Кисель
Способ изготовления элементов интегральных схем
Номер патента: 1598707
Опубликовано: 20.01.2008
Авторы: Довнар, Кисель, Красницкий, Турцевич, Цыбулько
МПК: G03F 7/26, H01L 21/312
Метки: интегральных, схем, элементов
Способ изготовления элементов интегральных схем, включающий формирование на подложке функционального слоя, формирование на нем фоторезистивной маски, сухое травление функционального слоя через маску, удаление фоторезистивной маски, осаждение слоя планаризующего материала и его анизотропное травление до полного вскрытия планарной поверхности функционального слоя, отличающийся тем, что, с целью повышения качества элементов интегральных схем за счет снижения их дефектности, перед формированием фоторезистивной маски на поверхность функционального слоя наносят слой тантала, перед сухим травлением функционального слоя осуществляют сухое травление слоя тантала, а перед осаждением слоя...
Способ изготовления многоуровневой разводки мдп ис
Номер патента: 1491266
Опубликовано: 20.01.2008
Авторы: Домбровский, Кисель, Красницкий, Смаль, Турцевич
МПК: H01L 21/28
Метки: мдп, многоуровневой, разводки
Способ изготовления многоуровневой разводки МДП ИС, включающий последовательное нанесение слоев нитрида кремния и нелегированного поликристаллического кремния на окисленную кремниевую пластину со сформированной активной структурой, легирование слоя поликристаллического кремния примесью, формирование на нем маски, соответствующей рисунку нижнего уровня разводки, стравливание участков слоя нитрида кремния, незащищенного маской, удаление маски, формирование межслойного диэлектрика и верхнего уровня разводки, отличающийся тем, что, с целью повышения качества разводки путем уменьшения количества закороток между элементами разводки, маску формируют после нанесения слоя нелегированного...
Устройство для химического осаждения пленок из газовой фазы
Номер патента: 1811217
Опубликовано: 20.08.1996
Авторы: Кисель, Красницкий, Петрашкевич, Сахон, Турцевич, Шкуть
МПК: C23C 16/00
Метки: газовой, осаждения, пленок, фазы, химического
...паров воды и кислорода вреактор, возрастания неконтролируемогослоя двуокиси кремния и снижения качестваосаждаемых пленок нитрида кремния.При длине корпуса более 5 диаметровреактора не наблюдается дальнейшего улучшения качества осаждаемых пленок нитридакремния при увеличении габаритов установки.При высоте корпуса менее 2 диаметровреактора затруднена загрузка в реактор припомощи автоматизированных систем и обслуживание шлюзовой камеры.При высоте корпуса более 3 диаметровреакторов снижается эффективность затвораиз-за облегчения попадания паров воды икислорода в реакционное пространство и,следовательно, снижается качество нитридакремния, То, что шлюзовая камера выполнена высотой 2-3 диаметра реактора, позволяет...
Способ изготовления штампов и деталей к ним для горячего деформирования металлов
Номер патента: 1746609
Опубликовано: 09.01.1995
Авторы: Денисюк, Кисель, Пушкарь, Руденко
МПК: B21K 5/20
Метки: горячего, деформирования, металлов, ним, штампов
1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ШТАМПОВ И ДЕТАЛЕЙ К НИМ ДЛЯ ГОРЯЧЕГО ДЕФОРМИРОВАНИЯ МЕТАЛЛОВ по авт.св. N 1615969, отличающийся тем, что, с целью повышения экономичности процесса и расширения технологических возможностей, мерную заготовку подвергают дополнительному расчленению и пологой зачистке в зонах расположения пазов и полостей изношенного штампа, после чего производят нагрев полученных полуфабрикатов до ковочной температуры и ковку до заданных размеров, начиная с поверхностей, подвергнутых пологой зачистке.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что расчленение изношенного штампа производят по осям отверстий и гравюре ручья, образующих полости в мерной заготовке.
