H01L 31/00 — Полупроводниковые приборы, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, электромагнитному, коротковолновому или корпускулярному излучению, специально предназначенные либо для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, либо для управления электрической энергией с помощью такого излучения; способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы приборов

Номер патента: 98097

Опубликовано: 01.01.1954

Автор: Кузнецов

МПК: H01L 31/00

Метки: вентильного, выходной, мощности, повышения, фотоэлемента

...СЦОСООО СУ 5)Ц)ВЕ 1 Ц 5 Е).Д фОГО)ЛС,СЦГ( -Д.С(ОЦО;ЦЦ Гт.ЛВЦ; О ЦСТОтЦ.КЯКа. ВК, ПО(СНПОГО С Пц ОС(С "ОВ 1- ТЕ ВЦО, .Я: (ЯВССГЦО. ОГП);ЦВЯС- " 10 " ") 1 );) чч ТЕ,)ЬЕт)РО ИСТОтцпттСЯ ПС )0 КЕ П,)СОС."051,1 э -Д.С. фо(".) С (".1 ТЕ. ДтЯ)С;т000 т .С( т)Е(тПТЕ т,ц)цоц,сцо, что и )и :казац 1; снос, ( (ОВ)т(1 ПСП(И ВЫ.:.ОДПОЙ,),)тп: )С; 1:ДООЛЦ 1 ГСЛ (ОГО:)С Стп(ИКЯ 1 ОКЯ ):0 К(0 3 тат 1)ТССПЦО Цт)СЦ; ЕтСЛЦ СООТРЕТ,ТВЕПНО (С 1 )(В ПС)С; ОД- )(. сопротипление ца контакте фо- ТОЭ, (С)(ЕПТ) СО СТОРО.Ы С 0 Я 1 ГГЦЗПО)1 ПОВСРКЧОСТЦ.СОГЛясПО ИЗГ).)Ссц(10, цо(Е(С,;1, Это 0 т С,0 ЦОГО СОП")ОТИВ ЕЦП 5 ЦОСТИГЯСТСЛ ) ВЕЛ)тСНЕСМ ПЛОГпаДИ КОЦТЯКТЯ И ПРЯ(СТЕтЕСК ОСУЕЦЕСТВЛЯЕТС 51 пало 1 ые 1 исм пя яктиВцыЙ слОЙ фотоэлс мента тоцкоц металлической...

Номер патента: 125321

Опубликовано: 01.01.1960

Автор: Раппопорт

МПК: H01L 31/00

Метки: линеаризации, повышения, приемных, развертки, способа, телевизионных, трубок

...боковым фотоэффектом о. Напряжение на выходе фотоэлемента меняется по линейному закону в зависимости от положения светового пятна на поверхности фотзэлемента,Если развертка приемной трубки нелинейна во времени, то на выходе фотоэлемента будет напряжение, точно отражающее характер этой нелинейности, Это напряжение усиливается усилителем 4, сравнивается в блоке 5 с контрольным пилообразным напряжением высокой,тинейности, получаемым от генератора контрольной пилы 6, и полученная разность из сравнивающего блока 5 подается на усилитель 7, обратной связи. Так как размах контрольного пилообразного напряжения невелик, оно может быть сформировано высоко линейным.125321 Разность контрольного пилообразного напряжения высокой линецности и напряжения...

Номер патента: 131842

Опубликовано: 01.01.1960

Автор: Рывкин

МПК: H01L 31/00

Метки: фотодиод

...потенциальныйбарьер на границе, проходя сквозь него. Интенсивность переходов сквозь барьер зависит от величины и направления приложенной к диоду разности потенциалов,На чертеже изображен туннельный и - р переход, включенный в запирающем направлении. Если осветить фотодиод светом с энергией квантов Ьуне меньшей, чем энергетическое расстояние между дном зоны проводимости электронного полупроводника и потолком валентной зоны дырочного полупроводника, то при поглощении квантов электронами валентной зоны дырочного полупроводника осуществится их переход в зону проводимости электронного полупроводника.Меняя величину напряжения постоянного смещения 1, прикладываемого к туннельному фотодиоду, можно регулировать энергетический зазор Ьуа...

