Способ изготовления полупроводниковыхприборов
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУСоктз Советских Социалистических РеспубликЗависимое от авт. свидетельстваЗаявлено 14.И 1.1967 ( 1177640/26-25) 1173 Комитет ло делам иаобретвиий и открыти ври Совете Министров СССРПриорите убликовацо 20.Х 1.192. Бюллета опублпковация описания 1 УДК 621,382.002(088,8 ець3 за 1973 1.1973Авторыцзобретеция Шевцов, Э, Е, Пахомов, Л. И. Полова и Э, О. Тизен аявитель СПОСОБ ИЗГОТ ЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИ КОВПРИБОРОВ ложку) о ращиваци термообр два р - гг устройств том. цовремец м (либ ботки) в ерехода,облада ользовацо при ров, элементов х устройств и цо с о вп теле рас ет тэпитакспальцы роцессе даль подложки воз положеццые т рацзисторцым выейшей икают к, что эффекс присоединением заявкиИзобретение может быть испизготовлении диодов, трацзистоицтегральцых схем, матричцыт. п.Известны способы изготовления полупроводниковых приборов, например транзисторов, с использованием эпитаксиальцого выращивания одной из активных областей полупроводциковой структуры. При этом требуется мцогократцое проведение процессов эпитаксиального осаждения в сочетании с последующими процессами диффузии.Цель изобретения - повышение производительцости процесса и обеспечение возможности изготовления полупроводниковой, например транзисторной, структуры за одну технологическую операцию.Цель достигается тем, что по предлагаемому способу в процессе эпитаксиальцого осаждеция монокристаллического полупроводцикового материала, являющегося активной, цапример эмиттерцой, областью трацзисторцой структуры, производят его легировацие одновременно примесями двух типов проводимости с различными коэффициентами диффузии до концентраций примесей, разность которых превышает по крайней мере два порядка.В процессе дальнейшей диффузии примесей из выращиваемого эпитаксиальцого слоя в исходцый полупроводниковый материал (подПроцесс осуществляют следующим образом.На пластине германия р-типа проводимости с базовым соединительным слоем г-типа проводимости известными методами фотолитографии и маскирования гермацця, например пленкой ЬЮа, локально путем, например, травлеция в газообразцом НС 1 создают окца (углублеция) для эмиттера, в которые эпитаксцальцо осаждается, например, хлоридцым методом монокристаллический слой германия, легированный в процессе эпитаксиальцого осаждения акцепторцой примесью, например бором, концентрации гча 10 д - 10 о с.ц -и доцорцой примесью, например сурьмой, коццецтрации Мд (1 - 2) 10 ьт слг - . Доцорцая примесь, легирующая монокристаллический эпитаксиальцый эмиттер, диффуцдирует в процессе эпитаксиальцого царащивация в материал коллектора, образуя активную базу; так образуется транзисторная структура. Эпитаксиальцый эмпттср создается ца глубине около 10 ,цклг. Эпитаксиальное наращивание эмиттера проводится при температуре :810 С в течение -5 агин.344777 Предмет изобретения Составитель М. Лепешкина Редактор И. Орлова Техред Т. Миронова Корректоры: А. Дзесова и Е. ТалалаеваЗаказ 106/5 Изд Мо 72 Тираж 404 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Ж, Раушская наб д. 4/5 Типография, пр, Сапунова, 2 Режим наращивания эпитаксиального эмиттера выбирают так, чтобы обеспечить монокристалличность структуры выращенного эпитаксиального слоя, а также воспроизводимость по концентрации легирующих донорных и акцепторных примесей и ширине активной базы. Способ изготовления полупроводниковыхприборов путем эпитаксиального осаждения и последующей диффузии примесей в полупроводниковую подложку, отличающийся тем, что, с целью увеличения производительности процесса и обеспечения возможности изготов ления транзисторной структуры за одну технологическую операцию, в ппоцессе эпитаксиального осаждения полупроводникового материала производят его легирование одновременно примесями двух типов проводимости с 10 различными коэффициентами диффузии доконцентраций примесей, разность которых превышает по крайней мере два порядка.
СмотретьЗаявка
1177640
А. А. Шевцов, Э. Е. Пахомов, Л. И. Попова, Э. О. Тизенберг
МПК / Метки
МПК: H01L 21/365
Метки: полупроводниковыхприборов
Опубликовано: 01.01.1972
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-344777-sposob-izgotovleniya-poluprovodnikovykhpriborov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления полупроводниковыхприборов</a>
Способ определения профиля концентрации легирующей примеси в кремниевых эпитаксиальных структурах
Номер патента: 1728900
Опубликовано: 23.04.1992
Авторы: Абрамов, Гурова, Макеев
МПК: H01L 21/26
Метки: концентрации, кремниевых, легирующей, примеси, профиля, структурах, эпитаксиальных
...график распределения концентрации носителей заряда+для структур типа и - и - и, иллюстрирующий предлагаемый способ,П р и м е р. Измерение профиля концентрации мышьяка осуществляют на электрохимическом профилометре в кремниевыхструктурах и - и - и, изготовленных методом газофазной эпитаксии. Травление и измерение емкости проводят в стандартнойячейке, состоящей из резервуара для электролита и прижимного устройства, создающего контакт к обратной стороне образца.В качестве электролита используют 2-З ный водный раствор НЕ:НМОз:Н 202=1:1:1,В процессе травления к барьеру Шотткиприкладывают напряжение смещения 1-2В, измеряемая плотность тока травления1-3 мА/см . Измеряют емкость барьераШоттки полупроводник-электролит при напряжении...
