Способ определения параметров полупроводниковых материалов
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
(19) (11) СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ А ЕСПУБЛИ 1 Я 31/28, Н 01 1 21/66 51) ОБРЕТЕНИЯ ИСАН ВИДЕТЕЛ ЬСТВУ АВТОРСКО(56) Григулис Ю.К, Электромагнитный методанализа слоистых полупроводниковых и металлических структур. - Рига: Зинатне, 1970,с. 272,вторское свидетельство СССР5870, кл, Н 01 1 21/66, 1988,ПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПАРАМЕТОЛУПРОВО НИКОВЫХ МАТЕРИАОВ П Д ОВ(57) Изобретение отщим методам конт лектрофизических осится к неразрушаю оля геометрических и араметров слоистоне Изобретение относится к методам не- разрушающего контроля электрофизических и геометрических параметров полупроводниковых эпитаксиальных и диффузионных структур и предназначено для измерения удельных сопротивлений и толщины каждого из слоев двухслойного слоистонеоднородного материала.Известен способ измерения параметров слоев слоистонеоднородных материалов по импедансу волноводной линии передачи, открытый конец которой шунтируется контролируемым материалом,Недостатком этого способа является невозможность независимого определения удельных сопротивлений и толщин слоисто- неоднородных материалов по первичной ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР однородных материалов, в частности толщин и удельных сопротивлений эпитаксиальных полупроводниковых структур. Цель изобретения - обеспечение возможности измерения удельных сопротивлений и толщин двуслойных пластин. Способ контроля заключается в измерении четырех значений мощности электромагнитных колебаний определенным образом выбранной частоты в волноводной или полосковой линии передачи при открытой излучающей щели в ограничивающей их металлической поверхности, закрытой эталонным материалом и последовательно обеими сторонами контролируемой структуры, Значения толщин слоев и их удельных сопротивлений вычисляют по расчетным соотношениям или по номограммам, полученным с помощью эталонов. измерительнои характеристике - импедан су. Это обусловлено особенностью многопа- фь, раметровцх по своей сути измерений, (, заключающихся в необходимости априор-р ной информации о толщинах слоев при измерении их удельных сопротивлений и о удельных сопротивлениях при измерении толщин слоев, и не позволяющей вследствие этого осуществлять раздельное измерение как удельных сопротивлений, так и толщин каждого из слоев дв) слойной пластины.Наиболее близким к изобретению является способ измерения удельного сопротивления полупроводниковых материалов по соотношению мощностей электромагнитных колебаний на входе и выходе линии1746337 Я 1 нЯн Я 1 н Янжфд дан Й,ип (Йн дан б 1 н Составитель И. ПетровичРедактор Г. Гербер Техред М.Моргентал Корректор Л, Бески аказ 2393 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 зводственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 стью Р через щель в проводящей поверхности, ограничивающей СВЧ-линию передачи, и измерение мощности на ее выходе, о т л ич а ю щ и й с я тем, что, с целью обеспечения возможности измерения удельных сопротивлений и толщин слоев двухслойных пластин, частоту электромагнитного излучения устанавливают из соотношения где р 1 н, ран, о 1 н и б 2 н - оценочные значения удельных сопротивлений и толщин слоев пластиныи - магнитная проницаемость материала, причем облучают контролируемую пластину. дважды - последовательно с двух сторон, измеряя значения мощности на выходе линии передачи Рвцх,1 и РВых.2 соот ветствейно, и дополнительно воздействуютна эталонную пластину, выполненную из материала с известным значением удельного сопротивления р и толщиной дэ, удов 10 летворяющей условию Оэ, измеряя,тг 4 п при этом мощность р на выходе линии передачи, а искомые значения удельных со-.противлений р 1 и р 2 и толщин слоев д 1, б 2 15 определяют расчетным путем.
СмотретьЗаявка
4836667, 27.02.1990
ВОЙСКОВАЯ ЧАСТЬ 67947
СИДОРИН ВИКТОР ВИКТОРОВИЧ, СИДОРИН ЮРИЙ ВИКТОРОВИЧ, ПОРИНЬШ ВИЕСТУРС МАРТЫНОВИЧ, ГРИГУЛИС ЮРИС КАРЛОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G01R 31/28, H01L 21/66
Метки: параметров, полупроводниковых
Опубликовано: 07.07.1992
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-1746337-sposob-opredeleniya-parametrov-poluprovodnikovykh-materialov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ определения параметров полупроводниковых материалов</a>
Способ определения толщины слоев в полупроводниковых слоистых конструкциях и устройство для его осуществления
Номер патента: 1713448
Опубликовано: 15.02.1992
Авторы: Габор, Дьердь, Каталин, Мария, Янош
МПК: G01B 7/06
Метки: конструкциях, полупроводниковых, слоев, слоистых, толщины
...спонтанно возникающий между раствором, электролитом 2,и полупроводниковой поверхностью образца 6, - это равновесный потенциал раствора, его величину указывают по отношению ккаломельному электроду 4,Для осуществления измерений необходимо выдержать некоторые условия:а) полупроводник относительно графитового электрода 3 независимо от типа проводимости должен иметь положительноенапряжение для тогочтобы могло осуществляться анодное травление;б) при использовании материалов и-типа полупроводник для того, чтобы процесстравления мог протекать, должен освещаться светом большей или такой же по величинеэнергии, что и запрещенная зона полупроводника, для обеспечения образования необходимых для протекания травлениянеосновных носителей заряда...