Номер патента: 138952

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Гринбаум, Цырлин

МПК: H01L 31/00, H04N 5/30

Метки: потенциального, рельефа, считывания

...пленки 2, образует на примыкаюшей к запорному слою 4 обратной стороне фотополупроводника потенциальный рельеф, аналогично тому, как это происходит в мишени видикона.Импульс поперечной упругой волны, создаваемый, например, специальным концентратом, распространяясь вдоль поверхности запорного слоя 4, резко повышает его проводимость и таким образом последовательно приводит в электрический контакт участки поверхности фотополупроводника 1 с пленкой 3. Полученный при этом видеосигнал может быть снят с любой из пленок 2, 3.Многострочная развертка по описанному способу может быть осуществлена, в частности, с помощью отражающих устройств на краях мишени или при помощи вибрационных устройств, автоматически переключаемых в конце строк.Описанный...

Номер патента: 150885

Опубликовано: 01.01.1962

Автор: Корсуновский

МПК: F24J 2/42, H01L 31/00

Метки: превращения, солнечной, электрическую, энергии

...8 и 4 из проводящего стекла, заливаю раствор 5 окислителя и помещают слон полпроводника б, выполняющего роль фотокатализатора.В качестве окислителя применяют тиазиновый или оксазиновьшкраситель в водном растворе, являющийся восстановителем, а в качестве фотокатализатора - окись цинка и двуокись титана в порошкообразном виде. Раствор и пространство над ним освобождаются от кислорода посредством откачки через трубопровод 7 насосом (на чертеже непоказан) или продуванием азота,Под одним из сосудов установлено зеркало 8.При освещении сосудов солнечным светом посредством зеркарез проводящие стекла (днища) происходит фотовосстановление кЛо 150885 теля до лейкосоединения с одновременным фотоокислением воды до гидроксила.За счет разницы в...

Номер патента: 174731

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Дроздов, Рвачев

МПК: H01L 21/16, H01L 31/00

Метки: пленочный, фотовольтаический, элемент

...элементов на основе сульфида кадмия, В элементах первого вида используется эффект фотоэ. д, с. в запирающем слое между медным электродом и кристаллом сульфида кадмия, в элементах второго вида - эффект возникновения э.д. с. на р - п-переходе, осуществленном в монокристалле сульфида кадмия при обильном легировании медью некоторой части его объема,Предлагается малоынерционный пленочный фотовольтаический элемент на основе р - п-перехода, возникающего на контакте между сульфидом кадмия и закисью меди,Фотоэлемент выполняется следующим образом. На стеклянную (или слюдяную) подложку путем термического испарения наносят две полоски алюминия, являющиеся токоотводящими контактами, затем наносят непрозрачный слой меди, который частично...

Номер патента: 181205

Опубликовано: 01.01.1966

МПК: H01L 29/94, H01L 31/00

Метки: 181205

Номер патента: 281663

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Иол, Оою, Сиксин

МПК: G01T 1/24, H01L 31/00

Метки: излучений, полупроводниковый, счетчик, ядерных

...распределения заряженных частиц из ядерных реакций мишень находится внутри полого кристалла кремния, на внутренней поверхности которого расположены поверхностно-барьерные переходы, выполненные в виде соосно расположенных колец,На чертеже представлена конструкция предлагаемого полупроводникового счетчика ядерных излучений,Пучок 1 заряженных частиц проходит через "истему 2 - 3 и попадает на тонкую твердую мишень 4, а далее - на ловушку б тока, соединенную с интегратором б тока, Перед мишенью 4 установлена диафрагма, на которую подается задерживающий потенциал 7. На 5 внутреннюю поверхность стакана 8, изготовленного из монокристалла кремния, нанес ны кольца 9 из золота, образующие вместе с кремнием р - и-переходы. Эти кольцевые...

