Церфас

Номер патента: 1817867

Опубликовано: 23.05.1993

Авторы: Головнин, Джуманова, Рифтин, Тихонов, Церфас

МПК: H01L 21/306

Метки: диодов, полупроводниковых

...при получении диодов средней ибол . эй мощности,После соэд.ния р-и перехода путемдиффузии влюмии.,:я, бора и фосфора иа соответствуюшие стороны пластины на ее поверхность осаждают никель, Химическоеосаждение никеля с отжигом 1-.го слоя притемпературе 600-700 С в среде водородаповторяют 2-3 раза для получения качественного омического контакта, На никелированные пластины, наносят рисунок иэ слояфоторезиста с помощью фотолитографического процесса, Слой фотореэиста наносятв местных промежутков между полупроводниковыми структурами диодов. На свобод ные от фотореэиста области наносятэлектрохимическим способом слой золота,толщиной 1 - 1,5 мкм, который выполняетфункции омического контакта и одновременно является маскирующим покрытиемпри...

Номер патента: 1739401

Опубликовано: 07.06.1992

Авторы: Головнин, Дрозд, Рифтин, Христич, Церфас

МПК: H01L 21/50

Метки: пайки, полупроводникового, прибора, элементов

...к кристаллодержателю. Поэтому было проведено исследование влияния различных факторов, влияющих на этот режим.10 15 Яэфф=КЯ,50 55 20 25 30 35 40 45 В текущем производстве для получения воспроизводимых результатов пайку кристаллов припоем ПОСведут при 240- 260 оС, что на 60-80 С превышает температуру плавления этого припоя. Следовательно и при пайке кристаллов с помощью нагретого азота должна поддерживаться такая температура. При исследовании условий поддержания температуры пайки в диапазоне 240 - 260 С применяют припои ПОСи ПОС, имеющие соответствующие температуры плавления 260 и 240 оС,Опыт проводят в следующем порядке, Кристаллодержатели на гребенке облуживают одним из указанных припоев, При этом толщина припоя Л поддерживалась в...

Номер патента: 1684833

Опубликовано: 15.10.1991

Авторы: Альтман, Головнин, Гордон, Деневич, Левин, Рифтин, Сухоруков, Церфас

МПК: H01L 21/00

Метки: герметизации, кассета, полупроводниковых, приборов, эластичная

...3510 ВНИИПИ Государственного 113035, раж Подписноекомитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СС Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина, 10 сеты за счет оптимизации соотношенияглубины ячеек и высоты кассеты, прикоторой достигается максимальный срокслужбы кассеты,Эластичная кассета для герметизации полупроводниковых приборов, выполненная в Форме прямоугольного параллелепипеда с основными ячейками, выполненными на одной из больших сторсн параллелепипеда, о т л и ч а ющ а я с я тем, что, с целью снижения материалоемкости кассеты при повышении ее надежности, на противолежащей большей стороне параллелепипеда выполнены дополнительные ячейки, расположенные зеркально симметрично...

Номер патента: 1661876

Опубликовано: 07.07.1991

Авторы: Головнин, Нуридинов, Рифтин, Церфас

МПК: H01L 23/31

Метки: каплевидной, корпусах, пластмассовых, полупроводниковых, приборов, формы

...офсетного нанесения жидкогокомпаунда на арматуру (фиг. 3) имеет дискдиаметром Оо= 5,5 см, вращающийся с частотой 5 - 80 об/мин, С помощью этой машинки наносился слой компаунда типа 5ЭКЛБ, в котором в качестве основы используется эпоксидная смола ЭД.После нанесения компаунда рамки с арматурами помещают в термошкаф с температурой 160.ф 15 С и вращают соосно с 10частотой 30 об/мин в. течение 15 - 20 мин дозагустевания слоя.Выполнение габаритов каплевидногокорпуса приборов КД 209, КД 221 требуеттрехкратного нанесения слоев эпоксидного 15компаунда с последующей полимериэациейего при 160.ф.10 С не менее 12 ч, Затемнесущие части рамки или гребенки отрезают и на отдельных приборах измеряют электрические параметры и проводят...

Номер патента: 1325603

Опубликовано: 23.07.1987

Авторы: Альтман, Головнин, Рифтин, Столбов, Церфас

МПК: B23K 1/12, H01L 21/50

Метки: полупроводниковых, приборов

...импульсами,П р и м е р, Способ опробован на участке изготовления диода, кристаллы которого получают методом химического травления пластин с глубокозалегяющим р-п-переходом, Глубина р-и-перехода 90 - 100 мкм при толщине пластины 210 - 230 мкм. йорма боковой поверхности кристалла образована в результате химического разделения пластины (Лиг,1). Р-п-переход получают дивизией алюминия в и-тил с удельным сопротивлением О Омасм. ,Соосцые омические контакты разного диаметра (П = 1,65 мм, Б = 1,85 мм) ця криста 3(ях 13 ы 1 о)5 цт из Золта пчтем электрохимическаго осаждения.Пайку кристаллов к выводу вьполцяют поочередно илулт сямц прямого тока. При первой лайке используют импульс длительностью 0,35 с, а лри второй - 1 с лри одинаковой мощности...

