Патенты с меткой «сверхпроводящих»

Номер патента: 166779

Опубликовано: 01.01.1964

Автор: Изобрете

МПК: H01L 39/10

Метки: режимом, сверхпроводящих, цепей, электрических

...оператора. 25 Устройство для управления режимом электрических сверхпроводящих цепей, выполненное в виде сверхпроводящего элемента, переводимого в несверхпроводящее состояние пу тем его подогрева электрическим током, отггойгггсная групгга82 Известны устройства для управления режимом электрических сверхпроводящих цепей, выполненные в виде сверхпроводящего элемента, переводимого в несверхпроводящее состояние путем его подогрева электрическим током, Недостатком известных устройств является трудность их использования для управления обмоткой электромагнита, действие которого основано на протекании тока по сверхпроводнику.Предложенное устройство для управления режимом электрических сверхпроводящих цепей отличается от известных тем, что на...

Номер патента: 257601

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Клюкин, Фабриков, Хромов

МПК: G01R 33/035

Метки: интерферометр, сверхпроводящих, токов

...которая совмещена со сверхпроводящим элементом.Благодаря совмещению сверхпроводящего элемента и магнитной пленки, нарушающей сверхпроводимость по заданному закону, число сверхпроводящих полос можно довести до 10, что повышает чувствительность устройства.На чертеже дана схема предлаГасмоГО ннтерферометра сверхпроводящих токов.На подложке 1 расположена магнитная пленка 2 с полосовой дохтенной структурой толщиной 1 - 0,5 лтклт, на которой находится пленка 3 из сверхпроводящего материала толщиной 0,5 лтклт, часть которой при окислении образует диэлектрический слой 4 толошиной 10 - 20 А. Сверху расположена вторая пленка 5 сверхпроводящего материала толщиной 0,5 лилг. К пленкам 3 и Ю подсоединены ВЫВОДЫ 6, 7.Интерферометр работает...

Номер патента: 351277

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Аксенов, Гусев, Макаров, Тур

МПК: H01L 39/00

Метки: криогенных, питания, сверхпроводящих, токоввод, управляемый, устройств

...тем, что, теплопрцтока в крцостат, с потребителем тока цодва независимых управависимое от авт, свидетельстваИзобретение относится к области сверхпроводящих и криогенных устройств, а именно к конструкции сильноточных токовводов.Известные токовводы, обеспечивающие минимальный теплоподвод к хладоагенту только для одного значения тока, при питании устройств с изменяющимся током работают в неоптимальном режиме.Цель изобретения - создание токовводов, обеспечивающих минимальный теплоподвод при изменении тока в широком диапазоне.Для этого токоввод выполнен в виде нескольких параллельных токоведущих элементов с прерывателями.На чертеже представлена схема предлагаемого устройства.Параллельные токоведущие элементы 1 с контактами 2 и штоки 3...

Номер патента: 382492

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Сумароков, Целиков

МПК: B23K 20/04

Метки: ленточных, сверхпроводящих

...составление пакета из лент из тугоплавкого компонента, покрытых путем испарения и конденсации в вакууме легкоплавким компонентом. размещение его между слоями меди высокой чистоты, холодную прокатку пакета до нужной толщины и отжиг полученной многослойной ленты при температуре ниже температуры плавления меди, отличающийся тем, что, с целью получения сверхпроводящих материас присоединением заявкиПриоритет Изобретение относится к области производства многослойных металлов,Известен способ изготовления сверхпроводящих ленточных материалов на основе интерметаллических соединений, при которомсобирают пакет из последовательно расположенных листов медь - ниобий - олово - ниобий- медь, прокатывают пакет до толщины 50 мки отжигают при 1000 С в...

Номер патента: 484530

Опубликовано: 15.09.1975

Авторы: Прокофьева, Пылинина, Шахтарин

МПК: G06G 7/48

Метки: магнитном, моделирования, поле, постоянном, сверхпроводящих, экранов

...с высокой электропроводностью, аналогичные поформе сверхпроводящим, помещают в магнитцое поле высокой частоты,Существо предложения заключается в следующем.В переменное магнитное поле высокой частоты, создаваемое магнитом с обычной, на зпример, медной обмоткой, помещают экраныиз немагнитного, например из меди, материала с высокой электропроводностью. Измеряявеличину напряженности переменного магнитного поля в рабочем объеме, получают в от носительных едцшщах распределение напряженности магнитного поля в сверхпроводящих магнитных системах со сверхпроводящими экрацамц. Эксперимент можно проводить при любой, в частности прц комнатной, температуре, Форму ц размеры экранов из немагнцтцого материала с высокой электропроводностью при нормальной...