Номер патента: 322094

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Пахомова, Полыц

МПК: G01T 1/24, H01L 31/00

Метки: 322094

...и продиффундирован литий, в результате чего образовался и-слой 1; в результате дрейфа ионов лития в электрическом поле,сформирована -область 2; р-область образована исходным германием 3. Кольцевые канавки 4 на цилиндрической поверхности детектора разделяют и-слой на три области кристалла 5, б и 7, образуя три тора.При включении предлагаемого детектора для работы в области средних и высокихэнергий тамма-излучения поток гамма-излучения5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 последовательно пронизывает кристаллы 5, б и 7 (фиг. 2). Схема отбирает только те события, которые соответствуют одновременному выделению сигналов в кристаллах 5 и б, при отсугствии сигнала в кристалле 7; последнее обстоятельство позволяет подавить ту часть...

Номер патента: 326671

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Грехов, Левинштейн

МПК: H01L 31/00, H03D 7/12

Метки: излучения, инфракрасного, модуляции, сверхвысокочастотного

...развивается 20 пробой, рабочая зона модулятора заполняется носителями (электронами и дырками) и, поскольку плотность носителей в случае пробоя очень высока (до 10" слг а), даже очень тонкий слой материала практически нацело 25 поглотит падающее на модулятор излучение.Плотность тока при пробое, контролируемая превышением напряжения над напряжением пробоя и внешним сопротивлением, не должна превышать значения, прц котором 30 мощность, выделяющаяся в кристалле, может(2) 10 Предмет изобретения Составитель Б. федюкина Тскред Л. КуклинаКорректор О. Тюрина Редактор Г. Гончарова Заказ 1 Б 50/7 Изд ДО Тираж 448 ПодписноеЦ 11 ИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Типография, пр....

Номер патента: 351269

Опубликовано: 01.01.1972

Автор: Кривоносов

МПК: H01L 31/00

Метки: 351269

...транзистор ца основе МОП-структуры, электромагнитное реле, оомотка которого вклсочена в цепь транзистора стока, и источник напряжения постоянного тока, ссодклньчеьгньсй плюсовым зажимом к истоку МОГ-траьсзистора, а минусовым - через облсотку электромагнитного реле к его стоку.Предлагаемое устройство отличается от известных тем, что в него введен нелинейный делитель напряжения, вьцсолценцый иа последовательно соединенных фотоприемнике и нелинейном элементе, например транзисторе, эмцттер которого подключен к затвору МОГ 1- транзистора и к фотоприемнику, а коллектор транзистора соединен с минусовым полюсолс источника напряжения постояццосо тока, плюсовой полюс которого подключен к фотоприемнику. Это позволяет повысить термостабильность и...

Номер патента: 392836

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Васильев, Курносов, Лаврова

МПК: H01L 21/47, H01L 31/00

Метки: герметизации, полупроводниковых, состав

...составы для герметизации полупроводниковых приборов на основе эпоксидных, кремнийорганических, полиуретановых и других соединений, используемые для изготовления широкого ряда полупроводнико вых приборов в пластмассовых корпусах.Однако кремнийорганические соединения имеют низкую механическую прочность, известные составы на основе эпоксидов недостаточно термостойки (до 125 - 150 С) и имеют высокие значения диэлектрических потерь. Поэтому такие составы не могут быть применены для герметизации приборов, работающих в ВЧ и СВЧ диапазонах длин волн. В связи с этим ВЧ и СВЧ приборы классическими методами герметизируют в металлокерамические корпуса без применения пластмасс,Цель изобретения - разработка состава для герметизации...

Номер патента: 375613

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Корнилов

МПК: G02F 1/03, H01L 31/00, H01S 3/18 ...

Метки: модуляции, света, усиления

...фототока к темновому току. При определенных условиях легирования в полупроводниках, содержащих в качестве компенсирующей примеси многозарядные акцепторы, можно получить колебания тока при освещении полупроводника. При этом фотопроводник компенсируют примесью с глубоким уровнем так, что отношение обратных времен жизни неосновных носителей больше отношения концентраций основных и неосновных носителей, и вводят центр прилипания в концентрации, превосходящей концентрацию свободных носителей.Амплитуда колебаний тока при этом может быть весьма значительной (несколько милли- ампер или больше). В этом случае наряду с функцией усиления света происходит его модуляция с частотой, определяемой скоростью движения рекомбинационных волн....

