Патенты с меткой «кристаллический»

Номер патента: 5501

Опубликовано: 31.05.1928

Автор: Грибский

МПК: H02M 1/20

Метки: детектор, контактный, кристаллический

...точке поверхности последнего с минимальной площадью соприкосновения и минимальной плотностью контакта, для повышения его чувствительности. Наиболее подходящими при этом являются кристаллы галенита. Посредством увеличенного таким образом сопротивления детектора имеется в виду создать в детекторном контуре наиболее выгодные условия для извлечения энергии из колебательной цепи, не сопровождаемые при этом увеличением затухания в последней.На чертеже изображены держатель со спиралью,Соприкасающаяся с кристалломгаленита реотановая проволока 4 круглого сечения имеет диаметр не свыше 0,12 мм и образует спираль 3 (с тремя - четырьмя оборотами, диаметра 4,5 мм). Спираль 3 снабжена на своем обращенном к кристаллу конце плоской частью 5, имеющей...

Номер патента: 6912

Опубликовано: 31.10.1928

Автор: Пандиков

МПК: H02M 1/20

Метки: детектор, кристаллический

...3. Для предотвращения выскакивания пружины, стенка 2 снабжена шрифтом 5, входящим при нажиме в просверленное отверстие б в карболитовой пластинке 7, на которой укрепляется стойка для детекторной ножки, состоящей из металлического (напр., латунь) стержня 8, снабженного нарезкой, на который навертывается эбонитовая или деревянная рукоятка 9, прижимающая спираль к стержню 8. Стержень 8 входит в трубку 10, которая снабжена продольным вырезом; благо. даря этому трубка 10 слегка пружинит и крепко зажимает стержень, Вращая рукоятку или вдвигая и выдвигая стержень из трубки - получают возможность устанавливать детекторную спираль в любом положении относительно кристалла, Трубка 10 шарнирно соединена со стойкой 11; степень вращения...

Номер патента: 7665

Опубликовано: 31.01.1929

Автор: Николаев

МПК: H02M 1/20

Метки: детектор, кристаллический

...Вуда 13, при чем в последний углублен кристалл 12. Кристалла 12 касается проволока 11, которая зажата в прорезь пластинки 9, пружиной 10 (фиг. 3). Металлическая пластинка 9 прикреплена пружиной 8 посредством винтов к втулке 2, в которой ходит винт 1, снабженный штифтом, упирающимся в пластинку 9, Втулочка.2 лежит на резиновом кольце 3 и вставлена в салазки б, передвигающиеся параллельно торцевой поверхности кристалла 12 при помощи винта 7. Верхнее основание детектора 17 охвачено стеклянной трубочкой 1 б,входящей верхним краем в паз металлической пластины 5,Вторая деталь детектора представляет из себя обыкновенную штепсельную ножку 19, соединенную проволочкой 20 с винтом 22, ввинченным в тело металлической пластины 5. Предмет...

Номер патента: 7674

Опубликовано: 31.01.1929

Автор: Николаев

МПК: H02M 1/20

Метки: детектор, контактный, кристаллический

...13 и припаянной к металлической гайке 15; последняя скреплена с одной из штепсельных ножек 1 детектора. Другой конец свинцовой проволоки 12 впаян в углубление шляпки металлического винта 11, снабженного шайбой 10 и кружком 8, изготовленных из изолирующего материала, Внутри кружка 8 вставлена металлическая шайба 9 с винтовой нарезкой, Через отверстие 1 б кружка 8 пропущена проволока 7, зажатая между шайбами 10 и 9 и образующая контакт с кристаллом б, Последний погружен в сплав Вуда 5, который помещен в металлическую чашечку 4, навинченную на вторую ножку 1 детектора с прокладкой 3.Благодаря такому устройству детектора возможно коснуться любой точки кристалла и получить неразрывность контакта в случае сотрясений приемника. нтактного...

Номер патента: 12756

Опубликовано: 31.01.1930

Автор: Славиковский

МПК: H02M 1/20

Метки: детектор, кристаллический

...трубке 3 уплотняющим кожаным кольцом 11. Внутри навитой на трубку 4 спиральной пружины 8, с острием предназначенным для касания с кристаллом 9 укрепленном в сплаве ВУД 10, помещена игла 6, под действием пружины о опирающаяся на кристалл 9, Один конец пружины 8 соединен с одним из концов проволоки, навитой на металлический стержень 7 расположенный параллельно игле 6, Контакты кристалла с иглой 6 и спиралью 8 в цепь выпрямляемого тока включены через пружину о и стержень 7,Детектирующая точка отыскивается поворачиванием стеклянной трубки 3, вокруг вертикальной оси, а степеньнажима острия пружины 8 регули. руется движением той же трубки 3 вдоль ее оси. Кристаллический детектор, характеризующийся применением навитой спирально на...

