Парашук

Номер патента: 1491271

Опубликовано: 27.02.1996

Авторы: Гладыщук, Грибковский, Парашук, Яблонский

МПК: H01L 21/66

Метки: кристаллов, кристаллографической, неоднородности, полупроводниковых

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКОЙ НЕОДНОРОДНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛОВ, основанный на погружении кристалла в диэлектрическую жидкость, возбуждения в кристалле стримерных разрядов одиночными импульсами напряжения с помощью электродов, один из которых выполнен игольчатым, а другой плоским, и регистрации траекторий стримерных разрядов в кристалле со стороны одной из плоскостей кристалла при перемещении игольчатого электрода над его поверхностью, отличающийся тем, что, с целью повышения информативности путем определения блочной структуры кристалла, перед возбуждением стримерных разрядов ориентируют поверхности кристалла относительно его кристаллографических плоскостей, одновременно с регистрацией стримерных разрядов со стороны...