Номер патента: 508827

Опубликовано: 30.03.1976

Авторы: Алиев, Мехтиев, Рустамов, Садыхова, Сафаров

МПК: H01L 31/00

Метки: материал, фоточувствительный

...фоторезисторов.Известны фоточувствительные материалы на основе селенида галлия, работающие при малых освещенностях.Однако такие материалы обладают низкой фоточувствительностью в видимой области спектра.С целью повышения фоточувствительности при малых освещенностях предложено материал на основе селенида галлия легировать Вт 25 е 3 причем оптимальный состав соответстэвует формуле (С 1 а 5 е)1 х(В 125 е 3)х, где х 0,003001.могут быть получены путем2 сплавления исходных селенидов в эвакуированных кварцевых ампулах (до 103 ммрт. ст.) при 980 С в течение трех часов с последующей выдержкой при 720 С в течение двух часов.фоточувствительный материал на осн-ове селенида галлия для работы при малых освещенностях, о тл и ч а ю щ и й с я тем, что,...

Номер патента: 457407

Опубликовано: 25.08.1976

Авторы: Валов, Рывкин, Ярошецкий

МПК: H01L 31/00

Метки: фотосопротивление

...падающего на него излучения. щ Концентрация свободных носителей материала фотосопротивления не должна в случае СО- лазера превышать уровень в 10 см , так как при более высоких концентрациях существует опасность появления тепловых сигна- ц лов, конкурирующих с сигналами фотэпроводимости. Оптимальной концентрацией с точки зрения чувствительности для длины волны 10,6 мхм является концентрация 6Ц10 см , Эксперимент при длительности 20 лазерного импульса 10 сек для этой концентрации следующую величину относительной фотопроводимости 0,1 при инЬбтенсивности падающего на образец света Э = 1 мвт/см, что неплохо согласуетсяс теоретическими оценками. Формула изобретения 1. фотосопротивление для измерения временных и энергетических...

Номер патента: 419177

Опубликовано: 25.08.1976

Авторы: Рождественская, Розенберг, Семенников

МПК: H01L 31/00

Метки: изображений, наблюдения, прибор, ультразвуковых

...направлении и диэлектрическими свойствами в продольном. На внутренней стороне металлокерамики изготовляется сурьмяно-цезиевый фотокатод 4. На небольшом расстоянии (0,1 - 0,5 см) от фотокатода в вакуумной трубке расположена мелкоструктурная металлическая сетка 5, с которой электрически соединен серебряный слой 6 на внешней стороне пьезопластины, Потенциальный рельеф, возникающий на пьезопластине под воздействием ультрмвукового изображения, вследствие поперечной проводимости металпокерамики передается на фс токатод. Возникающий на пьезопластине под воздействием ультразвуковых колебаний потенциальный рельеф передается внутрь вакуумного преобразователя с помощью металлокерамики с анизотропной проводимостью и используется для управления...

Номер патента: 463403

Опубликовано: 25.07.1977

Авторы: Гутов, Данилова, Именков, Царенков, Яковлев

МПК: H01L 31/00

Метки: фотоэлемент

...на основе варнзонной- тт - структуры. И такой структуре ширина запретной зоны монотонно язменяеим в направленяи, перле днкулярном плоскости Р - 1 т - перехода. Эта структура отличается ог других тем, что она обладает сечекгнвной чувствительн ность к свету с энергией фотонов ММблизкой к ширине Р, запретной зоны в области- ч - перехода, и практяческя нечувствительна к свету с энергией фо гонов, отличной ог св областя- тт перехода.Бель изобрел+пня - обеспечение анализа спектрального распределения нэпу ения в одном кристалле.Предложенный фотоэлемент выполнен в вяде пластины из вариэонного кристалла, содожащего Р - тт - переход, причем ширина запретной эоны плавно изменяется по толшнпе пластины. Отпичне предложенперехода, гак я в...