Номер патента: 651433

Опубликовано: 05.03.1979

Авторы: Бондаренко, Васин, Петросян, Скрипкина, Стенин

МПК: H01L 39/24

Метки: метастабильных, сверхпроводящих, фаз

...обеспечивающей переход в метастабильную фазу,после чего устанавливают температуру,обеспечивающую заданное время жизниметастабильной фазы, причем изменениевелйчины температуры проводят в течение времени жизни метастабильной фазы,Так как время жизни Г определяется кинетикой процесса фазовых превращений и связано по закону Аррениуса стемпературой (Т) экспоненциальноС"-А(Вт),где А, В - коэффициенты,то, изменяя температуру, время жизниможно увеличивать и управлять его про-должительностью в широких пределах(от долей секунды до десятков и сотенлет), Таким образом, реализуются возможности существенного увеличения времени жизни метастабильных фаз и управления его продолжительностью,Далее в заданное время производятнагрев слоев вьппе...

Номер патента: 698657

Опубликовано: 25.11.1979

Авторы: Домашнев, Сапегина, Троицкий

МПК: B03C 1/021

Метки: компонентов, механической, разделения, сверхпроводящих, смеси

...к меньшим, после чего воздействуют магнитным полем.После перехода в сверхпроводящее состояние отделяемый компонент взаимодействует с магнитньгм полем и выделяет ся иэ смеси. При этом интенсивность вы деления его из смеси тем выше, чем вылФше приложенное поле. В пределе - это критическое магнитное поле отделяемого компонента..П р и ме р . Смесь порошков, содер жащую 100 мг нитрида титана(Тсв 5,2 К), 100 мг нитрида ванадия (Тсд 8,8 К) и 100 мг нитрида ниобия (Тсв 15 К) помещают в одну из камер двухкамерной разделительной ячейки,Заказ 71279 Тираж 681 Подписное ПНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва )К, Раушская наб., д. 4/5Филиал ППП "Патент, г. Ужгород, ул, Проектная, 4 охлаждают до...

Номер патента: 646689

Опубликовано: 23.02.1981

Авторы: Васильев, Динабург, Калинин, Мозалевский

МПК: H01F 27/18, H05H 7/00

Метки: маг-нитов, охлаждения, сверхпроводящих

...следующим обра. зом.Поток сжатого гелия перед входом в каждый сверхпроводящий магнит разде ляют на два параллельных по направлению движения потока, один из которых пропускают по сверхпроводящему магниту и нагревают в нем, а другой пропускают вне сверхпроводящего магнита, вводят в тепловой контакт сф 646689 формула изобретения Составитель Т. КозловаРедактор Г; Прусова Техред Т,Маточка Корректор С. Шомак Эакаэ 536/5 Тираж 900 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР. по делам иэобретенйй н открытий 113035; Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5фнпиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 потоком кипящего гелия и таким образом охлаждают его, затем оба потокасжатого гелия смешивают на выходеиз каждого магнита,При таком способе...

Номер патента: 555818

Опубликовано: 23.10.1981

Авторы: Алфеев, Баранов, Товма, Формозов, Худзинский

МПК: H01F 6/04

Метки: магнитных, охлаждения, сверхпроводящих, систем

...3 малого диаметра,расположенных концентрично на радиусах,соответствующих месторасположениюзазоров между соседними слоями обмотки, которые обеспечиваются с помощьюоплетки сверхпроводника изолирующимматериалом, имеющим достаточно высокую проницаемость для газообразногогелия. На выход герметизированнойобмотки имеется идентично расположенный набор отверстий 4 большего диаметра для отвода гелия, прошедшегообмотку, обратно к компрессору рефрижератора, Подвод энергии к соленоиду З 5осуществляется с помощью вакуумноплотных выводов 5.В динамике при установившемся режиме охлаждение производится следующим образом. 40Газообразный гелий, дросселируясьчерез набор входных микроотверстий,охлаждается и проходит по зазораммежду слоями обмотки,...

