Пориньш

Номер патента: 1746337

Опубликовано: 07.07.1992

Авторы: Григулис, Пориньш, Сидорин

МПК: G01R 31/28, H01L 21/66

Метки: параметров, полупроводниковых

...или полосковой линии передачи при открытой излучающей щели в ограничивающей их металлической поверхности, закрытой эталонным материалом и последовательно обеими сторонами контролируемой структуры, Значения толщин слоев и их удельных сопротивлений вычисляют по расчетным соотношениям или по номограммам, полученным с помощью эталонов. измерительнои характеристике - импедан су. Это обусловлено особенностью многопа- фь, раметровцх по своей сути измерений, (, заключающихся в необходимости априор-р ной информации о толщинах слоев при измерении их удельных сопротивлений и о удельных сопротивлениях при измерении толщин слоев, и не позволяющей вследствие этого осуществлять раздельное измерение как удельных сопротивлений, так и толщин каждого из...

Номер патента: 1665290

Опубликовано: 23.07.1991

Авторы: Григулис, Пориньш, Сидорин

МПК: G01N 22/00

Метки: датчик, заряда, носителей, подвижности, полупроводнике, холловской

...полупров ите гд ле днике. Изобретение относится к средствам нераэрушающего радио волнового контроля и предназначено для измерения холловской подвижности носителей заряда в полупроводниках,Цель изобретения - повышение чувствительности.На чертеже приведена конструкция датчика для измерения холловской подвижности носителей заряда в полупроводниках,Датчик состоит из токонесущего проводника 1, расположенного в щели 2 между плоскими проводниками 3 и 4 на диэлектрической йодложке 5, одна сторона которой металлизирована с помощью проводящего покрытия 6 с генератором 7 электромагнит. ных колебаний, проводники 3 и 4 образуют щелевую линию, а токонесущий проводник 1 с проводящим покрытием 5, подключенные к измерителю 8, - микрополосковую...

Номер патента: 1465750

Опубликовано: 15.03.1989

Авторы: Григулис, Пориньш, Сидорин

МПК: G01N 22/00

Метки: концентрации, носителей, подвижности, полупроводниках

...и концентарция ц,п из этого соотношения определяются как удельное сопротивление полу проводника;заряд электрона;Холл-фактор, равный 193 в слабых полях приБ (с 1) и 1 - в сильныхн дгполях при р В ) 1).мощность Рн, электромагнитны типа Н, измерять в прошед учении, то выражение концентподвижности носителей тока роводнике вычисляется по форТ - коэффициент прохождени электромагнитных волн ектрическому полупроводник.я (3) и (6) позволяют определить подвижность и ию носителей тока в полуПри этом не требуется гнитное поле.во работает следующим образом,Полупроводник накладывают на выходное отверстие радиоволнового преобразователя 6. Облучают его электро-.магнитной волной от СВЧ-генератора 1 и воздействуют магнитным полем от магнитной...

Номер патента: 1249412

Опубликовано: 07.08.1986

Авторы: Григулис, Пориньш, Сидорин

МПК: G01N 22/00

Метки: магнитных, параметров

...пря моугольное, измеритель 10 моцРости)бпок 11 управления магнитной (ис.Омой,позволяоцей изменять наряженпост,магнитноо поля, г:ереключатель ),. НоР)лярнос:и тока, питающего соленоид)и:)эволяющий изменять при этом нап-.рзвленРе вектора напряженности внешН ГО МаГНИТНОГО ПОЛЯ еИзмерение параметров ман; тныхм зтерРалоз выполняется следующимо брас ол,Линейно-поляризованный сигнал отг"нератора 1 через ферри.говый развсзывающий прибор 2 поступает на полризатор 3, а затем на излучатепь5 1,;3,; Ита - ;, ;)с)5)5 НО.)од: а .: ";:; ",Р) Н.) ПОВОд)М , 0 (;За:-Г б. .,р)ПЗООсЯр -НСсй ПР РТ)П Пс КПс))с)с 1,щ.",у рсЗС,01 ОЖ ) с:Ь 5: ) 55 И. с ПО ПЗ МаГПРТЧР 10 Х; )с)ЗЬЬОЗ)53зп :,: у,.-:1 зит;1;с ОХ( 5 с Пит. 11; ",Рст, яапа, )ОС. ).ПО,Е. 5) тЕ)(С, .Ы,...

Номер патента: 1109612

Опубликовано: 23.08.1984

Авторы: Григулис, Пориньш, Силиньш

МПК: G01N 22/00

Метки: измеритель, параметров, полупроводниковых, электрофизических

...параметров по 33 уцро 33 опцико 3333 х мате -РИаЛОВ, СОДЕРжаЩЕМ ЩЕЛЕБОЙ ИЗЛУЧатсгПсоедцненг 3 ь 3 с СВЧ гецг ратором ц иг 3 ди-,Окатором, щелевой излучатець выполненв виде отрезка цссцм.3 г 3 т 3 цчцо 3 полос -КОБОЙ лиц 3 пгр 33 эСрац 3333 у 3 де 3 Пластинекоторой прореза 3 о це менее двух из -лучаю 3 ццх еле Ряс цело":ец.ь 3 Х друот друга на расстоянии Л /2, приэтом дл 3 гца каждой 33 злучающей щелиравна 3, а ширина (0,1-0,0)Л,Где 3 длина г 3 олцы 3 отрезке цесимметричной полоског 3 ой пицци.бНа Фиг. 1 приведена конструкцияизмерителя электрофизических параметро 3 полупроиодциковь 3 Х материалов, на Фиг.2 - разрез Л-Л ца Фиг.1;на Фцг.3 - разрез В-В ца Фиг.1.55ИзморТе 3 эпектрофизическцх параметров г 3 ог 3 прг 333 одццког 33 х...

