Патенты с меткой «фотосимистор»

Номер патента: 435745

Опубликовано: 07.02.1985

Авторы: Думаневич, Евсеев

МПК: H01L 31/00

Метки: фотосимистор

...световой 15 сигнал подают на периферийные участки в месте выхода р-п-переходов на поверхность.Цель изобретения - упрощение управления прибором с помощью светово го потока.Предложенный фотосимистор отличается тем, что проекции внешних слоев электронного типа проводимости на нижнюю или верхнюю поверхность пластины перекрываются в области освещаемого участка структуры. На фиг, 1 показан предложенный фотосимистор, разрез по области управ ленни; на фиг. 2: а, б - то же, внд сверху и снизу соответственно; в - разрез по А-А.Фотосимистор содержит слой 1 исходного материала электронного типа проводимости с низкой концентрацией примеси, слои 2,3 полупроводника дырочного типа; слои 4,5; сильнолегированного полупроводника электронного типа,...

Номер патента: 898905

Опубликовано: 27.02.1996

Авторы: Белая, Дудченко, Думаневич, Евсеев, Тетерьвова

МПК: H01L 31/111

Метки: фотосимистор

1. ФОТОСИМИСТОР на основе многослойной структуры, например, n-p-n-p-n типа, содержащий зашунтированные внешние n-эмиттерные слои, контакты основного токосъема, дополнительные n-эмиттерные области, частично металлизированные, участок базы, управляемый световым потоком, по крайней мере, с одной стороны структуры, отличающийся тем, что, с целью повышения стойкости прибора к высоким скоростям нарастания анодного напряжения в режиме коммутации и повышения чувствительности к оптическому сигналу управления, проекция внутреннего контура металлизации по крайней мере одной дополнительной n-эмиттерной области на поверхность структуры хотя бы частично совпадает с границей внешнего n-эмиттерного слоя.2. Фотосимистор по п.1, отличающийся тем, что,...