Номер патента: 460831

Опубликовано: 25.10.1977

Авторы: Гольдберг, Царенков, Яковлев

МПК: H01L 31/00

Метки: поверхностнобарьерный, полупроводниковый, прибор

...целью получения координатно-чувствительного фотоответа в предлагаемом приборе потенциальный барьер расположен на той поверхности варизонно" го кристалла, которая по крайней мере по одной иэ координат имеет градиент ширины запрещенной эоны. 15Прибор представляет собой кристалл варизонного полупроводника(Са, АСАь ) с расположенными на нем выпрямляющим и омическим контактами, причем выпрямляющий контакт располагается на поверх 20 ности, которая по одной иэ координат имеет градиент ширины запрещенной эоны. Освещение прибора производится через слой металла, образующего выпрямляющий контакт, который делается достаточно тонким.Так как величина фототока прибора сильно зависит от ширины запрещенной эоны или энергии падающих фотонов, то...

Номер патента: 401267

Опубликовано: 25.10.1977

Авторы: Гольдберг, Царенков, Яковлев

МПК: H01L 31/00

Метки: поверхностно-барьерный, полупроводниковый, прибор

...ностно-барьерный прибор; на зана зависимость ширины з401267 Составитель Г, КорниловаРедактор И, Груэова Техрец Н, Андрейчук Корректор А, КравченкоЗаказ 3358/4 Тисвж 976 По е еНИИПИ Государственного комитетапо делам изобретений113035, Москва, Ж, Раушск ДПИСНО 8Совета и откь Министров СССРр етийая наб., д. 4/5, Поверхностно-барьерный прибор выполнениз слоя 1 металла, например золота, создавшего Вьепрямляео 1 ций контакт к слоео полупроводниковогоматериана 2, споа Зметаппа,например индия, соэдаеошего Омич 8 ский. контакт к полупроводниковому материалу; и,тоКоподводов 4 и 5 к металлическим слоям.Прибор работает следующим образом.К токоподводам прикладываеФся напряркение. Если положительньы полюс батареи щасоединен к тркоподводу 5 то чеэез...

Номер патента: 286773

Опубликовано: 05.11.1977

Авторы: Коваленко, Панасюк

МПК: H01L 31/00

Метки: приемник, фоточувствительный

...хх может лежать в различны тра. В небольших пределах (порялка 100 А) точ.кой инверсии можно управлять, изменяя прило.женное напряжение.На фиг. 1 показан поперечный разрез фото.чувствительного приемника; на фиг. 2 изображена спектральная характеристика тока корот.кого замыкания,На монокристаллическую пластинку 1 кремния (Я) толщиной порядка 100-200 мк напылением в вакууме или иным известным образомнанесен слой 2 теллурида кадмия (СдТе) спроводимостью р-типа, толщиной на лва по.рядка меньше.На слой СОТе распылением в вакууме наносится слой, который впоследствии служитэлектрическим контактом 3. В результате прогрева в вакууме, диффузией 1 и в теллуридекалмия создается область 4 с л-типом проводимзсти,Электрическим контактом к кремнию...

Номер патента: 497899

Опубликовано: 25.03.1978

Авторы: Бочкарева, Парицкий

МПК: H01L 31/00

Метки: фотоприемник

...покрытием в контакте с твердым электролитом. оВ темноте в отсутствии внешнего напряжения и при гальванической разности потенциалов, равной нулю, что возможно при определенном разборе материалов электропроводящего покрытия и вещества твердого электролита, ток в Фотоприемнике равен нулю. При величине напряжения на фотоприемнике, отличной от нуля, в фотоприемнике (при замыкании внешней цепи) протекает темновой ток. При освещении Фотоприемника вследствие инжекции светом неосновных носителей сопротивление поверхностного барьера уменьшается, что приводит к появлению фото- тока. Если на поверхности Фотоприемника задано распределение интенсивности 25 света, то оно приводится к распределению Фототока по площади фотоприемника, что мсжет...

Номер патента: 457424

Опубликовано: 28.02.1979

Авторы: Головнер, Жидкова, Ковалева, Ландсман

МПК: H01L 31/00

Метки: глубины, залегания, перехода

...начиная с определенного значения концентрации указанной примеси,С целью повышения точности и упрощения способа структуру облучают светом с длиной волны из области спектра собственного, поглощения и по величине фототока короткого замыкания судят о глубине залегания р - гг-перехода.Облучают прибор со стороны гг(р)-области электромагнитным излучением в области спектра собственного поглощения данного материала и измеряют фототок короткого замыкания. При помощи градуировочного графика, который связывает величину фототока короткого замыкания прибора на разных длинах волн с глубиной залегания р - п-перехода, определенной одним из известных методов, находят участок спектра, в котором существует однозначное соответствие между величиной...