Номер патента: 78423

Опубликовано: 01.01.1949

Автор: Куценко

МПК: C07C 45/78, C07C 49/76

Метки: 3-дианазил-2-этил, жидкого, кристаллический, пентанона, превращения, рацемата

...способа является то, чтопревращение жидкого рацемата вкристаллический осуществляетсянагреванием его с едким кали вспиртовом растворе. Это позволяетповысить выход октофоллина с24,5 % до 42,8 % от теоретического,Предлагаемый способ заключаетсяв следующем.Смесь, состоящая из 100 г жидкого рацемата 1,3-дианизил-этилпентанона (1), 200 л)л этиловогоспирта и 20 г едкого кали, послеполного растворения последнегоставится на 4 - 5 час. в водянуюбаню, На слсдующий день спиртнри слабом вакууме отгоняется,Остаток разбавляется водой и экстрагируется эфиром. Далее следует промывание экстракта водой. После испарения эфира остаток смешивается с 200 лл метилового спирта и охлаждается до 10 С. Полученные кристаллы рацемата отфильтровываются, после чего...

Номер патента: 96419

Опубликовано: 01.01.1953

Автор: Лидих

МПК: H04R 21/02

Метки: колебаний, кристаллический, механических, микрофон, электрические

Номер патента: 124010

Опубликовано: 01.01.1959

Авторы: Берлин, Рабинович-Визель

МПК: G01R 21/12, H03B 19/00

Метки: волн, гармоник, детектор-генератор, диапазона, коаксиальный, кристаллический, миллиметрового

...сигнала, который имеет предел для основной частоты в коаксиальном тракте.Конструкция описываемого прибора показана на чертеже. Со стороны коаксиальной линии 1 вводится энергия основной частоты (например, от клистрона), которая рассеивается в согласован 5 юм нелинейном контакте 2 металл - полупроводник, образованном контактной иглой 3 и кристаллом полупроводника, впаянным в держатель 4. Возникающие гармоники распространяются по цилиндрическому волноводу 5, который является непосредсгвенным продолжением коаксиального 5 тракта и имеет предел для основной частоты.Коаксиальный кристаллический детектор- генератор используется с волноводно-коаксиальным псрсходом обычного типа, в котором для предотвращения утечки энергии гар моники...

Номер патента: 497553

Опубликовано: 30.12.1975

Авторы: Влох, Шамбуров

МПК: G02F 1/03

Метки: затвор, кристаллический, электрооптический

...картину без поля. Маска 15 экранирует свет по косым направлениям в отсутствие поля на кристаллах.Можно использовать лишь один кристалл,обладающий продольным электрооптическим эффектом, один объектив и одну коллектив ную линзу, однако затвор в этом случае будет менее эффективным.Свет от фотографируемого объекта проходит через поляризатор 1 и два кристалла 3 и 4, оптические оси которых скрещены, с элек тродами 5 и полупрозрачным зеркалом 11разделяется на две ветви. Свет в каждой из ветвей проходит через поляризатор 2 (в одной ветви оптическая ось поляризатора скрещена, а во второй - параллельна оптической 30 оси первого поляризатора), объектив отра497553 3 Ф 2 Фиг. 1 з 3 Ф 11 Подписное Тираж 529 Изд.2105 Заказ 371/11 Типографпз, Чг....

Номер патента: 518226

Опубликовано: 25.06.1976

Авторы: Дарвойд, Лисицкий, Медведев, Постникова

МПК: B01J 17/00

Метки: кристаллический, материал, оптический

...направленной кристаллизацией расппаца. Про зрачные части слитка разрезают н.н ппасти ны, шлифуют, полируют, и измеряют:,икро,твердость и спектральную прозрачность; ко,ротковолновый край собственного погпощения 0,37 - 0,39 мкм, микротвердость 3,1,4 кг/ммУ.11 римерв примере 1 изЗаказ 1758/261 Тираж 864, ПодписноеЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССРпо делам изобретений и открыти.113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 филиал ППП фПатент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4,зщей 0,5",ь,хлорида бария, хлорид таплия - остальное,Полученный материал имеет коротковолновый крей собственного поглощения 0 37 Ф 0,33 мкм и микротвердость 23,5 кг/мм . П р и м е р 3, Материал получают как в примере 1, из исходной шихты, содержащей 1%...

