Уфе

Номер патента: 1745144

Опубликовано: 30.06.1992

Авторы: Альфред, Гюнтер, Петер, Уфе, Хельмут

МПК: H01L 41/04, H01L 41/18

Метки: кристаллический, пьезоэлектрический, элемент

...из монокристалла ОаР 04 за счетснижения следового содержания воды.Поставленная цель достигается тем, чтокристалический элемент вырезан из единойзоны роста сырьевого кристалического монолита ОаРО 4 без зональных границ.Предусмотрено, что ОаРО 4 - кристаллический элемент может быть вырезан из эоны роста или одной из зон роста В,обладающих в качестве поверхности ростаромбоэдрической поверхностью, В - зонасырьевого монолита СаР 04.Из-за различных условий роста отдельных зон ОаРО 4 используют В- и Е-зоны, причем Л-зоны на основании своей большойскорости роста в общем обладают большими размерами, чем В-зоны, и предпочтительны для создания кристаллическихэлементов,На фиг,1 схематически показан сырьевой кристаллический монолит ОаРО 4 с...