Номер патента: 585775

Опубликовано: 30.10.1980

Авторы: Беляев, Кузнецов, Медяник

МПК: H01L 31/00

Метки: фотодетектор

...фотодетекторабез уменьшения его чувствительности 2и обнаружительной способности.Достигается это тем, что в устройство введен неинвертирующий усилитель, имеющий низкое выходное сопротивление и коэффициент усиления меньше единицы, вход которого соединен систоком, а выход - со стоком полевого транзистора и с другим выводом фо"топриемника,На чертеже приведена схема описываемого фотодетектора.Предложенный фотодетектор содержит полевой транзистор 1, затвор которого соединен с общей шиной черезрезистор 2, зашунтированный последовательной цепочкой, разделительную 40емкость 3, резистор 4 нагрузки, фотоэлемент 5,один электрод которогочерез резистор нагрузки соединен собщей шиной, а другой - со стокомполевого транзистора 1 и через...

Номер патента: 817807

Опубликовано: 30.03.1981

Авторы: Конюхов, Матюнин, Плют

МПК: H01L 31/00

Метки: оптрон

...зависимость результирующего температурного ко" эффициента Кр термостабилизированного светофильтром оптрона от отношения 5 о светового потока Гф, падающего на фотоприемник 3 через термостабилизирующий светофильтр 4, к полному световому потоку излучателя Г , 5 = Г /Г .Здесь К д максимально допустимое значение температурного коэффициента не стабили"15 20 25 Формула изобретенияОптрон, содержащий оптически связанные фотоприемник и излучатель,расположенные в корпусе, о т л и "ч а ю щ и й с я тем, что, с цельюобеспечения температурной стабили 5 зации характеристик оптрона и компенсации влияния технологическогоразброса температурных и.спектраль.=.ных характеристик элементов оптрона,в цепь оптической связи излучателяс фотоприемником введены...

Номер патента: 843030

Опубликовано: 30.06.1981

Авторы: Алексеюнас, Балейшис, Бондаренко, Гечяускас, Сукацкас

МПК: H01L 31/00

Метки: регули-рования, температуры

...напРимеР 45пленки диоксида ванадия (участока кривой на фиг. 2) термочувствительный зонд находится в высокоомном состоянии, и протекающий ток,например, в обмотке реле исполни Отельного механизма 2 недостаточендля еесрабатывания, С повиаениемтемпературы окружающей среды дотемпературы ФП термочувствительнойполупроводниковой пленки напримерпленки диоксида ванадия стехиометрическфго состава, сопротивление еескачкообразно падает(участок б нафиг. 2), ток в цепи возрастает, послечего срабатывает реле исполнительного механизма, и в этот момент еОвключается механизм, управляющийтемпературным режимом технологического процесса. При дальнейшем увелйчении температуры(участок в кривой.на фиг. 2) и достижении темпера туры фазового перехода другого...

Номер патента: 824836

Опубликовано: 15.08.1982

Авторы: Васильева, Воровьев, Стафеев

МПК: G02F 1/03, H01L 31/00

Метки: ик-излучения, модулятор

...решетки кристалла) и постоянстве вводимой в кристалл мощности на один носитель заряда е р(р)Е (где р(р) - подвижность дырок, Е - напряженность электрического поля) Ь о (р) падает с ростом дырок в диапазоне р= (1 - 9) 10" см -примерно как Ло р - " (т = 0,5 - О,б 5). Однако величина Ьа р Л (глубина модуляции) при М 1 растет с ростом дырок примерно р"(п=0,35 - 0,5). 5 10 15 20 25 Зо 35 40 45 С другой стороны мощность, выделяемая в единице объема вещества, растет в непрерывном режиме с ростом дырок, что приводит к разогреву кристалла и падению глубины модуляции света.Гаким образом, при модуляции света в непрерывном режиме должна сущестьовать оптимальная область концентраций дырок, для которой достигается максимальная глубина...