Резиновая смесь для уплотнителей бытовых микроволновых печей
Номер патента: 1610859
Опубликовано: 30.12.1994
Авторы: Айзикович, Алексеев, Гуреев, Ивлев, Кисель, Клиодт, Резникова, Синеокий, Спеваков, Фомин, Чуев, Шульман
МПК: C08K 13/02, C08L 9/00
Метки: бытовых, микроволновых, печей, резиновая, смесь, уплотнителей
РЕЗИНОВАЯ СМЕСЬ ДЛЯ УПЛОТНИТЕЛЕЙ БЫТОВЫХ МИКРОВОЛНОВЫХ ПЕЧЕЙ на основе комбинации цис-1,4-полиизопренового каучука и бутадиеннитрильного каучука с содержанием 17-23 мас.% нитрила акриловой кислоты, включающая N-циклогексил-2-бензтиазолилсульфенамид, N, N'-дитиодиморфолин, тетраметилтиурамдисульфид, оксид цинка, стеариновую кислоту, фенил- -нафтиламин, вазелиновое масло, электропроводный технический углерод и наполнитель с электромагнитными свойствами, отличающаяся тем, что, с целью улучшения электромагнитных свойств резинового уплотнителя из данной смеси, последняя содержит в качестве наполнителя с электромагнитными свойствами порошок сплава марганец-алюминий-углерод,...
Композиционный материал для резистивного нагревателя
Номер патента: 1306454
Опубликовано: 30.12.1994
Авторы: Безелянский, Герасимович, Кисель, Коротинский, Лаврентьев, Прищепов, Таубес, Чурзин
Метки: композиционный, материал, нагревателя, резистивного
КОМПОЗИЦИОННЫЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ РЕЗИСТИВНОГО НАГРЕВАТЕЛЯ, на металлическом основании со стеклоэмалевой изоляцией, содержащий порошок токопроводящего металла, борную кислоту, глину и оксид алюминия, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности нагревателя путем улучшения электроизоляции между его металлическим корпусом и резистивным покрытием, в композиционном материале в качестве токопроводящего металла использован порошок титана и дополнительно введены BaO; B2O3, ZnO; SiO2; K2O; CaF2; Na2O; TiO2; Li2O; Sb2O3 при следующем соотношении компонентов, мас.%:Порошок титана 30 - 55Глина 20 - 25Борная кислота 5-20
Способ изготовления штампов и деталей к ним для горячего деформирования металлов
Номер патента: 1615969
Опубликовано: 15.12.1994
Авторы: Денисюк, Кисель, Павлов, Руденко, Чернышова
МПК: B21K 5/20
Метки: горячего, деформирования, металлов, ним, штампов
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ШТАМПОВ И ДЕТАЛЕЙ К НИМ ДЛЯ ГОРЯЧЕГО ДЕФОРМИРОВАНИЯ МЕТАЛЛОВ, включающий получение мерной заготовки, оформление гравюры путем механической обработки, термическую обработку и слесарную доводку, отличающийся тем, что, с целью повышения экономичности процесса, мерную заготовку получают путем расчленения по вертикальным плоскостям плит изношенного штампа, достигшего в процессе эксплуатации критического размера по высоте, при этом гравюру ручья штампа оформляют на поверхности, ранее являвшейся опорной.
Способ изготовления штампов и деталей к ним для горячего деформирования металлов
Номер патента: 1744857
Опубликовано: 15.07.1994
Авторы: Алленов, Денисюк, Кисель, Руденко
МПК: B21K 5/20
Метки: горячего, деформирования, металлов, ним, штампов
1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ШТАМПОВ И ДЕТАЛЕЙ К НИМ ДЛЯ ГОРЯЧЕГО ДЕФОРМИРОВАНИЯ МЕТАЛЛОВ, включающий получение мерной заготовки путем расчленения по вертикальным плоскостям плит изношенного штампа, достигшего в процессе эксплуатации критического размера по высоте, выполнение гравюры ручья и рабочих поверхностей путем механической обработки, выполнение опорных поверхностей, а также термическую обработку и слесарную доводку, отличающийся тем, что, с целью повышения экономичности процесса и расширения технологических возможностей, гравюру ручья и рабочие поверхности выполняют на вертикальных поверхностях, полученных при расчленении штампа.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что опорные поверхности штампа и деталей к ним выполняют на...
