Патенты с меткой «микродефектов»

Номер патента: 519795

Опубликовано: 30.06.1976

Авторы: Осинский, Полякова, Тарасевич, Чечера

МПК: H01L 21/66

Метки: глубины, залегания, микродефектов, микрослоев

...сечение образца путем окола по плоскости епа 11 ности, среза,или изготовления перпендикулярного или наклонного шлифа. Метод получения поперечного сечения определяется видом материала (хрупкий, пластичный) и целью, проводимого исследования (глубина залегания, характер разрушения и т, д,). На 1 пример, для исследования глубины нарушенного слоя пластин кремния делают скол по плоскости спайности. Если есть необходимость исследования микронеоднородностей и других дефектов, на плоскости поперечного сечения выявляюг микрорельеф.Далее наносят реплики одновременно на поперечное сечение и боковые стороны образца таким образом, чтобы она покрывала поперечное сечение и часть боковых сторон. Затем отделяют реплики от образца с последующим...

Номер патента: 585564

Опубликовано: 25.12.1977

Авторы: Авраменко, Веселовская, Данковский

МПК: H01L 21/306

Метки: выявления, кремнии, микродефектов, монокристалическом

...занимающихся производством кремниевых монокристаллов,В полупроводниковой промышленности требуются кремниевые бездислокационные моно- кристаллы, не содержащие микродефектов типа кластеров из-за отрицательного влияния кластеров на электрические и другие характеристики полупроводниковых приборов,несколько способов выявления путем травления кристаллов в вой кислотыи раствора хромово- в воде, отличающихся некотом объемов составных частей этих выявления микродефектов ом кремнии, включающий ку образцов в закрытом м растворе, содержащемкислоту и водный расидрида с концентрацией л, взятых в соотношении585564 Формула изобретения Составитель Н. ХлебниковТехред О. Луговая Корректор Ц. Макаревич Тираж 976 Подписное Редактор Е. Гончар Заказ 5058/43...

Номер патента: 653549

Опубликовано: 25.03.1979

Авторы: Королев, Савельев, Слетков, Финкель

МПК: G01N 25/02

Метки: быстроразвивающихся, исследования, микродефектов, низких, твердых, телах, температурах

...этого образец охлаждают протекающим слоем прозрачного хладагентав атмосфере окружающей среды, а исследуемую поверхность образца непосредственно перед киносъемкой обдуваютпотоком сжатого воздуха.Сущность способа поясняется чертежом.Образец 1 полированной поверхностью устанавливают перед объективомкинокамеры 2 и охлаждают с обеих сторон слоем 3 протекающей прозрачнойжидкости, (например, жидким азотом,охлажденным спиртом и др.) . За нес. Составител Техред З.Ф р Т, Иванов аз 1281/ 089о комитета СССРи открытийушская наб., д. 4/5 Тираж ударственно изобретений ва, Ж, Р Подписно ЦНИИПИ по дел113035, М Филиал ППП Патент, г, ужгород, ул. Проектн колько секунд до киносъемки регистрируемую поверхность обдувают потоком сжатого воздуха 4 и освещают...

Номер патента: 688857

Опубликовано: 30.09.1979

Авторы: Полякова, Прохоров, Тарасевич, Точицкий, Чечера

МПК: G01N 1/36, H01L 21/66

Метки: глубины, залегания, микродефектов, микрослоев

...получают путем скола излома или среза, а также изготовлением перпендикулярного или наклонного шлифа. Далее измеряют профиль поперечного сечения, например излома, на электронном микроскопе или с помощью других специальных устройств. Затем наносят реплику одновременно на поперечное сечение и боковые стороны образца. Укб 118857 Формула изобретения Составитель А. Хачатурян Техред Т. Писакииа Корректор В. Дод Редактор А. Соловьева Заказ 210210 Изд. Ме 550 Тираж 1090 Подписное НПО Поиск Государственного комитета ГССР по делам изооретепий и открытий 113035, Москва, К.35, Расписка; наб., л. 45Типография, пр. Сапунова, 2 репляют реплику, например ультрафиолетовым облучением, и снимают ее с образца с разворотом в одну плоскость. Далее...

