Эрмантраут

Номер патента: 1767535

Опубликовано: 07.10.1992

Авторы: Верходанов, Гладких, Евтин, Латышев, Славнова, Эрмантраут

МПК: G11C 17/00

Метки: памяти, элемент

...область каналатранзистора с переменным пороговым напряжением проводят по маске фоторезиста5 ионную имплантацию мышьяка 6 энергией 100 кэВ, дозой 0,06 мкКл/см до вытравливания отверстий, Затем после снятияфоторезиста и обработки пластин в полученных отверстиях выращивают туннельно-прозрачный диоксид кремния 7реакцией закиси азота с кремнием в РПДреакторе при 700 С, толщиной 18 А, в томже реакторе на всей поверхности пластинывыращивают слой нитрида кремния 8 при700 С, толщиной 600 А разложением тетрахлорида или дихлорсилана кремния в среде аммиака, После формированияконтактов напыляют алюминий 9 и методами фотолитографии формируют металлизированную разводку и затворы транзисторовсхемы, Затем по маске алюминия проводятионную имплантацию...

Номер патента: 1313257

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Верходанов, Камбалин, Титов, Эрмантраут

МПК: H01L 21/265

Метки: интегральных, контактных, областям, отверстий, схем, типа, формирования

...Удаляют маску и под" ложкц подвергают облучению ионамиазота в диапазоне энергий 15-100 кзВи доэ 1 О -5 10 си . Для сравце 14 1 аиия облучению подвергают только поДоза Ионов аоа, си Энергиянапав Параметр Етте.ттвевтеетттие ет тееев ттЕтвввее 1 С 10 10 4 ф 10еееей твеее азота,кзВ5 10 49 ОО 100 84 "11 ОтсутствиеоплавленилФСС Отношение вьжадаГо,плых контактные 1,1.отверсти:Й в %к дале аабраковелньжпо аатвкщппа кантапчьиотверстнЦ, ре,эмерсонЗхЗ мкм В % у 2лави 11 у каждой подложки, в результатецеоблучецнал часть подложки изготав"лццлстсл ц саатлетст 1 ии с црототипойеПосле облучения подложки отжигдютпри 1000 С в течение 30 мин для оплавлеццл слоя ФСС. Дпл сравнешгл прототипа и предлагаемого способа на изготовленных та" кцм образом...

Номер патента: 1715404

Опубликовано: 28.02.1992

Авторы: Кузьминов, Эрмантраут, Ягупов

МПК: B02C 13/14

Метки: динамического, мельница, самоизмельчения

...качестве основания. Чашеобразный ротор разделен вертикальными перегородками 9 на отдельные секции.В кольцевом пространстве 10 над рота ром 8 располагается блокирующее кольцо 11, предотвращаюЩее попадание измельченного материала в днище 12, где имеется труба 13 для подачи транспортирующего агента в отверстие 14 вращающегося рота ра 8. Сверху корпус 1 закрыт крышкой 15, в которой имеется впускное отверстие с загрузочным лотком 16, через который осуществляется загрузка материала. Коллектор 17 вместе с вытяжным патрубком 18 находится 35 в зоне кольца 19 с просеивающими элементами 20, закрепленного на корпусе 1 посредством упругих подвесок 21,Мельница работает следующим образом. 40Чашеобразный ротор 8 приводится во вращение посредством вала 3...

Номер патента: 1615167

Опубликовано: 23.12.1990

Авторы: Зинчук, Никифоров, Тельянов, Щербак, Эрмантраут, Ягунов

МПК: C04B 40/00

Метки: бетонной, приготовления, смеси

...кальция. Затем полученнуюсмесь с оставшейся частью воды, необходимой для замеса, подают в бетоносмеситель, предварительно загруженный крупным заполнителем, в которс 1 м осуществляют цальнейшее переме -иэ 1 вание до получения оцнороднойсВ 1 еси, Весь процесс активации происходит при скорости 6,0-9,0 м/с,Формула изобретенияСпособ приготовления бетонной смеси, включающий активацию в скоростном смесителе воды затворения, песка и цемента с последующим смешением полученной активированной смеси с крупным заполнителем в низкоскоростном смесителе, о т л ич а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения прочности бетона, в скоростном смесите 7 эе со скоростью 6,0 .9,0 м/с активируют сначала песок .с цементом в течение 10-25 с, затем вводят 15-30% воды...

Номер патента: 984004

Опубликовано: 23.12.1982

Авторы: Передельский, Сербин, Эрмантраут

МПК: H03K 4/04

Метки: импульсов, формирователь

...транзистора 2 и шиной питания параллельно соединены резистор 12 и ключевой п-р-п транзистор 13, база которого через резистор 14 соединена с коллектором транзистора 10 усилителя 9 запускающих импульсов.В исходном состоянии, т.е, при отсутствии запускающих импульсов, конденсатор 7 заряжается до напряжения источника питания, плюс " на нижней обкладке, минус - на верхней по цепи из резисторов 11, б, 3 и конденсатора 7. При этом транзистор 10 закрыт, закрыты транзисторы 1, 2, 13, так как на их базах нулевое напряжение относительно эмиттера,Схема практически не потребляетэнергии.С приходом на запуск прямоугольного импульса отрицательной полярности открывается транзистор 10, который, в свою очередь., вызывает открывание транзисторов 13 и 2. В...

Номер патента: 647038

Опубликовано: 15.02.1979

Авторы: Носовецкий, Эрмантраут, Яшунский

МПК: B21D 28/28

Метки: деталях, отверстий, полых, пробивки, штамп

...10, под действием гидроцилиндра пресса отведена вправо, съемник 4, под действием пневмоцилиндра головки пресса, с помощью толкателей 5, выставлен на одном уровне с режуш,ими кромками пуансона 3 (фиг. 2), пуансон 16 пневглоцилиндром 15 отведен вле-. во.После установки обрабатываемой детали и фиксации ее, например, механической рукой, под действием ползуна пресса, плита 1 О с матрицей2, перемещаются влево (фиг. 1, 2) - в сторону колеса и пуансона 3, отжимая съемник 4 влево. При этом матрица 12 находит на неподвижный пробивной пуансон 3, тем самым осуществляя пробивку ниппельного паза, Затем подвижная часть штампа под действием гидроцилиндра пресса опять уходит в исходное (правое) положение, Срабатывает пневмоцилиндр 15 и перемещает...