Способ определения удельного и контактного сопротивления полупроводниковых материалов
Номер патента: 133117
Опубликовано: 01.01.1960
МПК: G01R 27/08
Метки: контактного, полупроводниковых, сопротивления, удельного
...образца закрепляются зонды 2 и о. Измерение падения напряжения сиз и У" соответственно на зондах и на концах образца производят с помощью быстродействующего самопишущего потенциометра 4, Сила тока 1 определяется посредством амперметра А, для чего в токовую цепь 1 включена батарея 5.Общее падение напряжения на образце 1:( =Р, +Г,а падение напряжения на зондах: 3 3 И=Бр +0 где О - омическое падение напряжения и У - термоэлектродвижущая сила на соответствующих контактах потенциальной цепи.Исключение погрешности измерения, обусловленной возникновением паразитной термоэлектродвижущей силы, основано на медленном протекании нест,"ционарного процесса установления гемпературного поля в образце за счет выделения теплоты Пельтье и на использовании...
Способ измерения толщины слоев
Номер патента: 1120157
Опубликовано: 23.10.1984
МПК: G01B 7/06
...под воздействием перемещений намагниченного ферромагнитного телаи по полученным сигналам определяют толщины слоев, ферромагнитное тело выполняют в виде каплевидного объема ферромагнитной жидкости и перемещают последнюю с помощью не смешивающейся с ней диэлектрической неферромагнитной жидкости, .а намагничивание ферромагнитного тела выполняют с помощью источника магнитного поля, жестко связанного с индуктивным преобразователем.На чертеже представлено устройство, реализующее предлагаемый способ. Устройство содержит последовательно соединенные диэлектрические трубки 1, заложенные между слоями 2 изделия и соединенные с двумя входамигидроцилиндра 3, поршень которогосоединен с выходом реверсивного привода 4, а его входы соединены с...
Способ измерения толщины слоев многослойных изделий
Номер патента: 1383195
Опубликовано: 23.03.1988
Автор: Лауринавичюс
МПК: G01N 27/90
Метки: многослойных, слоев, толщины
...слое изделия 2, и возбуждающим преобразователем 3 полем Ь , записывается как тензорное соотношениеЬ=4 Ь, (3)лгде 4, - тензор относительной магнитной проницаемости полупроводникового слоя;Ь - возбуждающее магнитное поле,усредненное по толщине Йслоя;Ь - поле в слое, усредненное потолщине Й. Это соотношение связывает возбуждающее и возбужденные поля через параметры полупроводникового материалаи параметры электромагнитной волны.Если приложено постоянное магнитноеполе, индукция В 1 К 1 Е, где К -,Й = ФМ РО (4)о оУстановлено, что компонентапропорциональна активному сопротивлению, вносимому в преобразователь 3полем стоячих геликонных волн в слое. 10Компонента р представляет собойряд резонансных максимумов, соответствующих...
Способ бесконтактного определения толщины эпитаксиальных полупроводниковых слоев
Номер патента: 1737261
Опубликовано: 30.05.1992
Авторы: Арешкин, Иванов, Федорцов, Федотова
МПК: G01B 11/06
Метки: бесконтактного, полупроводниковых, слоев, толщины, эпитаксиальных
...слое или в подложке вследствие различия их электрофизических свойств. Область генерации неравновесных носителей зависит от глубины проникновения инжектирующего излучения в структуру, т. е, от его длины волны. Снимают спектральную зависимость изменения интенсивности прошедшего через структуру или отраженного ею зондирующего излучения от длины волны дополнительногоизлучения, фиксируют длины волны1 определяющую спектральное положение перехода величины изменения интенсивности от значения, характерного для подложки, к значению, характерному для эпитаксиального слоя, и по заранее построенной градуировочной кривой определяют толщину эпитаксиального слоя И/.На фиг. 1 изображена эпитаксиальная структура; на фиг. 2 - зависимость...