H01L 29/06 — отличающиеся формой; отличающиеся формами, относительными размерами или расположением полупроводниковых областей

Номер патента: 150938

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Сахаров, Тихонов

МПК: H01L 29/06

Метки: диод, полупроводниковый

...изображена схема конструктивного .выполнения описываемого диода.На гладкую поверхность монокристаллической пластины из полупроводникового материала, выполненной в виде диска или квадрата, наносят концентрические риски 1 или продольные риски 2, расположенные параллельно сторонам квадратной пластины. Для сохранения одинаковой толщины пластины по всему сечению с нижней ее стороны также наносят риски, сдвинутые относительно верхних рисок.При нанесении рисок увеличивается общая площадь пластины полупроводника, а следовательно, и мощность, снимаемая с электроннодырочного перехода, причем периметр пластины при этом остается неизменным, Наибольший эффект дает нанесение на пластины канавок, имеющих прямоугольный профиль,Описанная...

Номер патента: 152031

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Прохоров, Шеховцов

МПК: H01L 29/06

Метки: германиевый, полупроводниковый, прибор

...до первоначального значсния, а изменяется в соответствии с изменением величины заряда неосновых носители, Обусловленым рекомбинацией в объеме и на пздводящих контактах. Только после полной ре комбинации заряда неосновных носителей проводимость первой базы; примет свое первоначальное значение, Поэтому импульс на сопротивлении 4 фиг. 2) (1, включенном последовательно со второй базой 5, станет длиннее входного. Наибольшим будет удлинение импульсоз, длительность которых меньше времени жизни неосновных носителей меньше времени пролета носителей в первой базе 3.В случае изготовлеия удлипителя нз ВысокоомОГО матер 112 ла выходной импульс в результате большого падения входного импульса и накопления заряда неосновных носителей...

Номер патента: 161075

Опубликовано: 01.01.1964

МПК: H01L 29/06, H01L 29/32

Метки: 161075

...происклит по шое перекрытие ее объемным заряло:5. П 1 еллд где:51 ое сочетание в приборе и 1- ;уктивцости и отрицательного сопротцвления позволяет повысить лооротцость элемента.Преллагдемьш полупроволциковьш инлуктивцый элемент выпол;ец в виле диода из кремшя с электрош 1 ым типом прозолимостиулельцым сопротивлением 100 оисл; и-р-перекол и омцческий контакт получены плалсцием соотстстсио алюминия и зоота, солеркащего 0,1,"сурьчы. Толщина базы прибО 1)д порялкд 15,11 к. Иилуктивный эффект и отрицательное сопротивление у лиолов ичеот често при цапряжецияк, которые г;реьшают цапрякение, соответствующее полному перекрытию объемным зарядом базо;ц 1 олд. В ицтс 1 идле частот 400 - л ктцвиость преллдгдемык лиолов тигдть цсско,1 ьки. лссятков...

Номер патента: 173849

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Сестрорецкий, Синьков, Якубень

МПК: H01L 29/06

Метки: переключательный, полупроводниковый, свч, элемент

...осуществляется диэлектрическим покрытием.Толщина -области в элементе берется чительно больше, чем толщина р -ипереходов. В этом случае р - с и- пходы непосредственно не участвуют в у ленин сигналом СВЧ. Управление осуществляется за счет изменения проводимости области высокоомного полупроводникового криДля уменьшения мощности управления, атакже повышения стабильности параметров 10 рабочими напряжениями на элементе берутнулевое напряжение и положительное напряжение, равное примерно одномувольту. Так как элемент не используется при отрицательных напряжениях, то форма вольт-амперной 15 характеристики при обратных смещениях неимеет существенного значения, в результате внешние факторы (водяные пары) значительно слабее влияют на...

