Патенты с меткой «областям»

Номер патента: 1313257

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Верходанов, Камбалин, Титов, Эрмантраут

МПК: H01L 21/265

Метки: интегральных, контактных, областям, отверстий, схем, типа, формирования

...Удаляют маску и под" ложкц подвергают облучению ионамиазота в диапазоне энергий 15-100 кзВи доэ 1 О -5 10 си . Для сравце 14 1 аиия облучению подвергают только поДоза Ионов аоа, си Энергиянапав Параметр Етте.ттвевтеетттие ет тееев ттЕтвввее 1 С 10 10 4 ф 10еееей твеее азота,кзВ5 10 49 ОО 100 84 "11 ОтсутствиеоплавленилФСС Отношение вьжадаГо,плых контактные 1,1.отверсти:Й в %к дале аабраковелньжпо аатвкщппа кантапчьиотверстнЦ, ре,эмерсонЗхЗ мкм В % у 2лави 11 у каждой подложки, в результатецеоблучецнал часть подложки изготав"лццлстсл ц саатлетст 1 ии с црототипойеПосле облучения подложки отжигдютпри 1000 С в течение 30 мин для оплавлеццл слоя ФСС. Дпл сравнешгл прототипа и предлагаемого способа на изготовленных та" кцм образом...