Номер патента: 873061

Опубликовано: 15.10.1981

Авторы: Григулис, Дагилис, Пориньш, Русманис

МПК: G01N 22/00

Метки: волноводный, измерительный

...тракта,на конце которого установлена отражающая поверхность 3, на наружнойстороне которой симметрично относительно оси отрезка 2 волноводноготракта выполнен кольцевой паз 4и отверстия 5, соединяющие кольцевойпаз 4, например, через трубочки 6с вакуумной камерой 7, при этом диаметр отверстий 5 не превышает ширинукольцевого паза 4.Волноводный измерительный преобразователь работает следующим образом.Исследуемая плоская полупроводниковая структура 8 накладывается наотражающую поверхность 3 волноводного измерительного преобразователя,8306 Составитель А. Куздактор И, Каоарда Техред Т.Маточка вКорректор М. Демчик аказ 9019 66 Тираж 910ВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва Ж, Раушская наб., д...

Номер патента: 589571

Опубликовано: 25.01.1978

Авторы: Григулис, Дагилис, Пориньш, Русманис

МПК: G01N 23/24

Метки: волноводный, измерительный

...полупроводниковых структур содержит переходный фланец 1, отрезок волноводного тракта 2, на конце которого установлена отражающая поверхность 3При наложении на отражающую повер ность 3 испытуемого образца возникае поперечное распространение сверхвысо кочастотной мощности в высокоомном поверхностномслое 4 вследствие мнс- гократного отражения потока междуо тражающей поверхнос гью 3 и низкоомной структурой 5.Кривые (см. фиг.2) характеризуют ,возможность достижения значительного прироста чувствительности измерений на примере контроля толщины Д диэлектрических слоев, нанесенных на ниэкоомных полупроводниковых пластинках сЯ0,001, 0,03, 0,1 и 0,5 Ом см по показан(ям разности тока измерительного устройства, например по разнице оказаний тока...

Номер патента: 581123

Опубликовано: 25.11.1977

Авторы: Материкин, Мовшиц, Орехов, Орехова, Пориньш, Уродлывый

МПК: C04B 35/482

Метки: цирконовых, шихта

...качестве фосфат-. :ного связующего - алюмохромофосфатное, а 5фЕСЕнян;, иВл 1 Катф.фМ 9 амю сенм щ;ЛЩ СЗГч ттиркон фракции мм 0,15 -(20 и 4 0,88 при следующем соотрошении компонентов, вес.%аБяркон фракции 0,15 - 0,20 45-55 Ыиркон фракция 4 0,088 мм 25-35 Аиюмохромофосфатная связка 5-10 Графит 10 20 Предлагаемый материал получаютследующим образом, ./Смесь,состоящую из вес.%, ииркона фракции 0,15 0,20 мм 58,фракциимеиее 0,088 мм, графита 12 перемешивают и увлажняют 8%- ной алюмохромофосфатной связкойИзполу ченной массы изделия (стаканы) прессуют иа фракционном прессе,п обжигают при 650 С, Обожженные иэделия характеризуются следую шими свойствами;Пористость открытая, %, 17-20Термическая стойкость, т/см 6(нагрев до 1300 С, охлаждение...

Номер патента: 526607

Опубликовано: 30.08.1976

Авторы: Богданов, Грибков, Материкин, Пориньш, Силаев, Соловьева

МПК: C04B 35/18

Метки: керамическая, масса

...содержит кианит и силлиманит при следующем соотношении указанных компонентов, вес. /о.Муллит (ЗА 1,0, 2%Од)фраюции 2 - 0,5 мм 12 - 24 фракции менее 0,088 мм 8 - 16Глина огнеупорнаяфракции менее 0,5 мм 10 - 15Кианит (А 1 зОз 510)фракции 2 - 0,5 мм 3 - 12 фракции менее 0,088 мм 2 - 8 теризуют 57 - 62 36 - 422,25 )25 ие возд ш ся, г/с ть, т/см - охлаж яое). Испытания указан что выход;кристалло более, чем в 2 раза операцию 12 т в т зовании высокоглинок показали, еличиваетсяза 14 час, при испольт -4,8 г. ных подложе в сапфира у и составляет о время,как земистых пл Изобр ских мат нри вы са,пфира Извес муллита подложе сталлов величин Наибо ческой с является она нед тации,Целью хода юри,5 мм 18 - 36 ее 0,088 мм 12 - 24 материал получают...