Номер патента: 941915

Опубликовано: 07.07.1982

Автор: Дубасов

МПК: G01R 33/12

Метки: магнитах, потерь, сверхпроводящих, энергии

...исследуемого магнита 4,выпрямителя 5, компараторов 6 и 7,электронного умножителя-преобразователя 8, дифференциального усилителя 9, датчика 10 тока - электронных ключей 11, 12 и цифрового индикатора, в виде реверсивного счетцика 13 вВыход индуктивного датчика связан с блоком 2 компенсации, ко второму входу которого подсоединен выход первого дифференциального усилителя 3, входы которого подключе ны к зажимам сверхпроводящего магнита 4, к выходу блока 2 компенсации подключены вход выпрямителя 5, а также входы компараторов 6 и 7, причем выход выпрямителя 5 соединен с 50 одним из входов умножителя-преобразователя 8, другой вход которого связан через дифференциальный усилитель 9 с датчиком О тока, выход умножителя-преобразователя 8...

Номер патента: 770313

Опубликовано: 07.11.1982

Автор: Харинов

МПК: F17C 13/12

Метки: криостат, магнитов, сверхпроводящих

...что криостат снабжен дополнительным предохранительным устройством, выполненным в виде размешенной под крышкой на наружной поверхности сосуда кольцевой камеры,которая сообщенапаров.Также камератеплоизоляцией илоти ением. Э 77031с каналом для отвода может быть снабжена гибким кольцевым уп 3 4увеличив их сечение, что значительноповышает надежность криостата приупрощении конструкции; снизить потерисжиженного газа за счет сбора его паров и за счет снижения теплопритоковчерез стенки криостата.На фиг. 1 показан вариант исполнения:криостата без теплоизоляции камерьп нафиг. 2 - с теплоизоляцией. камеры.Криостат содержит теплоизолированные рсосуд 1 и крышку 2 на которой подвешенисследуемый объект 3 (сверхпроводящиймагнит). Крышка 2 снабжена...

Номер патента: 979803

Опубликовано: 07.12.1982

Авторы: Вишнев, Глебов, Калитин, Новицкий, Сергеев, Чернышев

МПК: F25B 9/00

Метки: машин, охлаждения, сверхпроводящих, электрических

...следующимобразом,Жидкий хладагент в состоянии а (фиг. 2)в регулирующем вентиле 1 дросселируютдо состояния в. Затем хладагент подогревают за счет теплопритока из окружающейсреды в трубе 2 и частично смешивают степлыми парами обратного потока, перетекающими через узел 3 уплотнения. В результате этого паросодержание х потока возрастает до значения в точке с перед входным радиальным каналом 4. Здесь хлад- агент сжимают за счет центробежных сил, неизбежных при работе роторных машин, до состояния д, зависящего от начальной плотности, обусловленной паросодержанием х потока .на входе в радиальный канал 4. Далее хладагент проходит через осевыеканалы 5, расположенные в сверхпроводящей обмотке возбуждения электрического генератора, производя...

Номер патента: 917638

Опубликовано: 15.08.1983

Автор: Самойленко

МПК: G05D 23/30

Метки: криостат, резонаторов, сверхпроводящих

...повышения электрофизических характеристик в последнее время наметилась тенденция к изготовлению сверхпроводящих резонаторов из сверхпроводников с максимально возможной критической температурой (т.е. из тех же материалов, что и магнитный экран в криостате" прототипе), в связи с чем охлаждение . таких резонаторов в,нулевоммагнйтном поле в криостате описанной конструк-. ции уже стайовится невозможным.Целью изобретения является расширение области применения, заключающееся в обеспечении охлаждения в нулевом магнитном поле любых сверхпро" водящих резонаторов вне зависимости от значения критической температуры их материала и повышении экономичности криостата эа сцет снижения стоимости сверхпроводящего магнитного экрана.. Цель...