Приемно-тянущее устройство для намотки рулонов из полимерных пленок
Номер патента: 2002629
Опубликовано: 15.11.1993
Авторы: Кисель, Котов, Мозырский, Сенатос
МПК: B29D 7/01, B65H 18/00
Метки: намотки, пленок, полимерных, приемно-тянущее, рулонов
...с возможностью реверсивного поворота относительно центральной оси 8 устройства. Прамежутачнал катанга 7 жестко закреплена на нижней платформе 4, нижняя штанга 6 шарнирно закреплена на верхней платформе 2, а верхняя штанга 5 шарнирна закреплена с неподвижной плитой 1.Верхнлл 5 и нижнлл 6 штанги, установленные на гцарни рах 9 и 10 соответственно на равном расстоянии от центральной оси устройства 8 и установлены с возможностью их вращения о горизонтальных плоскостях,Вертикальные аси 11 и 12 шарниров 9 и 10 пересекаат наиболее удаленные от центральной оси 8 устройства образующие верхней 5 и нижней 6 штанг,Нижняя платформа 4 установлена с возможностью поворота о направлении поворота верхней платформы 2 с частотой вращенил, равной 1/2...
Устройство для изготовления отливок направленной кристаллизацией
Номер патента: 1838045
Опубликовано: 30.08.1993
Авторы: Донцов, Кисель, Крыжановский, Пекарский, Сошников, Фокин
МПК: B22D 27/04
Метки: кристаллизацией, направленной, отливок
...выплавляемым моделям направленной кристаллизаций.Цель изобретения - упрощение конструкции, повышение качества отливок и снижение энергозатрат,Устройство изображено на чертеже, Устройство содержит индукционную колпаковую печь с углеродсодержащим нагревателем 1, выполненным замкнутым в верхней части в виде полусферы, приспособление 2 для удержания формы в рабочем пространстве печи, водоохлаждаемый поддон-кристаллизатор 3 с приводом вертикального перемещения и литейную оболочковую форму 4 с шихтовой заготовкой 5,Работает устройство следующим образом.Предварительно прокаленную форму 4 с находящейся в ее приемной чаще мерной шихтовой заготовкой 5 устанавливают на водоохлаждаемый поддон-кристаллизатор 3 и с помощью привода вертикального...
Перестраиваемый имитатор связанных индуктивностей
Номер патента: 1837384
Опубликовано: 30.08.1993
Авторы: Демин, Кисель
МПК: H03H 11/42
Метки: имитатор, индуктивностей, перестраиваемый, связанных
...на две параллельные проводимости У 5 и У 4 и отсоединив У 4 от общей шины, можно организовать таким образом встречное включение двух подобных индуктивных подсхем путем последовательного соединения У 4 и Уа й. Результирующая схе 1ма, очевидно, будет имитировать П-образную индуктивную схему замещения двух связанных индуктивностей со следующей характерной матрицей У-параметров; 1 -У 12 О) У 2 У 4х ЬУ ЬУ (У 11 У) У 22=50 Уз У 2 У 4 И М 15 Г+ 1) РТэ Р .с Уз(У 1 У 5 - У 2 Ув) б) 1-образная цепь ООС. Ь У УВх УУз У 2 У 4С- ДУ 4 ффУ 4 (д+- ) Изобретение иллюстрируется следующими примерами,Рассмотрим два варианта схемы имитатора, определяемых Г-образным емкостным 3-полюсником ООС, характерным для цепи прототипа (фиг.1,а) и Т-образным емкостным...
