния, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических свойств структур за счет уменьшения влияния высокочастотного газового разряда, перед зажиганием газового разряда осаждают подслой двуокиси кремния толщиной от 150 до при температуре от 293...

Номер патента: 660499

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Коршунов, Тихонов

МПК: H01L 21/265

Метки: антимонида, индия

Способ обработки антимонида индия облучением ионами, отличающийся тем, что, с целью обеспечения регулируемого по глубине увеличения скорости электрохимического травления без изменения типа проводимости и уменьшения подвижности носителей заряда, антимонид индия во время облучения подвергают нагреву от 100 до 290oC.

Номер патента: 708792

Опубликовано: 10.11.2001

Авторы: Коршунов, Морозов, Тихонов

МПК: G01N 21/21

Метки: антимонида, вырожденного, индия, концентрации, п-типа, приповерхностном, слое, электронов

Способ определения концентрации электронов в приповерхностном слое вырожденного антимонида индия, n-типа, включающий освещение монохроматическим поляризованным светом образцов исследуемого и взятого в качестве эталона невырожденного полупроводника, многократное измерение эллипсометрического параметра и соответствующих ему длин волн, определение энергетического сдвига края полосы собственного поглощения, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа перенесением измерений в видимую область спектра, перед освещением поверхности исследуемого образца и эталона аморфизируют с сохранением исходной концентрации электронов, при...

Номер патента: 1279279

Опубликовано: 20.11.2002

Авторы: Браташевский, Васильков, Дорошенко, Ковалев, Стоян

МПК: C30B 13/10, C30B 29/40

Метки: insb, антимонида, висмутом, индия, кристаллов, легированного

Способ получения кристаллов антимонида индия InSb, легированного висмутом путем направленной кристаллизации из раствора - раствора исходных InSb и In2Bi, отличающийся тем, что, с целью получения высокоомного антимонида индия, исходный InSb берут с содержанием не более 4,6 1015 см-3 фоновой примеси, раствор-расплав содержит 2,6-22,5 мол.% In2Bi и кристаллизацию ведут со скоростью 0,8-3,2 мм/ч.

Номер патента: 1840205

Опубликовано: 20.08.2006

Авторы: Алехин, Емельянов, Лаврищев

МПК: H01L 21/306

Метки: анодного, антимонида, индия, окисления, электролит