Номер патента: 293395

Опубликовано: 25.08.1977

Авторы: Атрощенко, Гальчинецкий, Кошкин, Руденко, Шаховцов

МПК: B01J 17/06

Метки: кристаллический, материал, полупроводниковый

...Совета Министров СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Рвушсквя наб., д, 4/5 Фп;и 1 ад ППП "Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 ЙСЯвз 1 ь О5и сплавы ня ихОснОвегде вторым компонентом являютсяэлементарныебинарные, тройные крисгаллические вещества, с решеткой типа алмаза.без 1 квгионных вакансий, например геманий, бфп- алюминий, гаддий, индий;А- магний, цинк, кадмий, ртуть;А - серебро, медь; В - фосфор, сурьма,мьпльях; ц "/ и С 1 - сера, теллур, седенИ(Я 15 7 сдГ Е, Си,1 РТЕ ,Сс 1." п,А 5 1 СОЬ Яе д, )Указанные кристаллические соединенияи сплавы обладают полупроводниковымисвойствами, При воздействии на такие крис 15гадлические соединения и сплавы с решеткой типа алмаза, имеющие в катионной подрешетке...

Номер патента: 918270

Опубликовано: 07.04.1982

Авторы: Земцова, Кохановский, Терешкова

МПК: C01B 25/30

Метки: добавки, калия-аммония-цинка, качестве, кормовой, кристаллический, ортофосфат, среды, тройной, удобрительной

...до постоянного веса при . = 400-500 С эа вычетом аммиака и конституционной Воды еХимический анализ кристаллической фазы ЕИ К(ИН 4,( (Р 04).42 НО.Вычислено, %: НО 2,35; Р 16,18; ИН 44,74; ХИ 33,11 и К 10,21,Найдено, %: НйО 2,4; Р 16,1; ИН 4 4,8; Х 1 33,6 и К 9,6.Формальное соотношение ЪИ:К ИН:Рф :НО.Вычнслеиоф 2,000:1,000:1,000: : 2,000:0,500.Найдено: 2,038:0,941;1,026;2,000: .0,511.В спектре инфракрасного поглощения кристаллического продукта отчетливо прослеживаются полосы поглощения 2810, 3020 и 3150 см"1, которые относят к валентным колебаниям (й) и (11 Нф) групп и расщепленная полоса поглощения 1420-1450 1470 см 1, которая соот ветствует области даформационных колебаний группы (Й Цф). Эти данные свидетельствуют о "встроении аммоиийной...

Номер патента: 1002240

Опубликовано: 07.03.1983

Авторы: Башугян, Карапетьян, Мирзоян, Мкртчян, Саямян

МПК: C01B 33/24

Метки: гидрополисиликат, кристаллический, стронция

...в ромбической сингонии. Согласно рентгенографическим данным, полисиликат стронция имеет характеристики, приведенные в таблице.Параметры элементарной ячейки ,а 5,07 А, в 8,356 А, с=б,02 А.Согласно кристаллооптическому исследованию, Проведенному на микроскопе МИиммерсионным методом, осадок состава БгЫ 60 ф 2 НО состоит из О мельчайших зерен 2-3 мк., часто агрегатизированных. Интерференционнаяокраска от серой до фиолетовой. Показатель преломления Х 1,479.ИК-спектроскопические исследова" 5 ния проведены на инфракрасном спектрометре ИКС=14 А в интервале 400- 2000 смВ спектре наблюдаются полосы поглощения с максимумами при 414,454, 2 О 466,475,529,663,707,780,851,943,1088, 1612 см. Полосы в интервале частот 414-529 см характерны для...

Номер патента: 1057420

Опубликовано: 30.11.1983

Авторы: Мирзоян, Саямян

МПК: C01B 33/24

Метки: бария, гидрополисиликат, кристаллический

...400- 2000 см .В спектре соединения наблюдаются полосы поглощения с максимумами при 463, 631, 773, 841,920, 1060, 1609 см ", Полосы э интервале частот 928-1060 см "согласуются с 1 с,э Я 10 Я 1 и М Я 10 колебаниями в слое аниона. Колебания с частотой 463-500 см нехарактерны деформационным колебаниям слоя, Колебания с частотой 1609 см "относятся к деформационным колебаниям воды.Химический состав гидрополисиликата бария следующий, вес.Ъ:Я 102 43,24ВаО 27,59НОШ.Р 27,07НО, 2,10Промывку осадка проводят с целью освобождения от хлор-иона. Нижний предел промывки обеспечивает полную промывку от хлор-иона. Верхний предел продиктован полнотой промывки от хлор-иона. Дальнейшая промывка может дать потери мелкодисперсного осадка с промывными водами.П...