Электромагнитный клапан
Номер патента: 1822916
Опубликовано: 23.06.1993
МПК: F16K 31/02
Метки: клапан, электромагнитный
...одновременным сохрэнением высоких технико-экономических показателей.Указанная цель достигается тем, что в электромагнитном клапане, содержащем корпус с входным и выходным пэтрубкэми, разделительную трубку мэгни;опровод, кэ 1822916тушку и Ч-образную пружину, причем трубка выполнена в виде цилиндрического стакана, торец которого закреплен на корпусе,а на закрытом торце выполнена проточка,на которой установлена пружина; пружина 5выполнена в виде пластины с отверстием идвумя лапами различной длины, фиксирующей длинной лапой катушку, а короткой -магнитопровод,Предложенное техническое решение 10отличается тем, что пружина выполнена слапами различной длины (причем болеедлинная прижимает катушку,а короткая -магнитопровод) и снабжена в центре...
Способ капсулирования обмотки статора
Номер патента: 1820981
Опубликовано: 07.06.1993
Авторы: Кисель, Молодкин, Шульгин
МПК: H02K 15/12
Метки: капсулирования, обмотки, статора
...резины на высоту . пакета статора и уплотняют герметизирующей заглушкой со второго торца статора, Подготовленный таким образом статор нагревают до 70-90 С в электрической печи, После этого статор устанавливают наклонно под углом 45 к горизонту отверстием статора в коробку выводов вверх, вакуумируют через отверстие статора в коробу выводов через патрубок и подают компаунд. При появлении компаунда в коробке выводов подачу компаунда прекращают и включением и выключением вакуумирования добиваются полного вывода пузырьков и газов, содержащихся в компаунде, из капсулируемого пространства, Длительность процесса вакуумирования 5 мин, По окончании вакуумирования снимают крышку коробкивыводов и ставят статор в печь для окончательной...
Способ изготовления штампов для горячей объемной штамповки металлических изделий
Номер патента: 1624804
Опубликовано: 23.05.1993
Авторы: Денисюк, Кисель, Павлов, Руденко, Чернышова
МПК: B21K 5/20
Метки: горячей, металлических, объемной, штампов, штамповки
...пригоден к работе заготовки подвергали. термообрзботке доНагретый до 250-450 С штамп устанав-. твердости НВ -341:,361, выполняли мехобливзют нз ковочное оборудование, напри- работкой опорные и рабочие поверхности, мер гидравлический пресс, закрепляют, 35 гравюру ручья и облойную канавку в верх- ручей штампа обрабатывают технологиче- ней и нижней плитах, полировали гравюру.ской смазкой, укладывают в ручей загатов- Штамп комплектовали и выдавали в. работу.ку, нагретую до ковочной температуры, кОбщая трудоемкость изготовления нагружают рабочей нагрузкой. Полученное . штампа составила 490 нормоРч, Затем штамповочное иэделие извлекаютиз штам штамп нагревали до 350 С, устанавливали па и процесс повторяют,. . на гидравлическийштамповочный...
Уровнемер
Номер патента: 1817834
Опубликовано: 23.05.1993
Авторы: Каримов, Киличенко, Кисель, Приходько, Ситников, Скалевой, Учитель, Чистяков
МПК: G01F 23/62
Метки: уровнемер
...по и замкнутому МГК,Следовательно, введенная ность признаков из й постоянны ров и й+ 1 М ГК за счет дискретизац= 0,1,д ЛО=В айвах ри тех же услови 0,10,9 вательно,д 025 -- = 1,125 и 0,222К где- ток в цеп К - количест ключенных сопротивлеостоянных сопротивле 1В - ве тся МГКока 1 може. нике тока, тфильтрован . Параметры обы волнение ой составляюна вольтметр яющая О. позволяет также повысить помехозащищенность устройства,Таким образом, предлагаемому устройству присущи существенные отличия по сравнению с известным, достигаемые вве денной совокупностью признаков, и положительный эффект не является простой суммой известн ых.На фиг.1 приведена структурная схема экстраполятора; на фиг,2 и 3 - зависимости 10= 1 - и О = р(Н), 1 Уровнемер...