Номер патента: 213194

Опубликовано: 01.01.1968

Автор: Стафеев

МПК: H01L 29/06, H01L 45/00

Метки: полупроводниковый, прибор

...концентрацию неравновесных носителей. Это возможно, например, при осве щении светом или другим излучением путем введения неосновных носителей из дополнительного р - и а - перехода (или точечного контакта), осуществленного на базовой области. 60Так, управление током диода путем модуляции величины д возможно, например, изменснием ширины слоя объемного заряда, если она достаточно велика. Такой способ может быть осуществлен в приборах из полупровед и дырок;р, - удельное сопротивление исходного всщества;р - время жизни неосновных носителей,ника с малой концентрацией примесей и носителей (порядка 10+1012 см - 3)Управление током посредством модуляции длины диффузионного смещения возможно несколькими путями, например, изменяя подвижность...

Номер патента: 213195

Опубликовано: 01.01.1968

Автор: Булкин

МПК: H01L 29/06

Метки: вентиль, диффузионный, лавинный, силовой

...снятия фаски.Предлагаемая диффузионная р - и - структура отличается от известной тем, что р - и -- переход выходит на поверхность эмиттерной 15 стороны пластины и может быть вскрыт, например, травлением кольцевой периферийной области пластины кислотными травителями типа СР.Кроме того, предлагаемая конструкция 20 р - и - структуры позволяет осуществить вскрытие р и - переходов непосредственно на пластинах, до пайки их на компенсирующие электродные диски; использовать для заШиты р - и - переходов термостойкие крем ний-органические лаки; вести контроль р - и -переходов по вольтампернои характеристике на пластинах, применить одновременную пайку кристалла на оба электродных диска.Высокая эффективность применения предлагаемой р - и...

Номер патента: 245922

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Вальд, Мартиросов, Тагер

МПК: H01L 29/06

Метки: 245922

...ставленного из различных полупроводниковыхи диэлектрических материалов, отличающихся значениями ширины запрещенной зоны таким образом, что запорный слой располагается частично в полупроводнике (диэлектрике) с узкой запрещенной зоной и низкой пробивной напряженностью электрического поля, а частично в полупроводнике (диэлектрике) с широкой запрещенной зоной и высокой пробивной напряженностью электрического поля. В 0 этом случае даже при однородном распределении напряженности электрического поля по толщине запорного слоя можно в широких пределах варьировать отношение ширины слоя умножения и ширины пролетного пространства и следовательно отношение О /с/. В частности, в структуре с однородным полем можно сделать слой умножения очень тонким по...

Номер патента: 256084

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Данилин, Константинов, Морозов, Черн

МПК: H01L 29/06

Метки: автоматической, регулировкой, схем, транзистор, усиления

...дает возможность получить приведенное выше отношение между концентрациями подвижных носителей и примеси в коллекторном 25 переходе, а это в свою очередь и определяетвозможность раооты транзистораАРУ.ет Кроме того, указанная структура позволя выполнять транзисторы с АРУ на базе пр стой сплавно-диффузионной технологии пр2 М 084 Составитель М. ЛепешкинаРедактор Б. Б. Федотов Техред Т, П. Курилко Корректор Р. И, Крючкова Заказ 577/3 Тираж 480 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква Ж, Раушская наб., д. 4(5 Типография, пр. Сапунова, 2 условии сохранения небольших значений сопротивления базы.Обязательным условием, обеспечивающим указанную соизмеримость концентраций носителей и примеси,...

Номер патента: 281651

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Кузнецов, Муравский

МПК: H01L 29/06

Метки: генератор, полупроводниковый

...на процессе релаксации ,поверхностного потенциального барьера. На поверхностно-барьерный переход относительно пластины (базы) подается постоянное обратное напряжение, плоскостной р-,п-переход шунтируется резистором. С некоторого критического напряжения на поверхностно-барьерном переходе начинается интенсивная холодная эмиссия электронов с поверхностных уровней в зону проводимости полупроводника. Это приводит к уменьшению высоты стоверхностного барьера, образованного захваченными на этих уровнях электрснами, в евою очередь это ведет ж уменьшению напряжения в истощенном слое и прекращению эмиссии, Возвращаясь к равновесию, поверхностные уровни вновь захватывают электроны, и потенциальный барьер восстанавливается. Восстанавливается и...