Номер патента: 834487

Опубликовано: 30.05.1981

Авторы: Агафонов, Бологов, Волков

МПК: G01N 27/02

Метки: изделиях, металличес-ких, микродефектов, момента, обра-зования

...существенно влияет уровень предшествующей, пластической деформации металла, дос" тигнутый при изготовлении гиба,ЗО Цель изобретения - испытание гнутых труб,. Указанная цель достигается тем,что одновременно измеряют электрическое сопротивление в зоне растянутых исжатых волокон, а о моменте образования микродефектов судят по разности измеренных значений.Измерения в зоне сжатых волоконхарактеризуют влияние на электрическое сопротивление исходного структурного состояния металла и предшествующей пластической деформации,а в зоне растянутых волокон - исходного структурного состояния металла,:предшествующей пластической деформации и микродефектов. Сопоставление впроцессе испытаний или эксплуатацииизмеренных значений электрическогосопротивления...

Номер патента: 1341564

Опубликовано: 30.09.1987

Авторы: Бологов, Волков, Крахмалев

МПК: G01N 27/20

Метки: микродефектов, момента, образования

...На чертеже схематически изображено распределение электрического сопротивления (К) в зоне растянутых (Р), сжатых (С) и нейтральных (Н) 15 волокон,Для сечения гнутого участка трубы распределение К имеет нерегулярный экстремальный характер.Способ определения момента обра- б зования микродефектов в гнутых участках металлических труб заключается в следующем, Измеряют электрическое сопротивление по всему периметру гнутогоучастка трубы и одновременно в зонерастянутых нейтральных и сжатых воло -кон. Дпя получения экстремальных значений измеряемой величины необходимоосуществлять измерения по всему се- дбчению трубы. Неучет этого Факта приводит к существенной ошибке в оценкеи снижает достоверность способа определения момента образования...

Номер патента: 1322796

Опубликовано: 23.05.1988

Авторы: Инденбом, Каганер

МПК: G01N 23/20

Метки: микродефектов, монокристаллах

...в объеме, исследуемого монокристалла , а именно их концентрации, типа н размеров. Способ реализуется нв двухкристальнойрентгенотопбграфической установке.Исследуемый монокристалл облуМаютпучком рентгеновских лучей, коллимироввнным при асимметричном отрааенииот кристалла-монохромвтора. Монокристалл отклоняют от полоаения, соответствующего максимуму кривой отрмения,на угол 1 у60/Е 2 (е+2 Й)-1 ф,где 6 9 - полуаиринв динамическойкривой отрааения исследуемого крас .талла; й - толцина кристалла; Еглубина рвсполоаения исследуеваюх дефектов. Такое отклонение кристаллапозволяет осуществить интерфереицивроаденных при рассеянии нв дефектеволн с опорными волнами идеальногокристалла и получить интерфереиционное изобравение дефекта. 1 ил.1322796...

Номер патента: 1322797

Опубликовано: 23.05.1988

Авторы: Инденбом, Каганер, Кушнир

МПК: G01N 23/20

Метки: микродефектов, монокристаллах

...перекачиваясь иэ одной волны в другую и обратно по мере распространения волн вглубь кРисталла (маятниковые колебвння интенсивности). Поэтому 45 диффузная составляющая в дифрагироввнном пучке, определяемая рассеянием проходящей волны на дефектах исследуемого кристалла и регистрируемая после отражения от кристалла-ана лнэвторв 4 детектором 5, уменьшается, Недостающая часть интенсивности определяется рассеянием дифрвгированной волан в диффузную составляющую прохщящего пучка н регистрируется после 55 отвааения от кристалла-анализатора 4 детектором 6. Вращение исследуемого рнствлла 3 и криствлла-анализатора 4 позволяет исследовать распределение 97 2 нн г нспнногти диффуэно рас еянх вол д зависимости от величины и напрал ння переданного...