Гидроксоантимониты редкоземельных элементов или таллия (iii) и способ их получения
Номер патента: 1813718
Опубликовано: 07.05.1993
Авторы: Бутузов, Карлов, Кисель, Палеха
МПК: C01F 17/00, C01G 15/00
Метки: iii», гидроксоантимониты, редкоземельных, таллия, элементов
...МеЯЬОз пН 20, где и2.Воздушно-сухие антимониты оказались рентгеноаморфны, прокаленные при 640- 660 С в атмосфере аргона - переходят в безводные антимониты, рентгенофазовый анализ которых показал, что эти соединения имеют структуру типа флюорита с а = 5,52 - 5,34 А, что согласуется с литературными данными. Прокаленные на воздухе антимониты переходят в соответствующие антимо- нйтЫ, что йодтвердили данные химического анализа и рентгенофазовых исследований,Для установления природы синтезированных соединений и получения информации о состоянии воды был использован метод ИК-спектроскопии (Ой, в таблетках с КВг). На чертеже представлены ИК- спектры гидроксоантимонитов РЗЭ и таллия (1 И). На ИК-спектре воздушно-сухого антимонита самария...
Устройство для фрикционно-механического нанесения покрытий
Номер патента: 1807087
Опубликовано: 07.04.1993
Авторы: Белозеров, Кисель, Лончаков, Стрельников
МПК: C23C 26/00
Метки: нанесения, покрытий, фрикционно-механического
...7 и держателями натирающих прутков 8 установленыпружины 10, которые поддерживают держатели натирающих прутков 8 подпружиненными и играют роль упругих компенсаторов, Между направляющими втулками 5 и держателями натирающих прутков 8 установлены возвратные пружины 11. Устройство установлено в обрабатываемой детали 12.Устройство работает. следующим образом,Перед вводом устройства в обрабатываемую деталь 12 натирающие прутки 9 расположены на минимальном расстоянии от оси приводного вала 1, Данное расположение натирающих прутков 9 достигается путем поворота корпуса 3 по часовой стрелке, относительно оси приводного вала 1. При повороте корпуса 3 разжимные кулачки 2 устраняют давление на толкатели 7, которые под действием пружин 10 и...
Устройство управления фотоувеличителем
Номер патента: 1800438
Опубликовано: 07.03.1993
Авторы: Альмяев, Атрошкин, Кисель, Красько
МПК: G03B 27/80, G06F 15/20
Метки: фотоувеличителем
...управляемый ключ 7, и лампа начинает излучать свет, После включения лампы оператор производит установку необходимогоформата изображения и его фокусировку нажимает клавишу ЛВЫКЛ (Выключение лам 25 пы"), При этом блок 1 закрываетуправляемый ключ и лампа выключается(шаги /8-9/).Оператор нажимает клавишу выборакрасного светофильтра "К" и заносит с кла 30 виатуры значение экспозиции под краснымсветофильтром. При этом блока 1 считываетиз блока 3 ввода информации коды нажатыхчисловых клавиш, записывает их в блок 11 вячейки с адресами ЭКСК, ЭКСК+1 и пересы 35 лает вводимые значения в блок 4 отображения информации, Экспозиция под каждым .из светофильтров представляет четырехзначное число (сотни, десятки, единицы, десятые доли). В ячейках...
Устройство для обработки деталей свободным абразивом
Номер патента: 1798135
Опубликовано: 28.02.1993
МПК: B24B 31/10
...деталей (при повышении кинетической энергии и в частности соударения поверхностей деталей и частиц обрабатывающей среды),На фиг;1 представлен общий вид устройства для обработки деталей свободным абразивом; на фиг.2 - разрез А - А на фиг.1; на фиг.З - разрез Б - Б на фиг.2.Предлагаемое устройство для обработки деталей свободным абразивом содержит рабочую камеру 1, под которой расположена опорно-газораспределительная решетка 2 с расположенным на ней слоем абразива 3, Для установки обрабатываемых деталей предназначена оправка 4, закрепленная на шпинделе 5. В рабочей камере 1 расположен отклоняющий механизм 6, состоящий из профильной пластины 7, установленной из условия образования эффекта. Коанда между упомянутой пластиной и оправкой 4, и...
