Мощная свч-транзисторная структура

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК 741190 А 1 29 51) ИЕ ИЗОБ ТЕНИ И У. СВИДЕТЕЛЬСТВ АВТОР ниверс им, Леи О. М Кочет нарные транзистоова. М.: Сов, радио,3 - 136637, кл, Н 01Н ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР(71) Воронежский госунинского комсомола(54) МОЩНАЯ СВЧ-ТРАНЗИСТРУКТУРА Изобретение относится к полупроводковой электронике, в частности к консткции мощных СВЧ-транзисторов. С ВЧ-транзисторная я полупроводникорой сформированы ра, соединенные с плошными металлиами, сформировансти подложки и ля присоединения иков, электрически дки с внешними выстора,металлизированных сравнимая по вели- торного р-и-перехотакой структуры. Известна мощнаяструктура, содержащавую подложку, на котообласти базы и эмиттесоответствующими им сзированными площадкными на поверхнопредназначенными дпроволочных проводнсвязывающих эти площаводами корпуса транзиБольшая емкостьконтактных площадок,чине с емкостью коллекда ухудшает параметрь(57) Изобретение относится к полупроводниковой электронике, а частности к конструкциям мощных СВЧ-транзисторов, Цель изобретения - повышение максимальной рабочей частоты и коэффициента усиления по мощности транзисторной структуры за счет снижения паразитной емкости контактной площадки, Для этого ширина канавок, протравленных в контактных площадках для уменьшения площади обкладки паразитного конденсатора,не превышает их удвоенной глубины. Это,условие обеспечивает образование воздушного зазора по всей площади канавок, что дополнительного снижает паразитную емкость контактных площадок, 2 ил. Наиболее близкой к изобретению явля- й ется мощная СВЧ-транзисторная структура, содержащая полупроводниковую подложкуфь с областями эмиттера, базы и коллектора, причем две из этих областей соединены с металлизированными площадками для присоединения выводов, расположенными на поверхности подложки. Для уменьшения емкости этих площадок они разделены на изолированные друг от друга участки выемками в форме канавок, глубина которых не меньше толщины металлизации.В этой конструкции емкость каждой контактной площадки образуется лишь теми изолированными площадками, которые непосредственно контактируют с проволочным проводником.Кроме того, паразитная емкость контактной площадки велика, что уменьшает мак1741190сравнению с тем случаем, когда такой зазор отсутствует из-за заполнения объема канавки "ножкой" 12 проводника.Это уменьшение позволяет на -5 увеличить максимальную рабочую частоту и коэффициент усиления по мощности предлагаемой структуры,П р и м е р. Изобретение использованопри изготовлении транзистора с выходной мощностью 75 Вт. Транзистор имеет 36 базовых областей размером 61288 мкм и общую площадь базы 1,939 мм на кремни 2евой подложке с удельным сопротивлением 2,5 Ом см, содержащей 10 эмиттерных и 9 базовых контактных площадок размером 150 х 150 мкм. Глубина канавок равна толщине металлизации, ширина канавок - удвоенной толщине металлизации. Это позволяет получить величину коллекторной емкости транзистора 117,3 пФ и коэффициент усиления по мощности Кур=9 на частоте 440 МГц. В транзисторе, у которого ширина канавок равна утроенной толщине металлизации, эти параметры равны соответственно 127 пф, Кур=8,1 на частоте 400 МГц.Использование изобретения позволяетна -5 оповысить максимальную рабочую частоту и коэффициент усиления по мощности мощных СВЧ-транзисторов.Формула изобретения Мощная СВЧ-транзисторная структура,содержащая полупроводниковую подложку с областями эмиттера, базы и коллектора, причем по меньшей мере одна из этих областей соединена с металлизированной площадкой для присоединения вывода, расположенной на поверхности подложки и имеющей выемки в форме канавок. глубиной не менее толщины металлизации, о тл и ч а ю щ а я с я тем, что, с целью повышения максимальной рабочей частоты и коэффициента усиления по мощности транзисторной структуры за счет снижения паразитной емкости контактной площадки, ширина каждой канавки не превышает ее удвоенной глубины.5055.гСоставитель О,Булгака едактор М.Бандура Техред М,Моргентал Корректор Т.Палии аказ 2089 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 10