Способ создания разделительных областей в интегральных схемах

(5 ц 5 Н 01 Ь. 21/ ИТЕТРЫТИЯМ ГОСУДАРСТВЕННЫПО ИЗОБРЕТЕНИЯМПРИ ГКНТ СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ(5) (57) спосоБ с НИХ ОБЛАСТЕИ В ИН включающии операц пассивацйи указан кой нитрида кремн щ и й с я тем, ч щения технологии ни интеграцйи, пе ки нитрида кремния внедрение в окисе групп периодическ зой 10 - 51 Р "6 см превышающую полов Калин Федчен иблик. 1970 8 1153162, ер. 3, 197. ла. проводника, над которыми расположены питающие проводники.Для исключения паразитных проводящих каналов ИДП-интегральные схемы изготавливают таким образом., чтобы пороговое напряжение образования инверсионного проводящего канала в раз" деляющих полевые транзисторы областях было больше потенциалов всех соединительных проводников, проходя" щих по изолирующему слое над этими областями.Известен способ создания разделительных областей, включающий операцию ормирования толстого слоядиэлектрика.При увеличении тохвины диэлектрика уменьшается величина электрического поля, действующего на носители тока в полупроводнике под соединительными проводниками,(21) 262309 М 25(56) Патент ВеликобританиГ 1203298,. кл. Н 1 К, опуПатент Великобританиикл. Н 1 К, опублик. 1969.Электронная техника, свып. 6, с. 93.; Изобретение относится к электронной технике, в частности к технологии изготовления кремниевых интег" ральных схем на основе полевых транзисторов со структурой металл-диэлектрик-.полупроводник (МЛП).При проектировании и изготовлении ИДП-интегральных схем одной из важнейших проблем является создание изоляции отдельных составляющих схему полевых транзисторов друг от друга для иСключения, нарущающих работу схемы, утечек между транзисторами. Появлениеутечек в МДП-интегральных схемах обусловлено образованием паразитных проводящих каналов между транзисторами за счет емкости связи между соединительными провод" никами, подводящими питание к полевым транзисторам, и расположенными между транзисторами областями полу 2ОЗДАНИЯ РАРДЕЛИТЕЛ ТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМАХ, ии окисления и ных областей пления, о т л и ч а юто, с целью упрои повышения степеред нанесением пле производят ионное л элементов 111 или Ч ой системы с до-"з на глубину, не ину толщины окисРедактор О. Рркова Техред М.Иоргеятап КорректоР Н.шешеля Заказ 2821 Тираж ГодписноеВНИИПИ Государственного комитета по. изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж-З 5, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул, Гагарина,101 704466ления при 1100 оС до толщины 0,8 мки. Распределения ионов проникал глубже,Облучение слоя окисла производят иона- чеи на половину толцины слоя БхОии бора с энергией 50 кэр или фосфо- Приведенные данные типичны, анара с энергией 150 кэВ, Дозу облуче логичные результаты получены и дляния изменяли оТ 10до 8 10 си-," других ионов 111 и 7 групп: алюминия1 ЭПосле облучения наносили последова- азота, мышьяка, сурьиы, индия.тельно слой нитрида кремния толщиной Предлагаемый способ позволяет700 Д методом газотранспортных реак- устранить Физические и технологйчесций при 870 С и алюминиевые контак О .кие ограничения, .характерные дляты,. " известного способа, ДействительноУ изготовленных таким образом . способ прост в практическом осуществпЛП-структур измеряют пороговое нап- лении, поскольку не требует проведеряжение инверсии йроводииости и срав- ния каких-либо дополнительных пренивают его с пороговым напряжением 15 цизионных операций (ФотолитограФия,необлученных ионами структур, селективное травление). Способ позвоИинимальная доза внедрения ионов, ляет полностью исключить паразитныеобеспечивающая увеличение порогово-утечки в ИДП интегральных схемах,го напряжения разделительных облас"поскольку обеспечивает получение вы тей до значений, сравнимых с прототи соких пороговых напряжений (50 пом (-30 В), составляет ,10+ 40 В) в разделительных областях лю+1,106 си- . Пределы дозы облучения бой конфигурации и размеров, что суобусловлены теи, что при дальнейшем щественно упрощает технологию инее увеличении выше 5,10 смухуд-тегральных схем и позволяет повысить(6шаются диэлектрические Овойства 810 25 плотность компоновки элементов схемы(появление утечек), а при уменьшении в 1,2 Рдза за счет полезного испольниже 1,10 см 2 появляется паразит- зования той площади Разделительныхный полевой эФфект (утечка между . областей, которая в известнои сподвумя МЛП-транзисторами). Аналогич- . собе затрачивалась для изготовленияный эфФект деградации 810 наблюдал- Зд Ч-канавок (до 10-15 Ф от всей площадися и в тои случае, когда проФиль кристалла схемы),