Клапан
Номер патента: 1796045
Опубликовано: 15.02.1993
Авторы: Вовк, Кираковский, Кисель, Погребинский, Шапиро
МПК: F16K 17/00
Метки: клапан
...как при наличии давления в надмембранной и отсутствии его в подмембранной полостях, так и в противоположном случае, т,е, при двухстороннем перепаде.На фиг.1 показана конструкция клапана, управляемого давлением управляющего тела, в открытом состоянии; на фиг,2 - конструкция того же клапана в закрытом состоянии; на фиг,З - показана конструкция клапана, управляемого электромагнитом, в закрытом состоянии.Изобретение иллюстрируется следующими примерами.Рабочее тело под давлением подается в корпус 1, например, как показано стрелкой на фиг.1 Под действием давления мембрана 4 с запорным органом 3, совмещенным с ее жестким центром поднята вверх сжав пружину.5, Одновременно гофр мембраны прижат к внутренней поверхности крышки 7 повторяя ее...
Способ определения долговечности эластомеров
Номер патента: 1791753
Опубликовано: 30.01.1993
Авторы: Алексеев, Кисель, Прокопчук, Старостина
МПК: G01N 3/18
Метки: долговечности, эластомеров
...- температура, определяемая линейной экстраполяцией О(Т);К 0 = 0 в межрелаксационном интервале температур;х- время деформации образца до разрыва.Однако, формула (2) справедлива лишь для случая линейности диаграммы растяжения сг - е. Поэтому был произведен специальный выбор режимов деформирования, обеспечивающих линейность О - е в области испытуемых температур (скорость перемещения захватов 5 мм/мин, эажимная длина - 10 мм, скорость деформирования образца 8,3 х 10 с). Дополнительным свидетельством неизменности структуры эластомеров при найденных условияхих испытаний, а следовательно, и правомочности использования формул (1, 2) служили значения коэффициента Пуассона ф равные 0,5. Подобранным режимам соответствовало время деформированйя...
Способ получения диоксида свинца -модификации
Номер патента: 1789506
Опубликовано: 23.01.1993
Авторы: Абакумова-Боченко, Бобырь, Гордеев, Зиньков, Кисель, Корнышева, Крапивина, Фельдман
МПК: C01G 21/08
Метки: диоксида, модификации, свинца
...м е р. В реакционный аппарат объемом 5 л заливают 2,0 л обессоленной воды и при перемешивании загружают порциями 398 г (1,31 моль) РЬЯ 04, после чего вводят 0,805 л раствора щелочи, содержащего 430 г (10,5 моль МаОН), Температура реакционной среды 62 С. Затем вводят окислитель в количестве 324 г (1,42 моль (МН 4)23208). Температура процесса 85 С. Мольное соотношение реагентов соль свинца:щелочь:окислитель составляет 1:8:1,2. Процесс окисления проводят в течение 2 ч. Осадок отделяют на фильтре, промывают водой и высушивают при температуре 100- 105 С до достижения в нем влаги менее 0,3-,. Масса сухого осадка 301,5 г, выход составляет 96 О, По данным рентгенофазоФормула изобретения Способ получения диоксида свинца /3- модификации,...