Номер патента: 591753

Опубликовано: 30.09.1985

Автор: Наумов

МПК: G01N 23/20, G01T 3/00

Метки: кристаллический, нейтронный, спектрометр

...детектора с помощью шарнираползуна, обеспечивающего его вращение вокруг собственной оси и возвратно- поступательное движение относительно консоли детектора.На фиг.1 .схематически представлен спектрометр, разрез; на фиг.2 - то же, план.Предложенный спектрометр содержит монохроматор 1, образец 2, основание 3 образца, анализатор 4, плечо 5 анализатора, детектор 6, консоль 7 детектора, плечо 8 детектора, противовес 9, шарнир-ползун 10.50Движения монохроматора 1 и основания Э образца кинематически связаны с выполнением условия отражения: если- угол поворота монохроматора, то 2 Це, - угол поворота основания образца.Относительно оси образца 2 осуществляются три независимые вращения: 53 гобразец поворачивается на уголконсоль 7 детектора - на...

Номер патента: 1315014

Опубликовано: 07.06.1987

Авторы: Михаэль, Петер

МПК: B01J 29/85, C07C 1/20

Метки: алюмосиликат, катализатора, качестве, компонента, конверсии, кристаллический, метилового, основы, спирта, углеводороды

...г ВцР-(СН) -РВцзВг,2500 мл НО.Кристаллизацию проводят в течение14 ч при 175 С.В примерах 1-4 получают хорошозакристаллизовавшийся алюмосиликатРя 1, химический состав которого иданные рентгеноструктурного анализапредставлены в табл. 1 и 2П р и м е р 5, 50 г Ря 1 иэ примера 2 в 500 мл 1 н.НС 1 перемешивают2 ч при 80 С, отфильтровывают, промыовают водой до нейтральной реакции ивысушивают 17 ч при 120 С.П р и м е р 6. 30 г Рэ 1 иэ примера 2 в 300 мл 5 н. раствора ИН+С 1оперемешивают 2 ч при 80 С, отфильтро 15014 гвывают, промывают водой до удаленияСГ, высушивают 4 ч при 120 С икальцинируют при 550 С в течение 16 ч,В примерах 5 и 6 получают хорошоэакристаллизовавшийся алюмосиликатРэ 2, химический, состав которого иданные рентгеноструктурного...

Номер патента: 1324680

Опубликовано: 23.07.1987

Авторы: Михаэль, Петер

МПК: B01J 23/28, C07C 1/24

Метки: алюмосиликат, катализатора, качестве, компонента, конверсии, кристаллический, метилового, спирта, углеводороды

...3,68 59 30 18 1,83 8, А 15,49 100 9,9 7,34 9,18 Диаграмма рентгеновского, структурного анализа алюмосиликата Р 21 показывает в основном следующие линии Вгде Й - межплоскостные расстояния и 1/1 их относительные интенсивности.Пример 5. 50 г Р 21 по при меру 2 в 500 мл 1 н. НС 1 перемешива-.ют 2 ч при 80 С, отфильтровывают, промывают водой до нейтральной реакции и высушивают 17 ч при 120 С. П р и м е р 6. 30 г Р 21 из примера 2 в 300 мл 5 н. раствора МН С 1перемешивают в течение 2 ч при 80 С,отфильтровывают, промывают водой доудаления С 1 , высушивают 4 ч при120 С и кальцинируют при 550 С в течение 16 ч,В примерах 5 и б получают хорошо закристаллизовавщийся алюмосиликат РЕ 2, состав которого представлен в табл. 1.Составы исходных смесей...

Номер патента: 1573438

Опубликовано: 23.06.1990

Автор: Наумов

МПК: G01T 1/36, G01T 3/00

Метки: кристаллический, нейтронный, спектрометр

...монохроматора сам узел образца,а также элементы, находящиеся междузащитой и узлом образца, поворачиваются по дуге вокруг и вместе с подвижной частью защиты в диапазоне углов,ограниченном конструктивными возможностями узла перемещения от и до неподвижной части защиты, непосредственно примыкающей к нейтроноводу. Защитарасположена не по касательной к узлумонохроматора, а огибает его, тем самым освобождает место для элементов,спектрометра. Подвижная защита сделана гибкой - цепной, состоящей из отдельных звеньев, при движении обходящей узел монохроматора, Динамика рассеивающей системы описывается двумяпараметрами: передача импульса нейтрона в акте рассеяния и передачаэнергии.Достаточно широкий диапазон варьирования параметра передачи...

