Сащук

Номер патента: 1742745

Опубликовано: 23.06.1992

Авторы: Ващила, Левитас, Сащук, Тон, Яшинскас

МПК: G01R 27/00

Метки: активных, бесконтактного, систем, электропроводности

...11 является вторичкой трансформатора 2 и бмоткой трансформатора 3, во работает следующим обраОДИН ВЫВОД К ной, а другой черезусилит ния 7, Выход соединен с о другой вывод ной. Активна ной обмот первичной оУстройст зом.Напряжение, поданное от генератора 1 переменного напряжения на первичную обмотку 4 трансформатора 2, индуцирует ЭДС в активной системе 11, которая вызывает в ней ток, Этот ток индуцирует магнитный поток во втором сердечнике трансформатора 3, который вызывает в зазоре сердечника трансформатора 3 индукцию магнитного по, Кузнецова Техред М,Моргентал Кор едакто Н. Ревская каз 2282 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ С 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 ственно-издательский...

Номер патента: 1598147

Опубликовано: 07.10.1990

Авторы: Поправко, Сащук

МПК: H03K 17/042

Метки: коммутатор

...и включаемым реле, т,е. "сработавшим" компараторам блока 11. При их совпадении на всех выходах блока 12 поразрядного сравнения, а также на выходе элемента ИЛИ 13 сохраняются сигналы, соответствующие логическому "О". Сигнал записи, пройдя через блок 15 задержки, поступает на тактовые входы третьего регистра 16 и триггера 14, обеспечивая "фиксацию" выходных сигналов блока 12 поразрядного сравнения и элемента ИЛИ 13. При этом блок 15 задержки компенсирует инерционность поступления сигнала на информационные входы третьего регистра 16 и триггера 14,Ток срабатывания токовых компараторов выбирается такой величины, чтобы их срабатывание происходило при токе, меньшем токов срабатывания реле (практически 0,5-0,7 тока срабатывания), а величина...

Номер патента: 1597518

Опубликовано: 07.10.1990

Авторы: Левитас, Сащук

МПК: G01B 7/00

Метки: датчик, положения

...магниточувствительный элемент, находящийся в зазоре магнитной системы с симметрично заостренными концентраторами 4 и 5 на полюсных наконечниках 2 и 3, происходит перераспределение концентрации электронно-дырочных пар по сечению мэгниторезистора 6 вдоль направления силы Лоренца, которое перпендикулярно его боковым граням 7 и 8 с зонами повышенной скорости поверхностной рекомбинации, в зависимости от положения магниторезистора 6 относительно острия концентраторов 4 и 5. Под действием магнитного поля в одной части магниторезистора 6 происходит увеличение неравновесной концентрации носителей тока, в другой - ее уменьшение, В "нулевом" положении магниторезистора 6, симметричном относительно концентраторов 4 и 5, увеличение...

Номер патента: 1559322

Опубликовано: 23.04.1990

Авторы: Ефимова, Манюшите, Рудайтис, Сащук, Шилальникас

МПК: G01R 33/06

Метки: индукции, магнитного, поля

...эффектовполя. Третья составляющая обусловлена высокочастотным сигналом, которыйот магнитного поля не зависит и после низкочастотного Фильтра 10 наблок 11 не поступает,Импульсом, поступающим с блока 15управления после насыщения выходного55 5 5593импульса магнитотранзистора 1, запускается преобразователь 11, осуществляющий преобразование напряженияПе = Г 1 В + ЕТ Г в код, про 5порциональный величине Б,-Б , которая записывается в регистры сумматора 12. После записи импульсами, протекающими с блока 15 управления, осуществляется сброс и подготовка преобразователя 11, а переключатель 6переводится в состояние, при которомвыход "-" источника 7 постоянного тока соединен с электродом 2 магнитотранзистора 1, В следующем (втором)такте...