Номер патента: 1166013

Опубликовано: 07.07.1985

Авторы: Артеменко, Самойленко

МПК: G01R 27/26

Метки: добротности, измеритель, сверхпроводящих, свч-систем

...элемент 12,исследуемуюсверхпроводящую СВЧ-систему 13,Измеритель добротности сверхпрово 25дящих СВЧ-систем работает следующимобразом. В результате смешивания сигналов эталонного генератрра 9 и СВЧ-гене- ЗО ратора 1 в преобразователе 8 частоты выделяется промежуточная частота, лежащая в диапазоне единиц мегагерц, которая затем подается на один из. входов фазового детектора 7. На другой вход фазового детектора 7 подается сигнал от генератора 6 опорной частоты, работающего в режиме внешнего электронного управления частотой, выходного сигнала, В случае равенства частот на обоих входах фазового детектора 7 напряжение на выходе управляющего элемента 12 равно нулю. Если частота СВЧ-генератора 1, например клистрона, по каким-то причинам...

Номер патента: 1557605

Опубликовано: 15.04.1990

Авторы: Ничинский, Самойленко

МПК: H01L 39/24

Метки: резонаторов, сверхпроводящих, свч, стабильности, тепловой

...внутренней поверхности резонатора и температуропроводности материала сте" .нок резонатора, по которым делают вывод о пределах тепловой стабильности исследуемого резонатора и налйчии и местоположении дефектов материала. При этом для построения 20 карты пространственного распределения температуры внутренней поверхности резонатора используют информацию о максимальной амплитуде сигнала с датчика температуры в каждой точ ке измерения, а пространственное распределение температуропроводности . материала СИР строят на основе временной зависимости величины сигнала с датчика температуры в каждой точке измерения .в интервале времени от момента включения СВЧ-генератора до достижения сигналом максимального значения и вычисления коэффициентов...

Номер патента: 1442019

Опубликовано: 23.09.1990

Авторы: Витиня, Закутова, Саратовкина

МПК: H01L 39/24

Метки: сверхпроводящих, свч-устройств

...металла ие более 35 мкм. Это связано с тем, что сверхпроводящие соединения стехиометричес"кого состава обладают значительноболее низкой теплопроводностью прирабочей температуре, чем отдельные металлы например ниобий, КонкретныеР30условия отжига (давление, температура, продолжительность) определяютсясоставом получаемого интерметаллидаи толщиной нанесенного слоя,.Сущность способа состоит н том,Згчто в процессе отжига одновременнос образованием соответствующего интерметаллического соединения на рабочих поверхностях устройства происходит процесс контактно-реактивной,.4 Опайки в местах соединения (шнон) элементов устройства с образованиемтакже сверхпроводящего интерметаллида на этих контактных поверхностях.При этом малая толщина покрытия...

Номер патента: 1675789

Опубликовано: 07.09.1991

Автор: Фенстер

МПК: G01R 19/00, G01R 33/035

Метки: образцов, сверхпроводящих, характеристик

...счетного триггера 50 через элемент И 55 и элемент ИЛИ 58 поступают на счетный вход реверсивного счетчика 61 с частотой, вдвое меньшей, чем частота тактовых импульсов. Момент, когда счетчик 61 переходит в нуль, считают моментом определения критического тока, 3 этот момент из сигнала переноса счетчика 61 формирователем 64 формируется импульс, который пройдя элемент И 62 (необходимый для блокировки возможного переноса в режиме сложения), подается в качестве строба занесения кода счетчика формирователя 1 постоянного тока в регистр 17 (фиг. 4 о), Код из регистра 17 через мультиплексор 12 подается для записи в ОЗУ 15. Этим же сигналом триггер 52 устанавливается в "1" (фиг. 4 к) и разрешает прохождение заданного количества тактовых импульсов на...

Номер патента: 1675809

Опубликовано: 07.09.1991

Авторы: Венгалис, Лауринавичюс, Янкаускас

МПК: G01R 33/035

Метки: бесконтактного, магнитных, образцов, параметров, переходе, сверхпроводящих, фазовом, электрических

...диэлектрической пластины 13,Для описанной последовательно цепи 1 Сй полное ее сопротивлениеЖ Я сь Х(. - Хс),где Хь:-э а(;О 20 зывает изменение магнитной восприимчивости сверхпроводника при фазовом переходе. 30 35 40 50 5 Хс = 1/ ГХС - реактивные сопротивления контура,при резонансе максимально, а ток в цепи и (-(ап(ряжение на реактивных элементах - максимальны. Максимальный ток цепи, напряжение на конденсаторе Ос в последовательном контуре, если вносимое развязывающим трансформатором 6 сопротивление мало, ограничивать сопротивление потерь контура, Изменение напряжения на конденсаторе 7 в условиях фазового перехода определяется потерями измеряемого обьекта(катушки 3 индуктивности с исследуемым сверхпроводящим образцом 14), а изменение...