Номер патента: 270118

Опубликовано: 30.09.1983

Авторы: Завадский, Калашников, Карпова, Корнилов

МПК: H01L 31/00

Метки: фоторезистор

...интенсивности регистрируемого потока.Такие фоторезисторы можно попучить, в частности, на основе кремния, пегированного цинком и фосфором, а также на 4 О основе германия, легированного марганцем и сурьмой. Дпя фоторезистора на ;основе кремния ь -типа соотношение концентраций спецующее.фоторезистор включают в цепь, состаящую из источника ЭДС и послецоватепьно соециненного нагруэочного сопротивпения (Йн= 10 - 10 Ом). К5 фоторезистору прикпацывается попе такой величины, что црейфовая апина неос новнык носитепей больше циффуэионной (Е 1 45 В/см).фоторезистор работает в цвух режимак. В первом из ник при отсутствиипацаю щего на образец излучения в цепи прото кает постоянный ток. Напряженность поля на образце близка к пороговой, При освещении...

Номер патента: 667016

Опубликовано: 28.02.1984

Авторы: Кляус, Ржанов, Черепов

МПК: H01L 31/00

Метки: излучения, регистрации, светового

...времени эмиссии носителейзаряда с поверхностных состояний,и амплитудой, создающей потенциальную яму в подложке порядка толщинй инверсионного слоя.На фиг. 1 изображена блок-схема устройства на ПЗС, реализующего способ.На фиг. 2 - временная диаграмма, поясняющая работу, на фиг, 3 - потенциальная яма под полевым электродом; на фиг. 4 - распределение концентрации поверхностных состояний в запрещенной зоне полупроводниковой подложки.На ПЗС резистор сдвига содержит подложку 1 из п-кремния, входную р-область 2, входной электрод 3, прозрачные передающие электроды 4-6, выходной затвор 7, выходную р-область 8, слой диэлектрика 9, зарядовый транзистор 10, выходной транзистор 11, нагрузочный резистор 12 ( 0 с и Е - постоянные...

Номер патента: 1116473

Опубликовано: 30.09.1984

Авторы: Дмитрук, Ерохин, Литовченко, Медвидь

МПК: H01L 31/00

Метки: фотоприемник

...фотоприемника от напряжения на полупрозрач-ных к принимаемому излучению металличес. ких пластинах; на фиг, 3 - зависимость фототока от интенсивности электромагнитного излучения при нескольких значениях напряжения на полупрозрачных к принимаемому излучению металлических пластинах.Фотоприемник состоит из полупроводниковой пластины 1, источника 2 электрического напряжения, диэлектрических слоев 3, полупрозрачных к принимаемому излу чению металлических пластин 4, введенного регулируемого источника 5 электрического напряжения и регистратора 6 (фиг. 1).Фотоприемник работает следующим образом.Если облучать полупроводниковую пластину электромагнитным излучением, создающим неравновесные электронно-дырочные пары, через полупрозрачную к...

Номер патента: 1123069

Опубликовано: 07.11.1984

Авторы: Именков, Стамкулов, Таурбаев

МПК: H01L 31/00

Метки: видимую, область, света, фотоприемник

...нецелесообразно как с меньшими Е ) З 5 чем удовлетворяющие условию (так как крутизна края будет столь же .большой, как у.известного фотоприемника), так и с большимиЧЕ 1 изза снижения квантовой Фоточувстви тельности вследствие невозможности полного поглощения фотонов при малой толщине узкозонного слоя приЕа 1 )ь- Ма . В частности, если принять значение а, которое может меняться в некоторых пределах в зависимостиот состава и уровня легирования твердого раствора, равным 10 см , то граничные условия для ЧЕ будет следующими100 эВ/см соЕа 700 эВ/см.Выбранное направление градиента энергии прямых переходов обеспечивает увеличение коэффициента собирания неосновных носителей р в .и-переходов с ростом энергии Фотонов, так как с ростом Ь 4...