Кедяркин
Способ формирования проводящих участков на подложке арсенида галлия
Номер патента: 1742903
Опубликовано: 23.06.1992
Авторы: Бляшко, Кедяркин, Пекерская
МПК: H01L 21/477
Метки: арсенида, галлия, подложке, проводящих, участков, формирования
...коэффициентытермического расширения алюмосиликатного стекла и арсенида галлия близки (5 10 и 5,9 10 собтветственно), то минимизируются механические напряжения на границе раздела, что приводит к уменьшению механических повреждений пленки алюмосиликатного стекла и повышению качества маскирования, Кроме того, слой алюмосиликатного стекла наносят прикомнатной температуре и, следовательно,повышенные температуры не воздействуютна незащищенную поверхность арсенидагаллия. Интервалы температур и временидеструкции обуславливаются условиями,необходимыми и достаточными для сформирования защитного слоя. При температуредеструкции меньше 250 С и времени меньше 3 мин не полностью завершаются реакции разложения промежуточных продуктовгидролиза и...