Способ получения эпитаксиальных структур на основе арсенида галлия
Номер патента: 1591751
Опубликовано: 10.07.1999
Авторы: Белобровая, Биленко, Медведев, Мокеров, Пылаев, Слепнев, Ципоруха
МПК: H01L 21/205
Метки: арсенида, галлия, основе, структур, эпитаксиальных
Способ получения этипаксиальных структур на основе арсенида галлия, включающий осаждение на нагретую подложку арсенида галлия буферного слоя с последующим осаждением рабочих слоев, освещение структуры в процессе осаждения буферного и рабочих слоев оптическим излучением с длиной волны = 0,6328 мкм и регистрацию временной зависимости интенсивности отраженного монохроматического излучения, отличающийся тем, что, с целью повышения качества осаждаемых рабочих слоев, осаждение буферного слоя прекращают после достижения интенсивностью регистрируемого отраженного излучения постоянного уровня в момент времени t3,...
Способ обработки эпитаксиальных структур гранатов
Номер патента: 1059028
Опубликовано: 07.12.1983
Авторы: Данилов, Одарич, Рубан
МПК: C30B 1/02
Метки: гранатов, структур, эпитаксиальных
...виде квадратных пластин с размером ребра 7 мм.Образцы разделены на 3 группы и лодвергнуть 1 обработке: первая группа - в окиси гал" лия при различных режимах; вторая - в окиси алюминия лри различных режимах; третья. - в окиси кремния при различных режимах. Контроль парамет. ров после обработки (измерение гра диента показателя преломления в диф. Фуэионных слоях и толщина этих слоев проведен отдельно в каждом образце элипсометрическим методом.П р и м е р 1, Обработка в порошке оксида галлия. Структуру ЖИГ на подложке ГГГ помещают в мелкощюсперсный порошок окиси галлия (в кераммическом тигле 1, тщательно утрамбовывают порошок в тигле и устанавливают его в отжиговую печь. Температуру поднимают по 150-200 оС/ч до 1100 ОС, далее пленку...
Способ получения эпитаксиальных структур на основе арсенида галлия
Номер патента: 1771335
Опубликовано: 19.06.1995
Авторы: Захаров, Лымарь, Нестерова, Шубин
МПК: H01L 21/205
Метки: арсенида, галлия, основе, структур, эпитаксиальных
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ, включающий наращивание на полуизолирующих арсенидогаллиевых подложках методом пиролиза металлоорганических соединений элементов III группы в среде водорода при пониженном давлении в присутствии избытка гидридных или металлоорганических соединений мышьяка буферного слоя полуизолирующего арсенида галлия и последующее наращивание легированных низкоомных слоев, отличающийся тем, что, с целью повышения качества структур за счет улучшения изолирующих свойств буферного слоя и повышения воспроизводимости его параметров, наращивание буферного слоя проводят при давлении 12 30 Торр в среде водородной плазмы высококачественного тлеющего разряда при температуре подложек 530...
Способ получения эпитаксиальных структур на подложках арсенида галлия
Номер патента: 1800856
Опубликовано: 19.06.1995
Авторы: Захаров, Нестерова, Пащенко, Шубин
МПК: C30B 25/02, C30B 29/40
Метки: арсенида, галлия, подложках, структур, эпитаксиальных
...удельной мощности в такой системе нетпоэтому. целесообразно привести и геометрические характеристики используемой авторами установки. Высота пирамиды-подложкодержателя 220 мм, максимальный размер (диаметр) верхнего торца пирамиды 120 мм, нижнего торца 150 мм, Боковая поверхность пирамиды, как сумма площадей ее восьми граней, составляет 924 см, Наружный диаметр кварцевой трубы2реактора 190 мм. Высота катушки индукто5 10 15 20 30 35 40 45 50 ра-излучателя 250 мм, средний диаметр 220 мм. Диаметр медной трубки, из которой навит индуктор, 12 мм, число витков катушки индуктора-излучателя 11. Этих сведений достаточно для оценки энергетики получаемой плазмы и воспроизведения способа не только,в увстановке описанной конструкции, но ив других...
Предыдущий патент: Опорно-поворотное устройство
Следующий патент: Устройство для совмещения рисунков фотошаблона и полупроводниковой пластины
Случайный патент: Температурный пермеаметр