Номер патента: 1594221

Опубликовано: 23.09.1990

Автор: Степанцов

МПК: C30B 29/16, C30B 33/00

Метки: кристаллический, материал, оптический

...полученного кристаллического оптического материала в плоскости оптичес1594221 Составитель В.БезбородоваРедактор Н.Рогулич Техред АКравчук Корректор С,Черни Заказ 2814 Тйраж 348 Подписное 5 НИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 13035, Иосква, Ж, Раушская наб., д. 4/5П,.оизводственно"издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина,101 ких осей под углом 30 о к границе сращивания направляют. луч света, наблюдают его расщепление на границе сращивания на обыкновенный и необыкно 5венный лучи и измеряют угол расщеплеония, который оказывается равным 38Ма монокристалле кальцита максимальный угол расщепления равен б 4оП р и м е р 3 Два оптически одноосных кристалла сапфира...

Номер патента: 1745144

Опубликовано: 30.06.1992

Авторы: Альфред, Гюнтер, Петер, Уфе, Хельмут

МПК: H01L 41/04, H01L 41/18

Метки: кристаллический, пьезоэлектрический, элемент

...из монокристалла ОаР 04 за счетснижения следового содержания воды.Поставленная цель достигается тем, чтокристалический элемент вырезан из единойзоны роста сырьевого кристалического монолита ОаРО 4 без зональных границ.Предусмотрено, что ОаРО 4 - кристаллический элемент может быть вырезан из эоны роста или одной из зон роста В,обладающих в качестве поверхности ростаромбоэдрической поверхностью, В - зонасырьевого монолита СаР 04.Из-за различных условий роста отдельных зон ОаРО 4 используют В- и Е-зоны, причем Л-зоны на основании своей большойскорости роста в общем обладают большими размерами, чем В-зоны, и предпочтительны для создания кристаллическихэлементов,На фиг,1 схематически показан сырьевой кристаллический монолит ОаРО 4 с...

Номер патента: 1354798

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Абаренкова, Иванова, Саенко, Харинская, Шильников

МПК: C30B 29/22, H01F 1/10

Метки: кристаллический, материал, ферритовый

...порошок измельчают в вибромелькице, после чего из него прессугот таблетки диаметром 5,8 мм и высотой 8 мм. Таблетки обжиГают при 1300 С в потоке азота.Выращивание мококристаллов производят модифицированным методом Бриджмека, позволягошим получать крупногабаритные и однородные кристаллы диаметром 50 мм и длиной 100 - 150 мм. Температура выращивания 1620-1640 С,о скорость выращивания 2 мм/ч, температурный градиект в зоне роста -10 град./см, давление кислородао ,1 атм, скорость охлаждения по 50 С/ч до 1200 С и 25 С/ч от 1200 До 300 С. Состав кристалла (лгас.%) определяется микроректгекоспектральным анализом, а содержание оксида железа (111) химическим анализом; 4798 2МпО 16,8ЕпО 12,9РеО 2,3Ре 0 67,8Полученный материал имеет следующие...

Номер патента: 1780147

Опубликовано: 07.12.1992

Авторы: Баранов, Долгих, Исаев, Ларионов, Сахаров

МПК: H03H 9/56

Метки: кристаллический, монолитный, фильтр

...м,Н - тол 1.и 1 а г 1 ьезозлектрической пла.стинь, м.35 Выбор Вышеуказанньх соотноц)е 11 ийРЯЗМЕРОВ ЗЛЕКТРОДОВ ПРОВОг 1 ИЛСЯ ЭКСПЕРИМегТЯЛЬНО-П 1)ЯКТИЧВСКИг ПУТЕМ Ввиду;)ТСутствия теоретического г)асчета МФ накристяпле Л ГС.40 Извест 1 ые расчеты, по которым ОГ 1;,)ег 8 ляют ориен-лцию пластн: кварца с требуемыми га)Яметра 1,и, во-первых, име 1 огпОГ)ешность не менее 1 /, ВО"В)Орьх, В нихне учитывается влляние пьезоз;ектсическо 15 1 О Зфг 1 Екта, КОГорьМ МО)КНО Пренебр 81 Ь ЛлсМа Т 81 ЭИЯЛОВ С МГПЫМ гзэффгциентом ЭЬ 1 С,гяких как к 1;.рц. Вследствие зтоо погрешнОсть Оасчета Ориентации Г 1 ьезоэле"1 ОичеСКОЙ ПЛЯСтИНЬ, С требуЕМЫМИ Параг бтрами50 (в 1 астнос 1 и, по температу 1)ной стаоильносги) для крисп аллов с боль 1 ви 1 и коэффици611...