Патенты с меткой «имплантированных»

Номер патента: 1106515

Опубликовано: 07.08.1984

Авторы: Бельгов, Библиев, Зусман

МПК: A61N 1/36

Метки: имплантированных, кардиостимуляторов, проверки

...содержит индуктивный датчик 1, связанный через полосовой усилитель 2 с входами звукового индикатора 3 и двухполупериодного выпрямителя 4, выход которого соединен с входом первого ждущего мультивибратора 5, а выход последнего - с входом второго ждущего мультивибратора 6 и с С-входом триггера 7. Выход мультивибратора 6 связан с К-входом трипера 7, выход которого соединен с цифровым измерителем длительности 8. Устройство работает следующим образом. 15 20 25 30 35 40 45 ного датчика 1 над местом имплантации кардиостимулятора или над местом расположения электрода, ток возбуждает в индуктивном датчике 1 двухполярный сигнал (фиг. 2 б), который усиливается полосовым усилителем 2. Сигнал с выхода полосового усилителя 2 поступает на...

Номер патента: 623439

Опубликовано: 23.09.1985

Авторы: Антоненко, Двуреченский, Смирнов

МПК: H01L 21/324

Метки: дефектов, имплантированных, отжига, полупроводников, слоях

...50р-и-перехода при таком способе отжига достаточно велик, а пробивноенапряжение невелико, поскольку наибольшая часть энергии выделяется наповерхности.554. Невозможность проведения отжига ионно-внедренных областей посленанесения на поверхность слоев металла и некоторых диэлектриков (многослойные структуры).Целью изобретения является исключение эрозии планарной поверхностипластины, возможность проведенияотжига в многослойных структурах иупрощение технологии.Поставленная цель достигаетсятем, что световой импульс направляютна поверхность полупроводника, противоположную планарной.С целью локализации выделенияэнергии длину волны света выбираютравной или большей (не более чемв 3 раза) длины волны, соответствующей краю основного...

Номер патента: 1160880

Опубликовано: 15.12.1985

Авторы: Бобков, Лазарев, Суворов

МПК: H01J 37/285

Метки: автоионномикроскопического, имплантированных, ионов, металлы, пробегов, профилей

...импульсов; заштрихованные облаети соответствуют погрешностямопределения 11 и 7 с учетом тогофакта, что напряженность поля наилучшего отображения поверхности образца имеет неопределенность 15 Е.118 фцг. 2 приведен пример зависимости числа 11 Г, испаренных полем иудаленных за пределы диафрагмы заодин импульс атомов образца от числа 11 И импульсов для разных размеровХ зондового отверстия (значения .определяют число атомов грани, одновременно проходящих сквозь зондовоеотверстие и могут составлять от 3до 35). Зависимость получена из серии автоионных изображений грани(011) вольфрамового образца при- 8,0 кБ и 117 = 1,45 кВ. Сущность изобретения заключается и следующем,1 чл измерения профилей пробегов цмплантированных в металл ионов какого-либо...

Номер патента: 1577779

Опубликовано: 15.07.1990

Авторы: Арутюнов, Картвелишвили, Катамадзе, Чигладзе, Шарабидзе

МПК: A61C 13/007

Метки: имплантированных, использованием, металлических, металлокерамического, несъемного, опор, протеза

...в специальную силиконовую массу Керамопласт, колпачок укоротили на 2 - 3 мм выше шейки имплантата и приступили к моделированию тонкостенной коронки, для чего красным воском смоделировали пришеечную область, поверх колпачка нанесли зеленый воск, им придали приблизительную анатомическую форму зуба, затем нанесли компенсационный лак, после высыхания лака разогрели над пламенем горелки компенсационную пленку толщиной 0,6 мм и вдавили в Керамопласт, Колпачок подрезают на 1 мм выше шейки имплантата. Из него извлекли тонкий колпачок и воск, толстый колпачок, полый установили на культю имплантата, формируя пришеечную область красным воском. Затем смоделировали промежуточную часть восковой композиции в виде культи зуба.Между промежуточной...

Номер патента: 1607802

Опубликовано: 23.11.1990

Авторы: Линник, Привалов, Чечин

МПК: A61B 18/20, A61F 9/008, A61N 5/067 ...