Номер патента: 1420560

Опубликовано: 30.08.1988

Авторы: Конин, Сащук

МПК: G01R 33/06

Метки: индукции, магнитного, поля

...приложено электрическое поле Е, имеющей область с повышенной скоростью поверхностной рекомбинации (СПР), на одной из боковых граней при наличии направленного к грани с повышенной СПР градиента температуры в магнитное поле происходит перераспределение концентрации носителей заряда по сечению образца. Данное перераспределение обусловлено как магнитным 20 полем, так и градиентом температуры.Относительное изменение проводимости в магнитном поле в этом случае следующее; лааРп яйи г (сйп - и яйисй он п+,Ро сЕ 7/ с ае еехй В.й.йе 3 а Ц т. (и +Рп о) ЬР=Рт - Р - разность концентрации дырок на гранях с температурой Т 2 и Т 1, З 0 а, - Х,фактор; ри р - подвижности электронов и дырок; по, Ро - равновесие концентрации электронов и дырок; О= - д/Х, Х...

Номер патента: 1318946

Опубликовано: 23.06.1987

Авторы: Конин, Сащук

МПК: G01R 33/06

Метки: гальваномагниторекомбинационным, датчиком, магнитного, магнитоградиентным, напряженности, неоднородности, поля

...(и = р).Поэтому для случая собственного полупроводника из (2) находим(3) Н п(Т неоднородности производятся следующим образом,Еа так как и = и;ехр(- - -),то окон.т 12 К Тчательно из (3) получаемЬН Е (Т, - Т,)Но 2 КТ, Т + Т, )Е+(Т - Т )- ехр (4)2 КТ (Т + Т1где Е- ширина запрещенной зоны,Устройство,для реализации предлагаемого способа (фиг.2) содержит магниточувствительный датчик 1, подключенный своими токовыми контактами 2и 3 через ограничительный резистор 4к источнику 5 тока, индикатор 6 напряжения, подключенный через фильтр 7к магниточувствительному датчику 1К поверхностям 8 и 9 магниточувствительного датчика подсоединены термопары О и 11, которые подключены кизмерительным приборам 12 и 13. Поверхности 8 и 9...

Номер патента: 1305612

Опубликовано: 23.04.1987

Авторы: Ефимова, Конин, Савяк, Сащук

МПК: G01R 33/00

Метки: индукции, магнитного, поля

...П 1.С 13: т 1У ХГ;1 т 1С,ит, .с1: 3 Н ГЯ 0 Т Б с П 1 Л 1 110: . . 1;1.;)Л 3:.ИЧНЫХП 035 РНОГ 1 5 Х П)т ст.сга 3 СГ)Г, 5 . СН. Ч 313:ГЬС;):::)С 3 331.)ссОТ, 10 Р)1 НЛ:ИИ., ОС Г,.): ГЛН) 35. и,) НЛНОМс 1 Н 1 ГрЕКГ ,;1 ЛИОНСЬ ЦЛ 1 - :1 КЬ, .".РИОН 11 Р СУ 1 Н.)1 Г ГЛГЛ)ЛВ)1 ЕНИ 1 ЧГЛННОР ч;И 3 Л . Г)3 11 С:ГЕ,)1; СИ, .ЛИ - 1 Гт 51 О:.ГасС 113. ; Н т:ЫХ .11 Л ГПИ 1РИ " ГГГ 1 т"3 Ттт ГГЦ ЬНОС 1" . К)КЕ Ноэат" Г)тс 3 ЧГ:ЫРЕ РЛ Л,11 НИС 3 ИНГ .1 Г, ,.,; Г 0:тт )ГГ.ЕПОСЬ) Н.,0 Г Пч) :,И ", ПЛ.ГЛВ):Е 1)ИИ, тт ГЛ1 К .С ,.Г Е , Н С И 3 ,т Ч Л 1313 И Ь С Я Г,"С КГГ)с", В 3 Л 3 10 Г. Г ГН И 5. )Л 3 К Т;)0 Нно Л-)туч;ГЬ: 3 Пар 3 с:.:.т: . 1,):Зттт)Г)ГЬГИ)ОесНГЬ; "1, ЬН ) 1 Г), чтЧС1 ЬЬ С 1 р;)1301 ГИЬГОВ)Г 13 1,:Ят;1;,Г )т)ВГ)д, ОГ"О И...

