Винценц

Способ изготовления омических контактов к полупроводниковым приборам

Загрузка...

Номер патента: 1589926

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Брянцева, Винценц, Любченко, Юневич

МПК: H01L 21/268

Метки: контактов, омических, полупроводниковым, приборам

...при малых на- пряжениях дает несколько большее, чем в примере 1, общее сопротивление В = 25 Ом.Выход за пределы рекомендуемого.оинтервала значений Е в сторону11уменьшения атой величины приводит к тому, что в области контакта остается модифицированный потенциальный барьер, Например, при Г= 1,4 10 Дж (Е = 0,28 Дж/см) вольт-амперные ха 8рактеристики диодных структур - кривая 4 на Фиг. 1 - носят асимметричный характер, относительно нулевого напряжения. Это свидетельствует о сохранении остаточного барьера в структуре металл-полупроводник,Наклон ВАХ при малых напряжениях дает н этом случай высокое общее сопротивление - 65 Ом. Дальнейший выход,из рекомендуемого интервала значений Е (Е,=1,0510 вДж, Е= 0,21 Дж/см 2) приводит к тому что ВАХ...

Способ определения температуропроводности металлов и полупроводников

Загрузка...

Номер патента: 1570476

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Винценц, Сизов

МПК: G01N 25/18

Метки: металлов, полупроводников, температуропроводности

...образцаосуществляют вне нагреваемого участка, т,е, аг , где а - радиусгауссового распределения интенсив- ЗОности греющего луча, Расстояше ггыбирают иэ условия аг5 а. Внутрп этого интервала расстояний болеепредпочтительными являются значенияк о (1,5-3,0)а, посколькУ пРи мень 35ших значениях то начинает сказыватьсяконечная длительность импульса и конечный размер зондирующего пятна (ведет к потере точности определенияМ),а при больших расстояниях г значительно уменьшается максимум Фототермического смещения поверхности,образца, что приводит к уменьшению вы-ходного сигнала. В результате поглощения части импульсного излучения в 115нагреваемой области образца 13 происходит импульсное Фототермическоесмещение. поверхности с частотой повторения...

Способ определения дозы имплантированных ионов на поверхности полупроводника

Загрузка...

Номер патента: 1602291

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Винценц, Миргородский, Халилов

МПК: H01L 21/66

Метки: дозы, имплантированных, ионов, поверхности, полупроводника

...оптическогои луч:.ния 3, систему зеркал 4,5,6,линзы 7 и 8, позиционно-чувствительньвт д 1 отоприемник 9, интегратор 10,днухкоординатный самописец 11 и исследуемый образец 12,Исследуемые образцы представлялисобой пластины СаЛз толщиной 4=250 мкм,выращенные по методу Чохральского,с имплантированными в них ионами 81 ф .Энергия ионов при имплантации поверхности (100) составляла 80 кэВ. Длинуволны 9 е = 1,06 мкм выбирали такимобразом, чтобы энергия квантов Ь 11, 17 эВ была меньше ширины запрещенной зоны Г СаАз (Е = 1,43 эВ) и со"2 Еответствовала условию - с Ь 1 с Е,3/В качестве источника возбуждающе- л 0 го оптического излучения 1 использовали лазер ОТИна алюмоиттриевомлгранате с длительностью ьсветовых импульсов 10с и частотой4...

Устройство для крашения бесконечного текстильного волокна в мотках

Загрузка...

Номер патента: 983159

Опубликовано: 23.12.1982

Авторы: Аурих, Баух, Брауер, Винценц, Кениг, Шлаупитц

МПК: D06B 3/28

Метки: бесконечного, волокна, крашения, мотках, текстильного

...сбоку от струйногосопла б по раздвоенному присоединению 8 через чашхи 9 и 10При необходимости на входе сопламожно устанавливать дистанционныедиски для регулирования или изменения зазора сопла 11.К струйному соплу б в направлении,струи примыкает трубка для направления волокна 12, имеющая также прямоугольное сечение, конически расширяющееся к концу 13 и загнутое подуге косо вниз. Конец 13 свободновходит в пространство складывания 1.Внешняя оболочка 14 каждой камеры для обработки 5 в верхней частипространства складывания 1 втянуто вниз и образует так называемую отражательную стенку 15, Внутренняяоболочка, выравнивая это сужение,проходит также в верхней части пространства складывания с косым накло 5 ном к внутреннему пространству...

Устройство для защиты от коррозии электродвигателя циркуляционного насоса

Загрузка...

Номер патента: 127782

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Вильгельм, Винценц, Курт

МПК: F04D 25/06

Метки: защиты, коррозии, насоса, циркуляционного, электродвигателя

...схема устройства.Перегородка 1 разделяет корпус высокого давления на две части 2 и 3 (камеры), в одной из которых размещен циркуляционный насос 4, а в другой - электродвигатель 5. Перегородка 1 имеет отверстия 6 и 7, в которых вмонтированы обратные клапаны 8 и 9.Циркулирующий газ поступает из реакционного сосуда 10 или его сепаратора через трубопровод 11 непосредственно в камеру 2. Свежая газовая смесь еще не коррозионноспособная поступает через трубопровод 12 и охлаждает обмотку электродвигателя, Давление этой смеси выше, чем давление циркулирующего газа, поступающего через трубопровод 11; газовая смесь поступает через отверстия б, 7, открывая обратные клапаны В, 9, в камеру 2, смешивается с циркулирующим газом, поступающим...