Устройство для формирования адреса замещаемого блока памяти
Номер патента: 1777142
Опубликовано: 23.11.1992
Авторы: Кисель, Комлик, Неселовский, Фирсов
МПК: G06F 12/08
Метки: адреса, блока, замещаемого, памяти, формирования
...у которого число строк состав- ляет 4, а число колонок равно 64. На фиг, 1 представлена структурная схема устройства для формирования адреса замещаемого блока памяти; на фиг, 2 - таблица истинности преобразователя кода; на фиг. 3 - функциональная схема блока выбора адреса замещения; на фиг. 4, 5 - таблицы истинности ППЗУ, на которых реалиэован блок выбора адреса замещения. Устройство для формирования адреса замещаемого блока памяти (фиг. 1) содержит блок памяти 1, регистр 2, преобразователь кода 3, блок выбора адреса замещения 4. Введены следующие обозначения: адресный вход 5, синхровход 6, вход кода сравнения 7, вход битов отключения 8, выход 9,информационная связь 10,Блок памяти 1 хранит коды хронологии, отражающие точную...
Цифровой экстраполятор
Номер патента: 1772805
Опубликовано: 30.10.1992
Авторы: Каримов, Кисель, Петрова, Ситников, Скалевой
МПК: G06F 15/353
Метки: цифровой, экстраполятор
...логического нуля.Структурная схема экстраполятора приведена на чертеже.Цифровой экстрапалятор, содержащийрегистр 1, первый 2 и второй 3 сумматоры, 35 преобразователь 4 код-частота, выход которого соединен со счетным входам реверсивного счетчика 5, выход которого является выходам 9 зкстааполятара, информационный охад 6 которого подключен к информа цианнаму входу регистра 1, выход которогоподключен к первому входу первого сумматора 2, тактовые входы регистра 1 и преобразователя кад-частота 4 подкаочены соответственна к первому 7 и второму 8 45 тактовым входам экстраполятора, второйвыход суммы сумматора 3 подкиачен к информационному входу преобразователя код-частота 4, прямой и инверсный выходы знака второго сумматора 3 соединены саот...
Быстроразъемное соединение трубопроводов
Номер патента: 1770665
Опубликовано: 23.10.1992
МПК: F16L 37/22
Метки: быстроразъемное, соединение, трубопроводов
...соединение трубопроводов состоит из двух полуразъемов Ш 1 и Ш 2. На чертеке полость А верхнего полуразъема Ш 1 соединена с полостью В нижнего полуразъема через полость Б, образующуюся в полуразъеме Ш 1 после стыковки.Полуразъем Ш 1 состоит из корпуса 1, в который вкручен штуцер 2, который сжимает пружину 3, прижимающую запорный орган 4 к торцу запорного органа 5, жестко закрепленного на корпусе 6 полуразъема Ш 2, На корпусе 1 размещена пружина 7, подкимающая обойму 8 вниз к запорному кольцу, Обойма 8 своей внутренней поверхностью удерживает шарики 9 в проточке корпуса 1. Одновременно шарики 9 расположены в отверстиях обоймы 10 корпуса 6 полуразъема Ш 2.Таким образом, шарики жестко фиксируют расположение одного полуразъема относительно...
Устройство для измерения уровня диэлектрической жидкости
Номер патента: 1760355
Опубликовано: 07.09.1992
Авторы: Годин, Каримов, Киличенко, Кисель, Приходько, Ситников, Скалевой, Учитель
МПК: G01F 23/28
Метки: диэлектрической, жидкости, уровня
...импульсов; на фиг. 3 - эпюра распределения сил на поплавок; на фиг, 4 - пример реализации генератора импульсовв.Устройство для измерения уровня диэлектрической жидкости, содержащее резонатор 10 и поглотитель 4, а также генератор импульсов 1, преобразователь частоты 6, линию задержки 5, волновое сопротивление 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 которого выбрано меньшим или равным волновому сопротивлению резонатора 10 в воздухе, волновое сопротивление резонатора 10 в жидкости выбрано меньшим или равным волновому сопротивлению поглотителя 4, причем резонатор 10 выполнен в виде коаксиально расположенных электро- проводящих стержня 3 и трубки 2, в которой выполнены отверстия для заполнения жидкостью пространства между стержнем 3 и трубкой 2, к...
