H01L 27/082 — только биполярные компоненты

Номер патента: 1746439

Опубликовано: 07.07.1992

Авторы: Карпов, Кисель, Малый, Силин, Смирнов, Чувелев

МПК: H01L 27/082

Метки: интегральная, схема

...ее одновременное внедрение под область эмиттера по меньшей мере одного иэ транзисторов на глубину превышающую глубину эмиттера,На фиг.1 изображена предлагаемая интегральная схема; на фиг.2 - поперечный разрез активной структуры первого, второго и третьего транзисторов интегральной схемы.Интегральная схема содержит первый транзистор 1, база которого через первый резистор 2 соединена с шиной питания+ Чсс 3, а с входом 4 схемы - через диод 5, включенный в направлении к входу 4 схемы. Коллектор транзистора 1 через второй резистор б соединен с шиной питания 3, а эмиттер - с базой второго транзистора 7. Эмиттер транзистора 7 соединен с базой третьего транзистора 8, эмиттер которого соединен с общей шиной 9; Интегральная схема выполнена на...

Номер патента: 1746440

Опубликовано: 07.07.1992

Авторы: Дворников, Любый

МПК: H01L 27/082

Метки: биполярная, интегральная, структура

...она эффективно собирает неосновные носители, инжектированные эмиттером горизонтального р - и - р-транзистора и увеличивает его коэффициент усиления,Возможен случай, когда вторая замкну-, тая область имеет глубину, равную глубине залегания базовых областей, Однако при этом необходимо учесть, что введенные первая замкнутая и эмиттерная области гори- зонтального транзистора имеют степень легирования больше, а глубину залегания меньше, что обеспечивает увеличение собирания носителей, инжектированных эмиттерной областью горизонтального р - и - р-транзистора за счет увеличения параметра (по кольцу) и площади собирающей части (носители собирает как первая замкнутая область. так и более глубоко залегающие участки баз вертикальных и - р -...