Номер патента: 1702269

Опубликовано: 30.12.1991

Авторы: Веневцев, Калева, Колганова, Политова, Томашпольский

МПК: G01N 23/227, H01L 39/00

Метки: высокотемпературных, качества, сверхпроводящих

...эоны) проявляется при содержании кислорода, близком к стехиометрии, При потере кислорода происходит изменение в электронной структуре сверхпроводника. заклнчающееся, в частности, в непрерывном ум: ньшении концентрации свободных носителей .- зоне проодмоси с ростом дефицита кислорода. В этом случае независимо от донорн ого или акцепторного типа проводимости число эмиттированных вторичных электронов будет возрастать за счет уменьшения электрон-электронного взаимодейств я, Таким образом, уровень вторичной электронной эмиссии в ВТСП-материалах является функцией степени кислородного дефицита, цто позволяет провести измерения относительного содержания кислорода, Для абсолютных измерений следует применять эталоны.Определим возможность...

Номер патента: 682062

Опубликовано: 07.01.1992

Авторы: Гребцов, Домашнев, Троицкий

МПК: H01L 39/24

Метки: композиционных, сверхпроводящих, тел

...мас,ь,Предлагаемый способ дает следующиепреимущества,Характер распределения дисперсных частиц сверхпроводящего вещества в пластичной матрице, как показывают исследования, существенноне влияет на характеристики сверхпроводимости, что упрощает процессперемешивания исходных веществ, Трехкратного совместного пропускания ис.ходных порошков через сито с.ячейкой 00 мкм достаточно для обеспече-.ния хорошего формования компактовв любой форм с полУчением для данного материала сверхпроводящихСВОЙСТВ2. Большое число частиц высокодисперсного порошка сверхпроводящейФазы в единице объема позволяет получать проводящие компакты при содержании диэлектрического наполнителя, например фторопласта, вплотьдо 80 об,Ф цто упрощает процессыпрессования и...

Номер патента: 569105

Опубликовано: 07.01.1992

Авторы: Берестенко, Гребцов, Домашнев, Лысов, Петров, Троицкий

МПК: C01B 21/06

Метки: нитридов, порошков, сверхпроводящих, тонкодисперсных

...способ полуперсных порошков свнитридов, напримерводородным восстанорида титана в поток ЛУЧЕНИЯ ТОНКОВЕРХПРОВОДЯЦИХ водородное восвание хлоридов котемпературной щ и й с я тем, ия критического ышения темпера- в в сверхпровотановление и и воздействии гнитного поля ц в течение569105 Редактор Е, Курасова Техред А. Кравчук КорректорС,шекмар заказ 787 . Тираж ПодписноеБНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Иосква, Ж, Раушская наб., д, 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г,ужгород, ул. Гагарина, 101 звыделенной из СВЧ-разряда. Полученный нитрид титана представляет собойкристаллы кубической формы, среднийразмер около 500 А, содержание Т 1 И0,98-0,99, Критическая температура54,85...

Номер патента: 1614694

Опубликовано: 07.01.1992

Авторы: Буданов, Гребцова, Гуров, Домашнева, Куркин, Торбова, Троицкий

МПК: H01B 12/00

Метки: высокотемпературных, оксидных, сверхпроводящих, соединений

...0 Облегчает последующю гомОгениэа 5 ю материала и позволяет сократить35 вр мя. термообработки при 9 ООС до, 2-3 ц, получая при этом однОФаэиый св рхпроводящий материал строго задай- ного состава с высокой Однородностью Щ рапределення компонентов и соответстенно с более узким переходом в сврхпроводящее состояние, Значение параметра С, определяющего количест" в Нитрата аммония, ограничено с одИО 5 стороны условием полного раство" рефия оксидов и карбонатов металловр с другой. Стороны - условием предот врфщйния сильнОГО газовыделения с вьюросом смеси из объема реагирования50прв 1 разпожепии Несвязанного избытка : нитРата а 15 мониЯЯрПримеры конкретной реализации спо со 1 а, П р н и е.р 1; Состав исходной сме55 " Сн ОКСИДОВ И...

