Способ селективного нанесения металла на полупроводниковую пластину

О ПИЗОБРЕТЕН ИЯ 355697 Союз Соеетскиз Сациалистическиз РеслуалиьК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ висимое от авт. свидетельства1969 ( 132510926-25 явлено 14. Кл, Н 01/ 7,6 с присоединением заявкиКомитет л оритет зааретенир и открыти арн Совете Министров 16.Х.1972. Бюллетень3 вания описаш 1 я 20.Х 1.1972 Опубликова УД К 621.328.001;а опублик Авторы зобретения,А. Лепилин и В, С. Черня явител СОБ СЕЛЕКТИВНОГО НАНЕСЕНИЯ МЕТАЛЛНА ПОЛУПРОВОДНИКОВУЮ ПЛАСТИНУ(як после вжпгйфмзионпье обласченными.Целью изобре5 трудоемкости,прских контактовтакта.С) щность предчается в селекти10 полупроводник толения металла вновуо гластуну,выше крптическонаров этого мега. тения оцессаул)ч вляется снижение зготовления омпчс- С 1 И 1 Е К Я Ч Е С 1 В 11 К Оложен но вном оса лько на вакуум нагрет) й темпе .а на к 1 ГО спосооа закл 10- жденнп металла наО К Н Я П ) Т Е М и Я 11 Ь- е на полупроводпню до температуры, ратуры осаждения земнпй. Известно, что при температуре подложкивыше критпческо 1, ятоы пспарено о талла прп напылении в вакууме полносгью отражаются от поверпостп подложки. Крп 20 тнческая температура зависит в основном освойств пспаряемого металла и подложки.При осаждении паров металла пя попер- ность аморфного м атередал а критическая температура за а:1 1 ельно пи жечем при 25 осаждении паров того же металла на кр 1 сталлическ) 1 о поверосность, что объ 1 ОнОтс 1 разными энергетическими состоянп 1 ви этик повер:(ностей, Например, критические температуры для паров золота и алюминия прп 30 напылении на двуокись кремния составляют Недостяткоъ трудоемкость ния. Кроме то Окисла, образ резистом, сни женных удлин контактами с являетсятралсы в слое ке фотоов, с абванными сла, так известного спосооа фотол итогря(11 ичсского го, точечные дефект Ошиеся при обработ кают качество прибор еными металлизиро перекрытием слоя оки Йзобретение может быть исОаьзовяно в электронной провышленности, в частности, при изготовлении полупроводниковых приборов и интегралыных схем,Известен способ формирования омически контактов к диффузионным областям планарных полупроводниковых приборов и интегральных схем, при,котором после диффузии в слое окисла на гколупроводппковой пластине вскрывают окна в тех областях, где должны быть сформированы ом 1 ческие контакты. На пластин) напылением в вакме наносят тон к)ю пленк) Отя,ля (напримерр, золота или алюминия), металлизированныее пластины покрыва 1 от фоторезнстом, экспонируют через фотошаблон с соответс 1 вующнм рисунком, проявляот и травленел удаляют металл с участков, не,покрытых фоторезстом. Затем металл вжигают в кремниевую поверхность путем нагрева до температуры образованя эвтект 1 к для получения низкого сопротивления коннпя металла соседние днфтп лог)т Окязя 1 ься зякОро355697 Составитель В. ГришинРедактор Т. Орловская Техред Л. Евдоиов Корректор Е. Миронова Заказ 3672/5 Изд.1557 Тираж 406 Подписное ЦПИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Типография, пр. Сапунова, 2 соответственно 600 и 750 С, в то время как на кремний - выше 1000 С.В соответствии с предложенным способом, кремниевые пластины с полупроводннковыми приборами после проведения диффузии и вскрытия окон в окисле в тех местах, где должны быть сформированы омичеекие контакты, помещают в камеру вакуумного напыления. Пластины нагревают до температуры, несколько выше критической температуры осаждения паров данного металла па окисел, и напылением на нагретые пластины осаждают испаряемый,металл только на полупроводниковую пластину в окнах,Создание омических контактов предложенным способом позволяет исключить фотолитографическое травление металлического слоя для получения контактов требуемой формы. Конфигурация металлических контактов определяется формой окон в окисле, Исключается также операция вжигания металла в кремний, так как одновременно с осаждением металла на кремний происходит вжигание его (температура пластины при осаждении вьипе температуры образования эвтектики).В случае применения удлиненных проводящих дорожек, перекрывающих оки сел, для предотвращения закорачивания соседних диффузионных областей через точечные дефекты в окисле при вжигании металла и обеспечения качественного контакта первоначально проводят селективное осаждение (а следовательно, и вжигание) металла па кремний в окнах, Таким образом обеспечи вается низкое сопрстивлепие контакта иустраняется закорачивание при наличии металлических дорожек на окисле, так как отпадает необходимость в дальнейшей высокотемпературной обработке, После селектив ного нанесения металла снижают температуру пластины, напыляют металл па всю поверхность пластины и проводят фотолитографическое травление напыленного слоя для получения проводящих дорожек требуемой 15 конфигурации,Пред м ет изобретенияСпособ селективного нанесения металлана полупроводниковую пластину, поверхность20,которой покрыта окислом с окнами в местахнанесения металла, путем напыления металла в вакууме на нагретую полупроводниковую пластину, отличсцюш,ийся тем, что, сцелью снижения трудоемкости и улучшения25 качества контакта металла с полупроводником, напыление металла осуществляют притемпературе полупроводниковой, пластины,выше критической температуры осажденияпаров металла на окисел и ниже критиче 30 ской температуры осаждения паров металлана полупроводник,