Номер патента: 1472659

Опубликовано: 15.04.1989

Авторы: Абдрахимов, Беляев, Траскин

МПК: E21B 49/00

Метки: выявления, горных, микродефектов, породах

...оптимальную концентрацию, при которой происходит эффективное взаимодействие между серной кислотой и сульфидом щелочного металла. Концентрация мень ше 10% недостаточна для эффективного взаимодействия этих реагентов, концентрация больше 15% вызывает растворение эмульсионного слоя фотопластинки. 25Способ осуществляют следующим образом.Образец горной породы прошлифовывают с одной стороны, затем опускают в концентрированный раствор сульфида щелочного металла (К Б или Иа Я) и насыщают его в вакууме (-0,6 ати) в течение 0,5 ч. После насьпцения излишки сульфида стирают хлопчатобумажной тканью, смоченной35 ацетоном, с исследуемой поверхности. Затем образец прикладывают прошлифованной поверхностью к засвеченной Фотопластинке...

Номер патента: 1497277

Опубликовано: 30.07.1989

Авторы: Гегечкори, Зембахидзе, Самхарадзе

МПК: C23D 13/00

Метки: микродефектов, покрытиях, устранения

...оборудование эксплуатируется в качестве теплообменников электрохимических генераторов тока под потенциалом до 100 В.П р и м е р 1, Трубы из нержавеющей стали марки 12 Х 18 Н 10 Т, покрытые 50 эмалью состава, мас.Е: ЯО 42; ВОз 9,8; А 1.0 э 8,8; КО 1,1; НаО 13,5;ЬО 3; СаО 0,83; ГеОз 0,11; ТхО 55 15,65; РрО 1,3; ИоО 3,9, темперао тура онравпеций которой 750-780 С,пируют погружением изделия в исходныйраствор и пропусканием электрического тока, В том случае, если величинаэлектросопротивления не отвечает требуемой, процедуру погружения изделия 40в раствор и его последующую термообпредварительно изолировав с одногоконца с помощью резинового кольца ипробки, поочередно погружают в раствор в вертикальном положении так,чтобы их...

Номер патента: 1659806

Опубликовано: 30.06.1991

Авторы: Исода, Каушинис, Паленис, Эйтутис

МПК: G01N 21/88

Метки: движущейся, микродефектов, обнаружения, поверхности, светоотражающей

...световода 7 - с приемником 5, Два других торца световодов б, 7 с микролинзами 8, 9 закреплены на конце пластинки 1 под углом к ней таким образом, что точка пересечения их оптических осей 10, 11 расположена в плоскости исследуемой поверхности 12 (фиг.2), На противоположной поверхности пластинки 1, обращенной к исследуемой поверхности, нанесено металлическое покрытие 13 напротив торцов с микролинзами, образующее обкладку емкостного датчика. Устройство содержит также блок 14 управления (фиг.4), привод 15 исследуемого диска, усилитель 16 сигнала емкостного датчика, блок 17 обработкиизмерительной информации и регистраторУстройство работает следующим образом.По управляющему каналу "Упр" на блок вводит устройство между дисками в пакет...

Номер патента: 1763885

Опубликовано: 23.09.1992

Автор: Смирнов

МПК: G01B 11/30

Метки: микродефектов, поверхности

...излучения, диафрагму 3, четвертьволновую фазовую пластинку 4, установленную так, что ее оптическая ось составляет с плоскостью поляризации излучения угол, равный 45, фокусирующий объектив 5, сферическую фотоматрицу 6, фотодачики 7 и 8 с диафрагмами 9 и 10 и ослабителями интенсивности 11 и 12, На чертеже также показаны контролируемая поверхность 13, полярные, углы между нормалью к поверхности 13 и направлениями отражения к краю объектива 5 и к центрам первого и 1-го фотодатчиков матрицы 6 соответственно 60, 01, й, приращение Ьд полярного угла, соответствующее двум соседним фотодатчикам матрицы б, расположенным в одной плоскости наблюдения, диаметры диафрагм 3, 9, 10 и входного окна фотодатчика12 д)41 И, 240где Л К =(27 г/Л) з 1 п О-...

