H01L 31/14 — с одним или несколькими источниками света, управляемыми полупроводниковыми приборами, чувствительными к излучению, например электронно-оптические преобразователи, электронно-оптические усилители изображения, электронно-оптические устройства для запоминания изображения

Номер патента: 243095

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Думаревский, Золотарев

МПК: H01L 31/14

Метки: 243095

...сдвиг в регистрах 4, б, 7, и схема синхронизации на чертеже,не показаны.10 В интегральных полупроводниковых регистрах сдвига, использующих элементы с Я-образными характеристиками, одна или несколько областей пониженного сопротивления (открытого состояния) перемещаются вдоль кас кадов регистра при подаче импульсов сдвига,Отношение сопротивлений каскада регистра в закрытом и открытом состоянии может составлять 104 - 106.При открытых и-м каскаде регистра 4 и 20 и-м каскаде регистра 7 соответствующие шины из систем 2 и 3 подключены к источнику 5 напряжения и к сопротивлению нагрузки Р.Ток в цепи определяется сопротивлением участка фоточувствительного слоя (освещенно стью этого участка), заключенного между подключенными в данный...

Номер патента: 353450

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Ипостраииа, Ипостранец, Соедииеииые

МПК: H01L 31/14

Метки: воспроизведения, изображений

...устройство в разрезе,На поверхность изоляционной пластины У, пропиз)циой еталлиСсихи ввод 1 и , ияцесецы чередующиеся фотопроводящие Л и)езистивцье 4 слои таким ооразом, что границ ( раздела мекду слоями Л и 4 проходигчерез вводы , Иод каждым из слоев (примерно посредине) находится контактная полоса (, причем все полосы 6 находящиесяпод (1)отопроводяцими слоями, соединены содним полюсом источника 7 постояого )дпряжсиия, а Все полосы, цяходящ)сея подрези(.ти Вп ы и сз)051 х и, - с друГВ ) ПО.1)осо)10 ис 0 )ии); 7.Улройство р;)бо)д( г слсдуюиВм образом.(.цдчял ца вс)0 цоверхцос) 1,ц Л и 4)ппо 51одиовремс ик) о Грицятел)и)ыи;(дряд1 ц Яц Р Р с иоОВСЬ)0 кОРОииОГО 1)13 Р 51 ДЯ),15 затем ца поверхность просктиру)от изображение. 11 ри этом...

Номер патента: 418821

Опубликовано: 05.03.1974

Автор: Сиприкова

МПК: H01L 31/14, H01L 31/18

Метки: излучения

...чувствительный элемент, выт 1 олненный в виде пластины 1 монокристалла с размещенными на ее противоположных плоскостях электродами 2 и 3, На стороне расположения электрода 3 имеется плоский выступ 4, на котором закреплен электрод 5. Электрод 3 служит выводом средней точки между нагрузочным резистором и чувствительным элементом.Геометрические размеры преобразователя выбраны из условия согласования сопротивле ний монокристалла (фоторезистора) и нагрузки. Сопротивления монокристалла и нагрузки определяются из выражений;Е, Енф5 н41882 МЯ где р - удельное сопротивление моиокристалла;1 ф - толщина пластины монокристалла; Яф - площадь монокристалла, занимаемая электродом 2;1 - толщина выступа;5, - площадь выступа, занимаемаяэлектродом...

Номер патента: 475907

Опубликовано: 25.08.1976

Авторы: Валов, Гончаренко, Марков, Рывкин, Ярошецкий

МПК: H01L 31/14

Метки: измеритель, ик-излучения, мощности

...с направлением распространения света в кристалле, и охватывают фотоприемник по всему периметру.Экспериментапьно уствновпено, что при одной и той же длине и площади фотопри емника отношение сигнвп-шум принимает максимальное значение при ориентации кристаппа дырочного германия в нвпрввпе нии оси 111 и имеет минимальную величину дпя ориентации 11001, При этом отношение сигнап-шум дпя фотоприемников с контактами в направлении оси 1 11 Ц воз растает в 2,5 раза, по сравнению с фотоприемниками с контактами в направлении оси475907 Составитепь Г. КорниловаРедактор Г. Яковлева Техред М. Левицкая Корректор Н, Золотовская Заказ 5226/467 Тираж 963 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и...

Номер патента: 519057

Опубликовано: 25.07.1977

Автор: Бобылев

МПК: G02F 1/01, H01L 31/14

Метки: модулятор, оптический, памятью, пространственный

...поверхностно-барьерного контакта, толщина25 которой составляет 10 мкм, управщаощее напряжение модулятора значительно"; ниже, чем в известных конструкциях. Наряду с этим малая толщина рабочего слоя дает потенциальные возможности для улучшения М разрешения. На фиг,.1 показан ПМП, одно из воз,можных построений; на фнг, 2-4 приведеныэнергетические диаграммы поверхностно З 5барьерного контакта. ПМП представляет полупроводниковый слой 1, находящийся на прозрачной проводящей подложке 2. На поверхности слоя 4( создан йоверхностно-барьерный контакт с полупрозрачным электродом Ь. На проводящей обложке предполагается наличие омического контакта 4 для приложены к структуре напряжения. Энергетическая45 диаграмма на фиг. 2 характеризует исход;-...

