H01L 31/111 — характеризуемые наличием трех потенциальных барьеров, например фототиристоры

Номер патента: 237269

Опубликовано: 25.05.1974

Авторы: Думаневич, Курцин, Челноков

МПК: H01L 31/111

Метки: 237269

...4, например, конусообразной формы.Металлические электроды 1 и 2 соединенысо структурой сплавами, обеспечивающими 5 хороший омический и электрический контакт.Верхний контакт имеет одно или несколькоотверстий (форма отверстий может быть различная - круг, звезда, прямоугольник и т. д.) для доступа свегового потока на различные 10 у частки полупроводниковой структуры. Отразмеров, формы и количества отверстий зависят параметры прибора.Скорость поглощения света экспоненциально умсньшается с глубиной проникновения, 15 величина фототока определяется расстояниеммежду ближайшими р - а переходом и местом генерации носителей. В связи с этим для повышения световой чувствительности структуры необходимо сокращать расстояние меж ду поверхностью...

Номер патента: 246682

Опубликовано: 25.05.1974

Авторы: Думаневич, Курцин, Павлик, Савкин, Челноков

МПК: H01L 29/74, H01L 31/111

Метки: 246682

...неравномерности будет зависеть от величины продольного сопротивления базового слоя. Увеличение продольного сопротивления базового слоя приводит к повышению максимального значения плотности тока по структуре, что способствует более быстрому достижению условий, необходимых для переключения структуры,246682 Иеоюбой ооглок тщаппическцйконтаит юлией пегиенлод фиг В предлагаемой конструкции фототиристора вокруг освещаемого пятна в базе создается участок с повышенным продольным сопротивлением, Этот участок может быть получен за счет более низкого уровня легирования части базового слоя (фиг. 1), а также уменьшения ширины базового слоя при ступенчатой форме эмиттер ного или коллекторного перехода (фиг. 3), получаемых, например, с помощью...

Номер патента: 793421

Опубликовано: 30.12.1980

Авторы: Патрик, Роланд

МПК: H01L 29/74, H01L 31/111

Метки: фототиристор

...1 и области 9,Р -области 11 и п 1-зоны 1 и области+9 имеют, например, глубину проникновения 15 мкм. Ширина полос 3 составляет, например, 3 мм, диаметр кольца 11, например, 4 мм, ширина отверстия;8, например, 1 мм, диаметр круглой выемки в эмиттерной зоне 1, например, 5,5 мм, Длина всего тиристора составляет, например, 14 мм, Шунты 14 эмиттера имеют, например, среднее расстояние друг от друга 1-2 мм и известным образом распределены по всему катодуС,Рассчитанный .таким образом эле мент блокирует напряжение, например, 4,5 кВ и может, например, при 1 кВ прямого блокирующего напряжения зажигаться посредством СаА 5 - светоизлучающего диода (950 нм) световой 45 мощностью в 5 мВт. Критическая кру-. гизна напряжения дО /ДЪ при комнатной...

Номер патента: 898905

Опубликовано: 27.02.1996

Авторы: Белая, Дудченко, Думаневич, Евсеев, Тетерьвова

МПК: H01L 31/111

Метки: фотосимистор

1. ФОТОСИМИСТОР на основе многослойной структуры, например, n-p-n-p-n типа, содержащий зашунтированные внешние n-эмиттерные слои, контакты основного токосъема, дополнительные n-эмиттерные области, частично металлизированные, участок базы, управляемый световым потоком, по крайней мере, с одной стороны структуры, отличающийся тем, что, с целью повышения стойкости прибора к высоким скоростям нарастания анодного напряжения в режиме коммутации и повышения чувствительности к оптическому сигналу управления, проекция внутреннего контура металлизации по крайней мере одной дополнительной n-эмиттерной области на поверхность структуры хотя бы частично совпадает с границей внешнего n-эмиттерного слоя.2. Фотосимистор по п.1, отличающийся тем, что,...