Номер патента: 1728307

Опубликовано: 23.04.1992

Авторы: Ипатов, Рычагов, Свалов, Сытников, Томенко, Трубицына

МПК: C23C 16/40, C25D 11/02, C25D 3/38 ...

Метки: керамических, купратов, перовскитной, покрытий, сверхпроводящих, структурой, типа

...термически неустойчивые соли висмута, кальция и стронция, а термодиффузионный отжиг проводят при 780 - 850 С,Окисный слой на изделиях с покрытиями из меди или сплавов меди получают электро- химическим оксидированием в щелочном электролите 800 - 1200 г/л КОН при 110 - 140 С и плотности тока 0,2 - 5,0 А/дм, что позволяет сформировать объемно развитую ориентированную преимущественно в перпендикулярном поверхности направлении структуру. Оксидное покрытие пропитывают раствором или расплавом солей металлов, дополняющих состав купратов.Для этого берут неорганические или органические соединения элементов И - Ч групп, разлагающиеся с образованием оксидов и карбонатов при температурах до 600 С.В частности могут быть использованы нитраты,...

Номер патента: 1730576

Опубликовано: 30.04.1992

Авторы: Дубровина, Каменцев, Лугинин, Позднякова

МПК: G01N 27/26, G01N 31/16

Метки: активного, высокотемпературных, кислорода, материалах, медьсодержащих, сверхпроводящих

...неудобства в работе. Способ осуществляют следующим образом.В ячейку установки для потенциометрического титрования, снабженную герметичной крышкой с вставленными в нее индикаторным платиновым и вспомогательным хлорсеребряным электродами, газовводной и газоотводной трубками и кончиком бюретки, помещают 20 мл 4 М (1;2) соляной кислоты, стержень магнитной мешалки и, закрыв ячейку крышкой, пропускают в течение 10 мин ток углекислого газа для вытеснения воздуха из ячейки, а также растворенного кислорода из раствора соляной кислоты. Не прерывая ток углекислого газа, в ячейку вводят пипеткой (или из бюретки) точно отмеренный объем 0,1 И раствора хлорида титана (11) в 4 М соляной кислоте, например, 20 - 25 мл. Вслед за этим в раствор вносят...

Номер патента: 1735682

Опубликовано: 23.05.1992

Авторы: Алексеев, Андреев, Дробченко, Духанин, Морковкин

МПК: F17C 3/02, F25D 3/10

Метки: исследования, криостат, сверхпроводящих

...например фторопласта, Криостат имеет устройство 9 для откачки газа /например, вакуумный насос/, сообщенное трубопроводом 10 с полостью канала 4, Дополнительно криостат снабжен трубопроводом 11 подачи жидкого криоагента в сосуд 2, трубопроводом 12 для выведения паров криоагента, обмоткой 13 сверхпроводящего магнита, обеспечивающей возможность испытания образца 6 в магнитном поле при низких температурах и диагностическими проводами 14 от исследуемого образца 6 сверхпроводящего материала, выведенными наружучерез штангу 7, Точное регулирование положения исследуемого образца 6 внутри сосуда 2 в неоднородном по величине напряженности , магнитном поле обмотки 13 обеспечивается за счет подвижности штанги 7 и ее соосности каналу 4 и...

Номер патента: 1767541

Опубликовано: 07.10.1992

Авторы: Логинов, Шумилин

МПК: H01B 12/00

Метки: высокотемпературных, полых, сверхпроводящих, типа

...габаритах и сложных формах,Слой полибутилметакрилата может быть нанесен намазкой, пульверизацией или каким-либо другим методом,Второй - защитный слой содержит более 80 об.)ь оксида циркония, Количество оксида циркония определяется следующим. При содержании менее 80% происходит перегрев нижнего слоя до температуры кипения полибутилметакрилата, в результате чего начинается интенсивное газовыделение, приводящее к образованию трещин в покрытии из материала У-Ва-Св-О. Количество оксида циркония на поверхности оправки желательно иметь 100 об.%.как идеальный вариант, что невозможно. Поэтому оптимальным вариантом является содержание оксида циркония в количестве более 80 об.% и, чем больше приближено к 100 об,%, тем лучше. При концентрации в...