Номер патента: 1364142

Опубликовано: 15.07.1994

Авторы: Енишерлова-Вельяшева, Иноземцев, Русак

МПК: H01L 21/306

Метки: iii», выявления, кремния, микродефектов, ориентацией

СПОСОБ ВЫЯВЛЕНИЯ МИКРОДЕФЕКТОВ КРЕМНИЯ С ОРИЕНТАЦИЕЙ (III), включающий травление в кипящем травителе, содержащем фтористый водород, хромовый ангидрид и воду, отличающийся тем, что, с целью расширения технологических возможностей способа в части выявления микродефектов типа кластеров точечных дефектов, преципитатов, деслокационных петель в приповерхностных слоях кремниевых пластин глубиной до 10 мкм и эпитаксиальных структур с ориентацией (III), травление проводят при следующем количественном соотношении компонентов травителя, мас.%:Фтористый водород 1 - 2Хромовый ангидрид 1 - 10Вода 88 - 98причем время травления составляет от 2 до 5 мин.

Номер патента: 659018

Опубликовано: 10.02.1996

Авторы: Казаков, Лизин, Преображенский

МПК: H01L 21/66

Метки: микродефектов, пленках, прозрачных

СПОСОБ КОНТРОЛЯ МИКРОДЕФЕКТОВ В ПРОЗРАЧНЫХ ПЛЕНКАХ, основанный на ионно-плазменном распылении, включающий создание плазмы, бомбардировку пленки положительными ионами плазмы и наблюдение микродефектов, отличающийся тем, что, с целью повышения достоверности контроля, в постоянном электрическом поле ведут ионно-плазменное распыление диэлектрика, а о наличии микродефектов судят по появлению вокруг них цветовых ореолов.

Номер патента: 1658763

Опубликовано: 20.12.2005

Авторы: Казаков, Морозов, Скудра

МПК: H01J 9/26

Метки: герметизации, капиллярных, микродефектов, оболочки, прибора, электровакуумного

Способ герметизации капиллярных микродефектов оболочки электровакуумного прибора, включающий размещение оболочки электровакуумного прибора в герметичной камере, наполнение камеры парами герметизирующего вещества, конденсацию паров герметизирующего вещества на оболочке электровакуумного прибора до образования сплошного слоя, нагревание до температуры полимеризации герметизирующего вещества, выдержку и охлаждение, отличающийся тем, что, с целью повышения герметичности, наполнение камеры осуществляют пересыщенным паром герметизирующего вещества, а толщину слоя герметизирующего вещества h (м) выбирают из выражения 5·10-5

Номер патента: 1355033

Опубликовано: 20.12.2005

Авторы: Бобров, Казаков, Морозов, Скудра, Соболев, Трегуб, Чураев

МПК: H01J 9/26

Метки: герметизации, капиллярных, микродефектов, оболочки, прибора, электровакуумного

Способ герметизации капиллярных микродефектов оболочки электровакуумного прибора, включающий выдержку оболочки в вакуумной камере, заполненной парами герметика, до заполнения им капиллярных микродефектов оболочки и прогрев при температуре полимеризации герметика, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности герметизации путем более полного заполнения капиллярных микродефектов герметиком при одновременном уменьшении степени покрытия поверхности оболочки герметиком, предварительно производят оценку эффективности радиуса r эфф капиллярных микродефектов, нагревают оболочку электровакуумного прибора до температуры Т0, выбранной из выражения Т0 < мин...