Номер патента: 1296335

Опубликовано: 15.03.1987

Авторы: Альтман, Баронин, Левин, Рифтин, Церфас

МПК: B23K 1/12

Метки: высоковольтного, диода

...быть расположен у одного из его полюсов. Изобретение относится к производству полупроводниковых высоковольтныхциодов, применяемых, например, в блоках строчной развертки цветных телевизоров. 5Цель изобретения - упрощение операции определения полярности столбиков.На фиг.1 изображен пакет пластинс дополнительной пластиной из лористого никеля, разрез; на фиг,2 - зависимость процента лома столбиков прирезке пакета алмазными дисками отпроцента пористости никеля; на фиг,З -схема расположения кассет и магнита 15при рассортировке столбиков по полярности,Способ изготовления высоковольтного диода заключается в следующем.Пластины 1 с р-и-переходом собирают в пакет с размещением между ними припоя 2. К одной стороне пакетаприсоединяют...

Номер патента: 1250411

Опубликовано: 15.08.1986

Авторы: Альтман, Головин, Дрозд, Риттенман, Рифтин, Церфас, Янкевич

МПК: B23K 1/12, H01L 21/50

Метки: высоковольтного, диода

...с ллуклу;у.л кч лл осуплссллъцлнслсъл прпллайкгл ь мкцллчлппэл с омпчсскллкллл колллаль х 111 111, 1 л 1 л 1 лк 11111 г 11 глпслл 3 хлсллльл полхлс прич лл ; -л-л 1. к лгллллллгльлся часль цлсллльл лм л мкл ллллло лльлллоцолл л;ллсклл.ллыл" л Б.1 25 л :3 нт м; рл-л улллролъалл, по ;лпллшллролкаль рсмллхл проп.лалзхлклллллн колллаклон к лслллс оса псрслрслаа плмуллролелмплллклплол слруклуръл.Нрпллир (Ъпмлгллаэл ллрлмлслтка была лэрокс лспа па учаслкс 1191 л 1 л 1 в.111111 лвьлслколло.ллл поло плода кп 117 1%ллслкилло.лллллыссл л лГэлл кп поло прибора соглоял п: 111 крсклллллспых крпсла.л.лл: с рчъллслтсхлхлохл, сол-лллллслл ллл.л ллоьхлл-длоллдлгссльлло проьнгоплшл НКЛЗ. 11 а лорпах сллл.пллллх;л лзлллл.=;лсллл...

Номер патента: 1219131

Опубликовано: 23.03.1986

Автор: Церфас

МПК: B01J 19/08

Метки: автоволнового, процесса, реактор

...боковая поверхность,что эквивалентно появлению дополни. тельного сопротивления (на данном= 12-К, //К, /. 1 для упрощения выражения, имеем Поскольку диаметр размерной подложки изменяется периодически по длине, то соответственно изменяется значение отрицательного сопротивления К =К(1+м соз 2 о -) (2 а)ф/г о %ф ,. хили К =К (1+м з 1 п 2 о -). (26) где М - коэффициент модуляции отрицательного сопротивления, связанный с модуляцией дополнительного сопротивления, которое зависит от площади поверхности электрода в данном месте,Различия в записи связаны с режимами импульсной обработки подложки в .процессе ее создания. Подставляя полученные выражения (2 а и о ) в формулу расчета коэффициента усиления (1) и принимая во внимание, что К=...

Номер патента: 1064354

Опубликовано: 30.12.1983

Авторы: Альтман, Борг, Головнин, Гордон, Ежкова, Церфас

МПК: H01L 23/28

Метки: герметизации, кассета, полупроводниковых, приборов, эластичная

...Реэульеэ льтате данной. чистки о разуетсккомпаундов с положительным коэффициентом объемного расширения при т еском к исталлической структурыприбора,Анализ причины эатекания компаПоставленная цель достигаетсятем что в.эластичной каСсете для унда на металлический теплоотвод.герметизации полупроводниковыхпрйбо показал, что процесс затвердеванияи с ячейкой , компаунда в объеме ячейки происхоров, содержащей основание с ячейкодля размещения арматуры полупроводии- дит неравномерно,твердевает открытая поверхностькового прибора и герметиэирующегокомпаунда, ячейка. выполнена в виде 40 компаунда, в результате чего ол тате. чего образудвух соединенных между собой полос- ется .замкнутая о ласть, в квозникает гадростатическое давление,тей,...