Номер патента: 1188682

Опубликовано: 30.10.1985

Авторы: Конин, Сащук

МПК: G01R 33/06

Метки: индукции, магнитного, поля

...распределения концентрации электронно-дырочной плазмы, вызванные соответствующими распределениями температур, показанными на фиг. 1, а также величины средней концентрации носителей в магнитном поле, вызванные этим распределением.Пунктирные кривые 6 и 7 обозначают величину средней концентрации носителей электронно-дырочной плазмы в отсутствие магнитного поля при температурах То и ТьКривые 8 и 9 (фиг. 2) показывают распределенияя концентрации электронно-дырочной плазмы в магнитном поле при разных его полярностях в случае нагрева полупроводникового датчика током, т. е, в отрицательной ветви 5-образной ВАХ. Кривые 14 и 15 - величины средних концентраций, вызванные этими перераспределениями в магнитном поле. Кривые 10 и 11 - распределение...

Номер патента: 1148064

Опубликовано: 30.03.1985

Авторы: Аукштуолис, Мацас, Сащук, Шилальникас

МПК: H01L 43/08

Метки: гальваномагниторекомбинационный, элемент

...(более 100 С).Поставленная цель достигается тем, что гальваномагниторекомбинационный элемент, выполненный в виде полупроводниковой пластины с омическими контактами на торцах и областью повышенной скорости поверхностной рекомбинации носителей тока на одной из граней, содержит на гранях с малой скоростью поверхностной рекомбинации поликристаллические слои из материала, не изменяющего энергетический спектр поверхности полупроводника и способного блокировать активные рекомбинационные центры на его поверхности, например иэ серебра, с островковой структурой и концентрацией островков не меньшей, чем концентрация активных рекомбинационных центров на поверхности полупроводника.На фиг 1 представлена конструкция предлагаемого элемента, фиг. 2-...

Номер патента: 1045180

Опубликовано: 30.09.1983

Авторы: Жебрюнайте, Левитас, Пожела, Сащук

МПК: G01R 33/02

Метки: магнитных, напряженности, полей, постоянных

...напряженности магнитногополя судят по величине напряженияпостоянного тока в момент равенстваконцентраций.На фиг, 1 показана зависимость относительного изменения сопротивления датчика от напряженности магнитного поля; на фиг. 2 - распределение концентрации носителей тока посечению датчика при отклонениИ носителей к грани с малой скоростью поверхностной рекомбинации в случае слабых и сильных полей; ца фиг. 3 схема устройства, реализующего способ.Изменение сопротивления. магциточувствительного датчика с увеличением напряженности магнитногополя при отклонении носителей к грани с большой СПР увеличивается (фиг. 1, кривая 1 ). При противоположном направлении магнитного поля, когда носители тока отклоняются к грани с малой СПР, в области...

Номер патента: 543896

Опубликовано: 25.01.1977

Авторы: Левитас, Могильницкий, Сащук

МПК: G01R 33/06

Метки: магнитных, напряжюнности, полей, постоянных

...датчик 6, подк через нагрузочный резистор 7 к 1 переменного тока и через фил к индикатору постоянного токаПринцип действия устройства в следующем.543896 20 ЦНИИПИ Заказ 789/62 Тираж 1052 Подписное филиал ППП "Патент", г, Ужгород, ул. Проектная,4 ГМР датчик 2, по которому течет переменный ток, помещают в измеряемое постоянное магнитное поле, под воздействием которого его сопротивление изменяется и изменяется падение напряжения, в результате чего появляется постоянный ток в цепи датчика, определяемый1=к УН где К 1 - коэффициент пропорциональности,зависящий от параметров схемыи полупроводникового материала;У - переменное электрическое напряжение на ГМР датчике 2;Н - напряженность измеряемого магнитного поля.Постоянный ток, протекая по цепи...

Номер патента: 542153

Опубликовано: 05.01.1977

Авторы: Гринберг, Левитас, Марчук, Могильницкий, Сащук

МПК: G01R 33/06

Метки: магнитных, магнитометр, напряженности, переменных, полей

...которой размещен гальваномагниторекомоинационный датчик, генератор 6 сигналов, подключенный к обмотке 5 индуктивности, первый фильтр 7, настроенный на частоту зталонного магнитного поля. выпрямитель 8, подключенный к злектричсски управляемо. му стабилизатору постоянного тока, второй фильтр 9, настроенный на частоту измеряемого магнитного поля, и индикатор 1 О.нитометр работаст следуюппм образом.чик 4, питаемый от источника 1 постоянного542153 Составитель В. Лякишев Техред М. Левицкая Редактор В. Трофимов Корректор А. Лакида Заказ 5968/29 Тираж 1032 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб, д, 4/5Филиал ППП "Патент", г, Ужгород, ул. Проектная, 4...

