Тимир-Булатов
Способ определения толщин слоев и gaas и ga1-xalxas в многослойных гетероструктурах
Номер патента: 1544111
Опубликовано: 27.02.1996
Авторы: Захаров, Колмакова, Матвеев, Тимир-Булатов
МПК: H01L 21/306
Метки: ga1-xalxas, гетероструктурах, многослойных, слоев, толщин
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТОЛЩИН СЛОЕВ GaAs И Ga1-xAlxAs В МНОГОСЛОЙНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ, включающий локальную обработку слоя GaAs в травителе на основе концентрированной перекиси водорода и концентрированного водного раствора аммиака при комнатной температуре и локальную обработку слоя Ga1-xAlxAs в концентрированном водном растворе галогеноводорода, замер толщины образовавшихся ступенек интерференционным методом, отличающийся тем, что, с целью повышения точности определения толщины в слоях GaAs и Ga1-xAlxAs, где x 0,1, локальную обработку слоя GaAs...