Номер патента: 561926

Опубликовано: 15.06.1977

Авторы: Альтман, Церфас

МПК: G02F 1/00

Метки: диффузионных, кремния, слоев, толщины, эпитаксиальных

...границы, а металлическим зондом осуществляют давление на пластину в пределах упругих деформаций.10 Способ основан на том, что под давлением:пирина запрещенной зоны кремния уменьшается. Следствием этого свойства является интенсивное поглощение кремнием света с длиной волны более .р (красная граница) в об ластях, подвергшихся давлению. Поглощениесвета приводит к генерации подвижных носителей в той же области и возникновению фото-ЭДС на р - и переходе. Если давление создавать точечным зондом, то область сдавлен ного кремния и, следовательно, область генерации подвижных носителей определится размерами зонда, снлои давления н может быть сделана значительно меньше размеров измеряемых слоев и размеров элементов интег ральных схем. В этом...

Номер патента: 462072

Опубликовано: 28.02.1975

Авторы: Альтман, Головнин, Гончар, Церфас

МПК: G01B 19/36

Метки: пленок, толщины, эпитаксиальных

...изменение величины фото-э,д.с. между плецкои: подложкой при воздействии .ца пленку локальцого ддвлсиия. Ооъясияетй техники имени В. И. Ленина)1 дс и - коэффицисит пропорциональности,постояииьш в области упругой деформации. С другой стороны, величина фото-э.д.с. Па р - гг переходе пропорциональна отиошсшцо г/г., где /. - ток, ооусловлеииый генерацией носителей светом, / - обратцый ток р - г переХода. ИЗМСИСИИЕ /г - ОбратИОГО тОКа, ВЫЗЫ- вающес измсцсиис фото-э.д.с., связаио с измецеиием ширины запрещеииой зоиы полупро- ВодцИКОВОГО МяТСРИяЛя ОТ дяВЛЕИИя. Мосицо показать такке, что отиошсиис измеиеция фото-э.д.с, к измсиси;о давления, тридокеиио- ГО 1" ПЛСИКС, 001 сТИО-П 1 ОИ 01 ЗЦИСИсЛЬИ)0 ТОЛ)цпие плеики.Величииу измсиеция фото-э.д.с....

Номер патента: 406163

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Авторы, Петушков, Церфас

МПК: G01N 33/36

Метки: прибор, сортности, хлопка-сырца

...на общем основании 4 и приводимые во вращение от двигателя 5. В корпусе б опорного подшипника 7 имеются каналы 8, 9 для слива смачивающей и отработанной жидкости через патрубки 10, 11 в сливные бачки, причем смачивающая жидкость поступает в бачок через измерительную то бюретку 12. Цилиндры 1 - 3 сверху закрытыкрышкой 13, в которой имеются каналы 14, 15.В основании 4 имеются каналы 1 б, 17 для слига жидкости из резервуаров, а в стенке резервуара - отверстия 18 для сообщения его с ка мерой 2. Прибор работает следующим образом, В центральный цилиндр 1 заливается заранее установленный объем воды, а в кольцевую цилиндрическую полость между цилиндрами 2 и 3 закладывается анализируемый образец хлопка-сырца определенного веса. Под...

Номер патента: 174755

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Вартересов, Кордуб, Петушков, Церфас

МПК: G01N 15/08

Метки: влаги, поглощения, прибор, сортности, степени, хлопка-сырца

...крнг 7 - раоота, заливка Р СлиВ.При Вертикальном положегцп прибора он ставится на горизонтальную плоскость стороной 18, а при горизонтльном положеции - снованием 19.Определение сортност хлопка-сырца с помощью описываемого прибор осуществляется следующим образом.Прибор ставят В вертикалшюе положение стороной 18 на горизонтальную плоскость, крап / -- В положен)е ."л. В ц залиВают смачивающую жидкость до метки 1, нанесенной пг измерительной трубке 5. Если уровень жидкости поднялся Выше метки 1, то ее слиВают в резервуар б, для этого кран ставится В положение слив, Зате прибор ставят в орнзоптгльное положение ца основание 19. поворотом ручки 17 в положение работа жидкость из рабочей камерь. 2 переливают по нижней соединителыгой трубке 4...

Номер патента: 141582

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Вартересов, Петушков, Церфас

МПК: D01B 1/04

Метки: опущенности, прибор, семян, хлопковых

...13 по всей своей боковой поверхности снабжен продолговатыми отверстиями, перемычки между которыми имеют отогнутые кромки 18, предназначенные для очистки о них семян, а через отверстия в цилиндре под действием центробежной силы пух проходит в полость наружного цилиндра и через продолговатые отверстия 19 попадают в сборные карманы 17.Рабочие барабаны 7 и 8 в передней своей части имеют по одному отверстию для загрузки и выгрузки семян и по два отверстия против карманов 17 для выемки пуха, который скапливается в карманах. Все три отверстия закрываются одной подпружиненной крышкой 26, снабженной эластичной прокладкой, причем в открытом положении крышка фиксируется пружиной 21.Рабочие барабаны приводятся в движение от электродвигателя...

Номер патента: 138323

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Вартересов, Петушков, Церфас

МПК: D01B 1/04

Метки: пуха, семян, снятия, хлопчатника