Метки: глаз, дисцизии, имплантированных, искусственных, образований, оптических, пленчатых, поверхности, элементов

...создаетусловия для повторной АИГ-лазердисцизиина пробой во вновь отслоившихся участках.Пример 1, Больной 3 52 г. Диагноз: артифакия, заднекамерная интраокулярная линза(ИОЛ), вторичная пленчатая катаракта,плотно прилегающая. к задней поверхности.оптической части ИОЛ левого глаза. Острота зрения 0 1 (ие гдррпктируется),30.12.88 г. проведена лазердисцизия вторичной плеичатой катаракты, плотно прилежащей к задней поверхности оптическойчасти ИОЛ.Больной усажен за прибор, голова фиксирована на лицевой подставке щелевой лампы.Включен АИГ лазерный источник с длинойволны 1,06 мкм, Под визуальным контролемщелевой лампы прицельный луч с длинойволны 0,63 мкм сфокусирован в плоскостипленки на 6 ч. Для отслоения пленки от задней поверхности ИОЛ...

Номер патента: 1584649

Опубликовано: 15.04.1991

Авторы: Баязитов, Галяутдинов, Туриянский

МПК: H01L 21/268

Метки: имплантированных, кремния, отжига, слоев

...пласти. ны с толщиной 400 мкм р 10 Ом.П р и м е р .4. То же,. что,в при" меах 1-3, но в качестве источника 10 изучения для проведения антнпланариоо отжига на длине волны М0,9 мкм ийользуют лазер на кристалле ЫР (с Р-ентрами)., накачиваемый рубиновым лайнером наносекундного диапазона. 15,П р и м е р 5. То же, что в при-, мерах 1-4, но в качестве источника излучения для проведения антипланариого отжига на длине волны М 1,2 мкм исттользук 1 т на кристалле ИР (с Р"цент"20 рами , накачиваемой лазером УАСМ+Предлагаемое изобретение позволяет значительно повысить эффективность отжига имплантированных слоев кремния при облучении полупроводниковойпластины импульсом света наносекундного диапазона с антипланарной стороны, Отжиг может быть...

Номер патента: 1602291

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Винценц, Миргородский, Халилов

МПК: H01L 21/66

Метки: дозы, имплантированных, ионов, поверхности, полупроводника

...оптическогои луч:.ния 3, систему зеркал 4,5,6,линзы 7 и 8, позиционно-чувствительньвт д 1 отоприемник 9, интегратор 10,днухкоординатный самописец 11 и исследуемый образец 12,Исследуемые образцы представлялисобой пластины СаЛз толщиной 4=250 мкм,выращенные по методу Чохральского,с имплантированными в них ионами 81 ф .Энергия ионов при имплантации поверхности (100) составляла 80 кэВ. Длинуволны 9 е = 1,06 мкм выбирали такимобразом, чтобы энергия квантов Ь 11, 17 эВ была меньше ширины запрещенной зоны Г СаАз (Е = 1,43 эВ) и со"2 Еответствовала условию - с Ь 1 с Е,3/В качестве источника возбуждающе- л 0 го оптического излучения 1 использовали лазер ОТИна алюмоиттриевомлгранате с длительностью ьсветовых импульсов 10с и частотой4...

Номер патента: 2003202

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Болтарь, Корольков

МПК: H01L 21/425

Метки: имплантированных, кадмия, ртути, слоев, теллурида, формирования

...через нее ускоренных ионов легирующего элемента бора и светового отжига, в качестве капсулирующейпленки используют систему, состоящую изо5 слоев АЬО з толщиной порядка 2000 А и 3102отолщиной порядка 1000 А, имплантированный слой КРТ получают внедрением ионовбора с энергией 120-150 кэВ и дозой в диа 10 вазоне 5 х 10 -1 х 10 ион/см, а отжиг про 12 34 2водят ступенчато (1 - 5 ступеней) с режимомкаждой ступени 100 С 15 - ЗО мин,Сопоставительный анализ предлагаемого решения с прототипом показываетчто15 предлагаемый способ отличается от известноготем, что, во-первых, используютдругуюкапсулирующую пленку (систему, состоящую из слоев АЬОз толщиной порядкао о2000 А и ВОр толщиной порядка 1000 А,во-вторых, имплантированный слой КРТ,получают...