Номер патента: 333877

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Белановскин, Даннлнн, Клюев, Морозов, Синев, Филатов, Чернйвскин

МПК: H01L 29/06

Метки: германиевый, планарно-эпитаксиальныйтранзистор, р—п—р

...увеличиваться, что приведет к снижению граничной рабочей частоты. Это позволяет до минимума снизить сопротивление пассивной части базы чб и, следовательно, увеличить предельную рабочую частоту при уменьшенных требованиях фотогравировки, что удешевляет стоимость транзистора.Токоведущая площадка, выполненная в пределах площади коллекторного окна, уменьшает паразитную емкость эмиттер-коллектор, что также повышает предельную рабочую частоту, Токоведущая площадка является одновременно эмиттером, причем эмиттер расположен внутри токоведущей площадки, что упрощает и удешевляет конструкцию, так как исключается операция напыления токоведущей площадки. Кроме того, расположение эмиттера внутри токоведущей площадки позволяет получать надежно...

Номер патента: 339248

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Акперов, Именков, Ордена, Царенков, Яковлев

МПК: H01L 29/06

Метки: индуктивный, полупроводниковый, элемент

...зоны на 25 границе с первым полупроводниковым слоембольше, чем ширина запретной зоны первого полупроводника, и плавно уменыпается по направлению к омическому контакту, Металлические слои образуют с прилегающими к ним ЗО полупроводниковыми слоями омический кон339248 Предмет изобретения Составитель Л, КотТекред Т, Миронова Корректоры Е, Талалаева и В. ЖолудеваРедактор Т. Орловская Заказ 824/1 Изд. Ме 1239 Тираж 780 ПодписноеЦ 11 ИИПИ Комитета по делам изобретений и открытии при Сонете Министров СССР Москва, Ж, Раушская иаб д. 4/5 Типография, пр, Сапунова, 2 такт. Между двумя полупроводниковыми материалами. имеется потенциальный барьер.Полупроводниковый прибор с управляемым реактивным сопротивлением состоит из слоя индия, слоя...

Номер патента: 410492

Опубликовано: 05.01.1974

МПК: H01L 29/06, H03D 1/18

Метки: 410492

...15 размеры которого много меньше длины волны в волноводе, а на стороне, примыкающей к держателю, расположены два снабженных металлическими контактами переход типа р - и Контакт 5 имеет гальваническу корпусом держателя, а контакт 4 п изолированного проводника 7 с крышкой 8, которая изолирована держателя прокладкой 9.Держатель с кристаллом закр волноводе, в центре одной из его стенок.При воздействии электрическог кристалл на р - и и и - и+ перех кают термоэлектродвижущие сил носителей, имеющие противополож ность по отношению к кристаллу. контактах получается суммарная водящая к повышению чувствител ройства,ю связь с ри помощи оединен с от корпуса пляется в широких о поля на одах возниы горячих ную полярПоэтому на э.д.с.,...

Номер патента: 552865

Опубликовано: 25.10.1977

Авторы: Дубровская, Именков, Попов, Равич, Царенков

МПК: H01L 29/06

Метки: диод

...варизонную область 1, выполненную из р-Са, А 1 АЭ, гвтероинжектор 2, выполненный из п-Са, АРАБ,омические контакты Э и 4 - и -переход 5,Носители, которые инжектируются в вБризонную облвсгь гетероинжектором оквзыввются в ней под воздейсгвием тормозящего электрического поля, при:-.имяюшего ихк гетероинжекгору и способсгвуюшего ихэксгракции, Это поле, равное градиенту ширины запретной зоны варизонной области, деленному на заряд электрона, можно увеличивать в широких пределах и таким образом достигнуть высокого быстродействия диода. Величина электрического поли не уменьшает. ся по мере удаления ог .р-,И -.перехода, чем улучшаются условия экстракции неосновных носителей и повышаегбя эффективность диода.р- и -переход может располагаться...

