Способ формирования контактных отверстий к областям -типа интегральных схем

Э ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ ГЮ ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И 0 ТОРСИОМУ СВМДА(54) СПОСОВ ФОРИИРОВАНИЯ КООТВЕРСТИЙ К ОВЛАСТЯИ и-ТИПА(57) Изобретение еткоситсаровной технике, а частности ной технологии изготовления интегральных схем. Целью изобретения является повышение выхода годных интегральных схем по контактным отверстиям за счет исключения затекания фосфорно-силикатного стекла (ФСС) в контактные отверстия, Способ включает стандартные операции нанесения слоя ФСС и вскрытия в них контактных окон. Отсутствие затекания ФСС обусловливается тем, что после изготовления контактных отверстий в слое ФСС подлоаку подвергают облучению ионаии азота с энергией 20-80 кзВ и дозой 110- 261 Оф сй1 табл1а131325Изобретение относится к электроненой технике, в частности к цлацарцой,технологии цзгатавлец 1 л и 1 Г 1 егпйльцыксхеи,Цель иэобретеццл - повышение выхода годных интегральных схем по ко 11 тактцым отверстиям эа счет исключениязатека 1 щя фосцорна-силикатного стеклав контактные отверстия.П р и и е р, Изготовляют тестовые 10СтруКтурЫ, ВКЛ 1 ОЧаЮщИЕ цабар Кацтахттных отверстий, Кремниевые подложкитипа КДБ, содержащие в своем Объе-.ме набор р-и-переходов подвергаютс 1 андартцай .химической обработке изатем териическаму акцслецшо так,чтобы цад областлмн р-и-переходов былвыращен акисел толщиной О, 1 т 0,2 мки.Затеи ца подложки производят асаждецие слоя ФасФарца-сцлцкатцогс стеклаЖС) методам газотранспортных реактпий толщиной 0,5-1, 1 мкм с содержанием фосфора 2-97., После этого с по. мощью фотолитографии и плаэмахимичес"25кого травления в слае 4 асФарна-силиКатНОГО СтЕКЛа Над абЛаетяиц р-П-ПЕтрехадав вытравливают контактные атйверстил размером 10 х 10 или ЗхЗ мкмПри этом стравливаетсн и часть ниже"лежащего окисла. Удаляют маску и под" ложкц подвергают облучению ионамиазота в диапазоне энергий 15-100 кзВи доэ 1 О -5 10 си . Для сравце 14 1 аиия облучению подвергают только поДоза Ионов аоа, си Энергиянапав Параметр Етте.ттвевтеетттие ет тееев ттЕтвввее 1 С 10 10 4 ф 10еееей твеее азота,кзВ5 10 49 ОО 100 84 "11 ОтсутствиеоплавленилФСС Отношение вьжадаГо,плых контактные 1,1.отверсти:Й в %к дале аабраковелньжпо аатвкщппа кантапчьиотверстнЦ, ре,эмерсонЗхЗ мкм В % у 2лави 11 у каждой подложки, в результатецеоблучецнал часть подложки изготав"лццлстсл ц саатлетст 1 ии с црототипойеПосле облучения подложки отжигдютпри 1000 С в течение 30 мин для оплавлеццл слоя ФСС. Дпл сравнешгл прототипа и предлагаемого способа на изготовленных та" кцм образом подложках производят замеры изменения размеров полученных контактных отверстий (ца 100 шт.) от раэиеров на маске (поскольку при ппазиохииическом травле 1 пи 1 искажения прц передаче разиероп иаски в отверс тил не происходит). Выход годных под" считывают цз угловил, что изменение размеров стороны контактного отверстия не должцо превышать 107 т,е, все атверстил, размеры которых отлича" лись от размеров на маске более чем ца 103, считаются браком. При зтои длл отверстий размером 3 хЗ икм отй дельно находят количество брака по палцаму эатеканао. Результаты па выходу годных кон" тактных отверстий в слое ФСС толщиной 1,1 мкм представлены в таблицеПрц этом длл мець 1 ш 1 х толщин стекла результаты аналогичны и отличаются талька абсолютными значениями выхода годных, Положительный же эффект имеет место при тех же параметрах ионцага облучения. 100 100 Отсутствие оп" 1 О лавления ФСС3 .13Формула изобретения Способ формирования контактных отверстий к областям и-типа интегральных схем, включающий осаждение слоя фосфорно"силикатного стекла .(фСС), формирование маски, травление ФСбудаление маски и отжиг .нри,темФ 132 Ипературе плавления ФСС, о т л ич а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения выхода годных схем по контактным отверстиям за счет исключения затекания ФСС в контактные отверстия, после удаления маски производят облучение ионами азота с энергией 20- 80 кзВ и дозой 1 О-2,610 смСоставитель В,устиновРедактор Т.ИвановаТехред АЯравчук Корректор И.Куска1аеав ее не еесв енв ЮнЮВЗаказ 2822(ДСП Тираж 449 ПодписноеВНИИПИ Гоеударетвенйого комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва Ж 35, Раушская наб., д. 4/5.ЭВЮ 4 ВвПроизводственно-полиграфическое предприятие, г.Ужгород, ул.П;юектная, 4