Пескоструйное устройство
Номер патента: 1754429
Опубликовано: 15.08.1992
МПК: B24C 5/04
Метки: пескоструйное
...пористого слоя вставки, в связи с чем на внутренней поверхности последней образуется защитный воздушный слой, конически сходящийся к выходному сечению, обеспечивая тем самым увеличение скорости истока на выходе для увеличения кинетической энергии в воздушно-абразивной струе, а керамическое пористое кольцо обеспечивает защиту торца втулки,На чертеже изображено сопло пескоструйного аппарата,Сопло пескоструйного аппарата содержит корпус 1, в котором закреплено воздушное сопла 2. сообщенное с источником подачи сжатого воздуха, керамическую пористую вставку 3 и керамическое пористое кольцо 4. Вставка 3 закреплена в упоре 5 через керамическое к льцо 4 гайкой 6, Последняя имеет патрубок 7 для подачи сжатого воздуха в камеру 8,Сопло...
Дозатор
Номер патента: 1747916
Опубликовано: 15.07.1992
Авторы: Белан, Гоцуленко, Кисель, Куприн
МПК: G01F 13/00
Метки: дозатор
...жидкости сообщены с донной чина дозы и наоборот, Упругие характеричастью камеры, .стики сильфона 8 и масса сменных грузов 12На фиг, 1 представлена принципиаль- определяютположениеээглушенноготорцаная схема дозатора жидкости в статическом 30 9 и сильфона 8, однако регулируемые упорысостоянии; на фиг, 2 и 3 - то же, в разных 10 и 11 обеспечиеаютточное фиксированиефазах работы, заглушенного торца 9 в крайнем верхнемДозатор состоит иэ емкости 1, подводя- положении. В крайнем нижнем положениищего жидкость трубопровода 2, регулиро- заглушенный торец 9 фиксирует верхняяеочного устройства (крана, задвижки) 3, 35 кромка камеры 5. Сменные грузы 12 служатсифона 4, камеры 5, соединительных трубок для ускорения процесса выдачи дозы, С по 6 и 7,...
Интегральная схема
Номер патента: 1746439
Опубликовано: 07.07.1992
Авторы: Карпов, Кисель, Малый, Силин, Смирнов, Чувелев
МПК: H01L 27/082
Метки: интегральная, схема
...ее одновременное внедрение под область эмиттера по меньшей мере одного иэ транзисторов на глубину превышающую глубину эмиттера,На фиг.1 изображена предлагаемая интегральная схема; на фиг.2 - поперечный разрез активной структуры первого, второго и третьего транзисторов интегральной схемы.Интегральная схема содержит первый транзистор 1, база которого через первый резистор 2 соединена с шиной питания+ Чсс 3, а с входом 4 схемы - через диод 5, включенный в направлении к входу 4 схемы. Коллектор транзистора 1 через второй резистор б соединен с шиной питания 3, а эмиттер - с базой второго транзистора 7. Эмиттер транзистора 7 соединен с базой третьего транзистора 8, эмиттер которого соединен с общей шиной 9; Интегральная схема выполнена на...
Турбокомпрессор
Номер патента: 1746069
Опубликовано: 07.07.1992
Авторы: Кисель, Коченда, Пастернак, Фигман, Шнайдер
МПК: F04D 25/06
Метки: турбокомпрессор
...1.Турбокомпрессор работает следующим образом. Сжатый гаэ через пневмопереключатель 16, входное отверстие 10 и кольцевую расточку 11 в корпусе 1, радиальные каналы 12 в теле статора 2 подается в рабочий зазор между статором и ротором, При этом ротор 5 всплывает нэ слое газовой смазки. После подачи питания в обмотку 3 ротор 5 начинает вращаться в поле газовых и электромагнагнетания газа в рабочий зазор через нагнетающее отверстие 15 и радиальные каналы 12, Одновременно рабочее колесо 7 имеет такое направление лопаток, которое через отверстия 13 и 14 обеспечивает отводной ступенью, можно провести по выражению где л= 3,1415926;тг - коэффициент "загромождения", принимается тг = 0,8-0,9;Кчг - коэффициент сжимаемости, равный отношению...