Тетерьвова

Номер патента: 1373248

Опубликовано: 10.03.1996

Авторы: Думаневич, Евсеев, Рачинский, Тетерьвова

МПК: H01L 29/747

Метки: симистор

1. СИМИСТОР, содержащий n-p-n-p-n-структуру с контактами к основным n- и p-эмиттерным слоям и к области управления, в котором проекции n-эмиттерных слоев на противоположных поверхностях структуры за пределами области управления не перекрываются, область p-типа управления, расположенная на верхней поверхности, охвачена частично областью n-типа управления, проекция которой попадает на n-эмиттерный слой, расположенный на нижней поверхности, отличающийся тем, что, с целью управления напряжением переключения в любом направлении током одного порядка, повышения динамических параметров и рабочей температуры, часть n-эмиттерного слоя, расположенная на нижней поверхности под областью управления, проекционно связана и повторяет форму области n-типа...

Номер патента: 898905

Опубликовано: 27.02.1996

Авторы: Белая, Дудченко, Думаневич, Евсеев, Тетерьвова

МПК: H01L 31/111

Метки: фотосимистор

1. ФОТОСИМИСТОР на основе многослойной структуры, например, n-p-n-p-n типа, содержащий зашунтированные внешние n-эмиттерные слои, контакты основного токосъема, дополнительные n-эмиттерные области, частично металлизированные, участок базы, управляемый световым потоком, по крайней мере, с одной стороны структуры, отличающийся тем, что, с целью повышения стойкости прибора к высоким скоростям нарастания анодного напряжения в режиме коммутации и повышения чувствительности к оптическому сигналу управления, проекция внутреннего контура металлизации по крайней мере одной дополнительной n-эмиттерной области на поверхность структуры хотя бы частично совпадает с границей внешнего n-эмиттерного слоя.2. Фотосимистор по п.1, отличающийся тем, что,...

Номер патента: 526243

Опубликовано: 07.10.1980

Авторы: Думаневич, Евсеев, Рачинский, Тетерьвова

МПК: H01L 29/74

Метки: переключатель, полупроводниковый, трехэлектронный

...затем тиристор с областью 5 и, наконец, главный тиристор с областью 3. Фиг, 5 поясняет работу симистора в третьем квадранте. Инжекцией электронов с области 9 обеспечивается первоначально включение тиристора с катодной областью 6, затем начинает ивкектировать область 5 и включается главный тиристор с катодной областью 8. В данном случае оптимальный режим работы устройства обеспечивается при условии, когда проекции области 9 и 6, а также 5 и 8 хотя бы частично перекрываются.фиг. 6 поясняет работу симистора в четвертом квадранте. Область 10 во вспомагательной дырочпой области служит для уменьшения токов управления, Область первоначального включения в данном случае возникает в тиристоре с областью 6 благодаря инжекции области 10...