Номер патента: 542152

Опубликовано: 05.01.1977

Авторы: Левитас, Могильницкий, Сащук, Шуляковский

МПК: G01R 33/00

Метки: магнитного, напряженности, поля, постоянного

...8, подключенные к индикатору 9 постоянного тока. Диод 5 подключен к среднему выводу переменного резистора и точке соединения резистора и конденсатора.При протекании через датчик переменного тока из - за нелинейных эффектов на нем появляется напряжение:542152 10 Составитель Г 1 ЛлгинТехред М. Левицкая Редактор В. Трофимов Корректор А. Лакида Тираж 1032 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д, 4/5Заказ 5968/29 Филиал ППП "Патент", г, Ужгород, ул. Проектная, 4 при помощи включенного диода 5 и переменного резистора 4, включенного в цепи питания датчика, и падение напряжения на нем обусловливается током через датчик, В результате настройки...

Номер патента: 533892

Опубликовано: 30.10.1976

Авторы: Жебрюнайте, Левитас, Пожела, Сащук

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: отношения, поверхностной, рекомбинации, скоростей

...магнитном поле электромагнита 11, соединен с крайней точкой переменного резистора 5, подвижный контакт которого соединен через резистор 4 с выходом источника постоянного тока 7 и через конденсатор 8 с измерительным прибором 9. Источник постоянного тока 10 подключен к памагничивающей обмотке электромагнита 11.Измеряемый образец 6 ориентирован относительно направления вектора напряженности магнитного поля так, чтобы в постоянном электрическом и магнитном полях носители тока отклонялись к стороне с малой скоростью поверхностной рекомбинации, т. е. чтобы наблюдалось уменьшение сопротивления образца,В случае, когда носители тока отклоняются к стороне с малой скоростью рекомбинации, наблюдается увеличение проводимости, которое,...

Номер патента: 530285

Опубликовано: 30.09.1976

Авторы: Жебрюнайте, Левитас, Пожела, Сащук

МПК: H01L 21/66

Метки: отношения, поверхностей, рекомбинации, скоростей

...на образец постоянным магнитполем, напряженность которого увеличивают до величины, при которой падение напряжения на образце от переменного токаравно падению напряжения до воздействиямагнитным полем, и по величине напряжен -ности поля расчетнь 1 м путем определяю: отношение скоростей поверхнсстной екомблнации,Это дает возможность повыс мерения, так как измеряется ния разогрева, а зависимость выхе;,ого ала от величины магнитного поля, ,ете5302 аь =ХаКОО и)НР. - толщина образца; где С Составитель В. НемцевТехред А. Демьянова Корректор Н. Бугагова Редактор Н. Коляда Заказ 5243/643 Тираж 1029 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д....

Номер патента: 420083

Опубликовано: 15.03.1974

Авторы: Левитас, Молдавский, Пожела, Сащук

МПК: H03C 1/22

Метки: амплитудный, модулятор, сеточный

...напряжения.На чертеже показана схема предлагаемого модулятора.Модулятор содержит модулирующий каскад 1, к управляющему входу которого подключены задающий генератор 2, источник 3 модулирующего сигнала и источник 4 постоянного напряжения; магнитопровод с катушкой 5 индуктивности, гальваномагниторекомбинационный датчик б, ограничительный резистор 7 и разпязывающую катушку 8 индуктивности. Датчик, расположенный в зазоре магнитопровода с катушкой 5 индуктивности, включен между выходом источника модулирующего сигнала и управляющим входом модулирующего каскада. Одновременно датчик подключен к источнику постоянного напряжения.Ток модулирующего сигна,ча протекает по 5 катушке 5 нндуктивности, намотанной на магьитопровод, в зазоре которого...