Номер патента: 1140190

Опубликовано: 15.02.1985

Авторы: Вольфганг, Йерг, Кристиан

МПК: H01L 29/06, H01L 45/00

Метки: переключающий, полупроводниковый, элемент

...строение переключающего элемента.Переключающий элемент находится на подложке 1, которая может представлять собой кремниевую, стеклянную или металлическую пластину. В качестве исходного слоя для собственно переключающего элемента на подложку 1 нанесен базовый электрод 2, например, из сплава молибдена и алюминия или никеля и хрома, Базовый электрод 2 и часть подложки 1 покрыты слоем поликристаллического кремния 3, в котором образован легированный проводящий канал 4, расположенный перпендикулярно к рабочей поверхности слоя поликристаллического кремния и обеспечивающий контактирование базового электрода 2 со слоем аморфного полупроводникового материала 5. Между проводящим каналом 4 и аморфным полупроводниковым материалом 5...

Номер патента: 1739402

Опубликовано: 07.06.1992

Авторы: Бодров, Виноградова, Зотов, Серов

МПК: H01L 29/06

Метки: полупроводниковая, полупроводниковой, проводимостью, структура, структуры

...отрезок ВС). Причем по сечению структуры плотность тока не одинакова: в зоне шнура она значительно больше, чем в других сечениях, При увеличении напряжения питания происходит ростдиффузионного потока дырок к границам шнура,Рекомбинация с носителями тока (электронами) в шнуре увеличивается, ток шнура уменьшается, напряжение на структуре увеличивается, начинается процесс разрушения шнура тока. Однако при этом напряжение на структуре увеличивается и при достижении некоторого значения напряжения О (фиг.2) процесс разрушения шнура тока (у его границ) приостанавливается, рекомбинировавшие электроны вновь активируются полем при напряжении на структуре О 1, начинается новый процесс ударной ионизации и шнур тока расширяется до первоначального...

Номер патента: 2003208

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Лебедев, Шнитников

МПК: H01L 29/06

Метки: диод, ограничительный, полупроводниковый

...время пролета т носителей заряда через обедненную область было мало посравнению с периодом Т СВЧ колебаний: т =О,1; Т = 1/Т. С учетом дрейфового характера движения носителей при высоком уровне мощности можно записать в случае 5 В/5В/4: т = ЧЧ 4/Чз, где Ч - дрейфоваяскорость. При использовании кремния име- ем 10В/4() = (4) Толщина базы В/ предложенного диодавыбирается иэ соображений малых вносимых потерь в режиме низкого уровня мощ ности и большой рабочей мощности врежиме ограничения, но не оказывает влияния на величину постоянного токаспоэтому целесообразно наложение условия 40 В/1 ) (5 - 10) В/4. (б) Увеличение толщины В/1 сверх указанного предела влечет эа собой рост времени восстановления, а также (при неизменной толщине В/4)...

Номер патента: 1414238

Опубликовано: 10.06.1997

Автор: Монахов

МПК: H01L 29/06

Метки: полупроводниковый, прибор

1. Полупроводниковый прибор, содержащий полупроводниковую структуру в виде полого цилиндра с коаксиально расположенными полупроводниковыми слоями, образующими p-n-переходы, внутренний и внешний электроды, образующие с областями структуры омические контакты, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей и повышения степени интеграции, вдоль образующей цилиндра на внешней и внутренней поверхностях выполнено не менее двух канавок, пересекающих по крайней мере один p-n-переход.2. Прибор по п.1, отличающийся тем, что, с целью уменьшения времени выключения, канавки выполнены с глубиной, меньшей протяженности области пространственного заряда в базе блокирующего p-n-перехода.3. Прибор по п.1, отличающийся тем,...