Номер патента: 1575856

Опубликовано: 30.11.1992

Авторы: Котелянский, Лузанов, Магомедов

МПК: H01L 39/12, H01L 39/24

Метки: оксидных, пленок, сверхпроводящих

...соотношений плотностей потоков этих компонент.П р и м е р 1. Пленку оксидного материала с высокотемпературной сверхпроводимостью У 1 Ва 2 СизОт-х с температурой Тф структурного фазового перехода в кристал лическую фазу, обладающую высокотемпературной сверхпроводимостью Тф= 1023 К, наносят на подложку из фианита. Для этого откачивают рабочий обаем вакуумной установки электронно-лучевого распыления до 45 предельного вакуума 2 10 Па, нагреваютподложку до температуры 1020 К Тф, включают источник потока ионов кислорода и устанавливают режим его работы, обеспечивающий получение плотности потока 1015 50 ионов см 2 с и энергией 50-150 эВ, направленного в зону осаждения, Включают электронно-лучевые источники распыления, с помощью которых получают...

Номер патента: 1589690

Опубликовано: 30.11.1992

Авторы: Зосим, Пузиков, Семенов

МПК: C30B 23/02, C30B 29/22

Метки: высокотемпературных, пленок, сверхпроводящих

...6 высокотемпературной сверхпроводящей керамики УВа 2 Соз 07-х размером частиц 1-5 мкм под1589690 ают со скоростью 50 мкг/мин на испаритель3 вдоль поверхности на расстоянии 1-2 ммперпендикулярно потоку 7 испаряемого вещества, Поток бесконтактно испаренногопорошка в течение 4 мин осаждают на подложку 5, выполненную в виде диска диаметром 15 мм из мо окристалла ЯгТ 10 з,расположенную на расстоянии 3 см от испарителя и нагретую до 300 С. Охлаждение докомнатной температуры подложки с пленкой проводят естественным путем,В результате без дополнительного отжига получают высокотемпературнуюсверхпроводящую пленку УВа 2 Сцз 07-х диаметром 15 мм и толщиной 0,8 мкм. Поверхность пленки является зеркально гладкой ине содержит включений других...

Номер патента: 1805362

Опубликовано: 30.03.1993

Автор: Ермолаева

МПК: G01N 24/00

Метки: анализа, сверхпроводящих

...кривой устанавливают характеристики СП-состояния в материале.П р и м е р 1, Исследовали сверхпроводимость образца иттриевой керамики, проявившей СП-свойства по даннымизмерений проводимости по постоянному 10 току. Параметры СП-состояния Те=92 К, ЬТ=1 К. Объем порошка керамики 4,2+0,001 мм поместили в ампулу из молибденового стекла (диаметр ампулы 0=2,74+0,01 мм) и установили ампулу в сосуде со сжиженным.азотом (77 К) в пуч ность магнитного поля СВЧ-резонатора, центрируя ось ампулы по оси резонатора. Возбудили резонатор на частоте прецессии квазисвободного электронного спина (9,26 ГГц), скорость развертки электромагнитно го поля 2 см/с. Измеряли мощность сигнала, прошедшего резонатор с образцом, Результаты измерений приведены на чертеже...

Номер патента: 1610801

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Дубовик, Космына, Семиноженко

МПК: C04B 35/00

Метки: пленок, сверхпроводящих

...суспензию с взвесью мелкой фракции в исходный бюкс, После отстаивания суспензии в течение 3 ч раствор сливают, а мелкую фракцию ВТСП просушивают, Размер зерна такой фракции б - 1 - 5 мкм.Рассчитывают навеску мелкой фракции В 1-ВТСП и А 9202 по формуле, например, для состава В 25 г 2,БСаолСц 20 з (В 2-ВТСП): (1- х)ВЫг 2,БСаоБСО 20 в + хА 902 (В 123 г 2,БСао,5 Сц 20 в)1- х (А 9202)х при опреде;,1610801 Формула изобретения Свойства сверх проводящих пленок, полученных по заявленному способу и поспособу-прототипу,Способ (пример) Температ. обх ига, С Скорость Скоростьнагрева оклажд град/ч град/ч Соле рж;наполнит,АггО г,мас. % Время выдержки, мин Ха акте истика пленок Тс ТС) 1 К микротвердость,ГПаСпособ прототип (поткжкя моно. 11 ет Нет...