Номер патента: 355707

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Левитас, Могильницкий, Пожела, Сащук

МПК: H01L 43/02

Метки: балансный, смеситель

...схема устройства.Балансный смеситель состоит из намагничивающей обмотки 1, намотанной на магнитопровод 2, в зазоре которого расположены полупроводниковые датчики 3 и 4, резисторов 5и б, источника постоянного тока 7, резонансного индикатора 8, источников переменноготока 9 и 10, разделительного конденсатора 11,ограничительного резистора 12 и входноготрансформатора 13.Полупроводниковые датчики 3 и 4 и резисторы 5 и б образуют мост.Сигнал от источника переменного тока 9 через входной трансформатор 13 подается на 3 диагональ моста, На другую диагональ подается постоянный ток от источника 7. Для балансировки моста изменяют соотношение резисторов 5 и б.Переменный ток от источника 10, протекая по намагничивающей обмотке 1, создает в...

Номер патента: 339883

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Институт, Левитас, Огильницкий, Пожела, Сащук

МПК: H01L 21/66

Метки: полупроводниковых, электропроводности

...трансформатора 2, полупроводникового образца 3, компенсирующего трансформатора 4, нуль-индикатора б, вторичной обмотки компенсирующего трансформатора 6 и конденсатора 7. Вторнидя 00)10 тка кох 1 пенспру 10 гцего трансформатора 6 н конденсатор 7 образу)от ,ол сб) з 1 тс,нный конту 1 э.Трансформатор 4 имеет компенсационную обмотку 8, подключенную к обмотке 9 питающего трансформатора через потенцномстр 10.Образец 3 является вторнчнон:Омоткой питающего трансформатора н первичной обмоткой компенсирующего трансформатора. Напряжение питающего генератора радионмпульсов 1, подключенное к первичной обмотке трансформатора 2, индуцирует э. д. с., создающую в полупроводниковом образце 3 ток, вызывающий появление во вторичной обмотке трансформатора 4...

Номер патента: 318141

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Институт, Левитас, Могильницкий, Пожела, Сащук

МПК: H03B 15/00

Метки: генератор, низкочастотный

...при конструировании генераторов, предназначенных для измерительных целей.Известны низкочастотные генераторы, содержащие мапнитопровод с катушкой индуктивности, полупроводниковый датчик, расположенный в зазоре магнитопровода и соединенный с катушкой индуктивности, конденсатор, ограничительный резистор, фазосдвигающий конденсатор и источник постоянного тока,Однако эти генераторы имеют малый выходной ситнал,Целью изобретения является увеличение амплитуды выходного сигнала.С этой целью полупроводниковый датчик выполнен в виде пластинки, две противоположные грани которой имеют различные скорости рекомбинации носителей тока.На чертеже приведена функциональная схема предлагаемого устройства.Генератор составит из катушки 1 индуктивности,...

Номер патента: 321925

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Институт, Левитас, Могильницкий, Пожела, Сащук

МПК: H03H 9/24

Метки: фильтр, электрический

...в предлагаемом устройстве полупроводниковый датчик выполнен в виде пл астины, противоположные плоскости которой имеют различные скорости рекомбинации носителей тока, а катушка индуктивности связана с полупроводниковым датчиком через дополнительный тсонденсатор,На чертеже дано предлагаемое устройство.Катушка 1 индуктивностипараллельно которой подсоединен конденсатор 2, размещена на магнитном сердечнике 3, выполненном,с зазором 4. В последнем установлен полупроводниковый датчик 5, выполненный в виде пластины, противоположные плоскости которой имеют раносителей токстор 5 с исМежду кату5 конденсаторконденсатораксхтбинацииложных плосдобротность ф0 упрощении. зличные а. Датч точникох шкой 1 рекомбинации ан через резиоянного тока. ом 5...

Номер патента: 247406

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Институт, Левитас, Могильницкий, Пожела, Сащук

МПК: H01L 21/66

Метки: полупроводниковых, электропроводности

...трансформатор, первичной обмоткой которого служит образец из исследуемого материала; питающий трансформатор снабжен дополнительной обмоткой, связанной через переменный резистор с компенсирующей обмоткой, установленной на компенсирующем трансформаторе, вторичная обмотка которого замкнута на измеритель электрического тока.На чертеже изображена схема описываемого устройства, содержащего питающий трансформатор 1, образец 2, компенсирующий трансформатор 3 и нулевой индикатор 4. Трансформатор 3 имеет компенсирующую обмотку 5, подключенную к дополнительной обмотке б трансформатора 1 через переменный резистор 7. Образец 2 является вторичноц обмоткой трансформатора 1 и первичноц обм откой тр анс форм атор а 3.Напряжение, поданное на...