Номер патента: 588859

Опубликовано: 25.03.1979

Авторы: Баскин, Кравченко, Лисенкер, Марончук, Шегай

МПК: H01L 31/14

Метки: визуализации, излучения, инфракрасного

...ИК изображения и подготовка, пластины к приемунового изображения производитсяпутем нагрева пластины или облучением ее интечсивным светом из областисобственного поглощения.Использование описанного активного элемента позволяет существенноупростить конструкцию устройства:исключить сложные системы, связанныес питанием и коммутацией электрических цепей приемника и излучателя,повысить разрешающую способность устройства, увеличить время запоминанияизображения. Причем иэображение хранится без подачи на устройство электропитания и потребления электроэнергии. 48На чертеже показана схема предлагаемого устройства.Оно состоит из системы 1, проектирующей инфракрасное изображение,элемента 2,в качестве которого используется полупроводниковая...

Номер патента: 767872

Опубликовано: 30.09.1980

Авторы: Валацкас, Веркялис, Гечяускас, Жвирблис, Зубас, Мажейкис, Мостейкис, Стружановский

МПК: H01L 31/14

Метки: датчик, импульсный, фотоэлектрический

...обеспечиваетповышение чувствительности датчика,так как уменьшено расстояние от ис"точника и приемника света до растра. Максимальная же чувствительностьпредложенного датчика достигаетсяпри уменьшении расстояния от источника до приемника света. до предельно возможного значения дйО (О -ширина штриха растра). При увеличениирасстояния до Ы =20 чувствительностьдатчика уменьшается до 30 от максимального значения. Минимальный поперечный размер фотоприемника определяется технологическими возможностями его изготовления,На Фиг. 1 схематически изображенфотоэлектрический импульсный датчик;на фиг. 2 дан пример конкретного выполнения. зйФотоэлектрический импульсный датчик содержит источник света 1, приемник света 2 в корпусе 3. Их связывает растр 4...

Номер патента: 955290

Опубликовано: 30.08.1982

Автор: Кругликов

МПК: H01L 31/14

Метки: фотосчитывающее

...регистр 1 ячейки 2 и 3фотоприемной матрицы, фотодиоды 4, общую шину 5, транзисторы 6, 7 и 8, шину 9 питания, выходную шину 10, регистр 11.Затворы транзисторов 6 являются управляющими входами фотоприемной матрицы, по которым производится предустановка ячеек фотоприемных матриц, заключающаяся в заряде паразитной емкости, подключенной параллельно фотодиоду 4. Затворы транзисторов 8 являются считываю.Михеева 65 И Гос делам осква Пат. Бил Ти дарст иэоб Ж - нт,ВНИИПпо 113035, М лиал ППП шими входами ячеек фотоприемно 71 матрицы. Питание ячеек осуществляется по шинам 5 и 9. Выходной сигнал снимается с общей шины, объединяющей выходы всех ячеек фотоприемной матрицы.Устройство работает следующим образом.Под воздействием управляющего сигнала от...

Номер патента: 506243

Опубликовано: 30.08.1985

Авторы: Бродзели, Ковтонюк, Полян, Сихарулидзе, Чавчанидзе

МПК: H01L 31/14

Метки: изображения, оптоэлектронный, полупроводниковый

...полем, приведут к тому, что между этими точками имеет место эффект локального вытеснения внутреннего поля из полупроводника, которое распределится между точками 12 и 10 диэлектрика и точками 11 и 13 электролюминофора. Это в свою очередь приводит к увеличению падения напряжения в слое электролюминофора между точками 11 и 13 и его загоранию, Таким образом, в точке 13, лежащей на одной прямой с токами 9, 12, 10, 11, 13, наблюдается преобразованное изображение.При питании прямоугольника импульсами памяти МДПДМ-структуры позволяет заполнить сформированное и преобразованное изображение на время действия одного импульса питающего напряжения. Это свойство позволяет также суммировать ряд изображений, отделенных друг от друга временным...

Номер патента: 528824

Опубликовано: 30.08.1985

Авторы: Бродзели, Ковтанюк, Полян, Сихарулидзе, Чавчанидзе

МПК: H01L 31/14

Метки: изображения, полупроводниковый

...усиления выходного изображения.Это достигается тем, что междуслоями полупроводника и диэлектрикарасположен излучающий электроннодырочный переход, толщина которого 40больше диффузионной длины неравновесных носителей, что позволяет значительно улучшить быстродействие устройства и увеличить коэффициент усиления изображения за счет накопления.45На чертеже представлен предлагаемый преобразователь изображения.Он содержит прозрачные электродь,1, прозрачные слои диэлектрика 2,слой 3 высокоомного полупроводника 50с концентрацией носителей не более10 см , нанесенные эпитаменей низкоомные слои 4 и 5 р и П -типа, образующие излучающий переход в -п-переход,и клемм б и 7 для подключения импульсного или синусоидального напряжения пгтания. При...

Номер патента: 1749956

Опубликовано: 23.07.1992

Авторы: Богомолов, Бродягин, Быховский, Губин, Рурукина

МПК: H01L 31/14

Метки: качества, пористых

...выходом диода 17, вход которого связан с шиной заземления источника питания, Выход диода 16 соединен параллельнос первым выводом резистора 12 и шиной заземления источника питания через конденсатор 29. Второй вывод резистора 12 связан параллельно с первыми выводами конденсатора 30, резистора 13 и базой транзистора 20, эмиттер которого, а также вторые выводы конденсатора 30 и резистора 13 соединены с шиной заземления источника питания. Коллектор транзистора 20 связан параллельно с вторым выводом резистора 2 и базой транзистора 21, эмиттер которого связан с шиной заземления источника питания через резистор 14, Коллектор транзистора 21 соединен параллельно с вторым выводом резистора 1 и резистором 15,На фиг,2 обозначены: светодиод 1, фо-....

Номер патента: 1505368

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Елагин, Наймарк, Шевнин, Юликов

МПК: H01L 31/14

Метки: фотосчитывающее

...от устройства считывацил, 2 ил,Преобразователь кодов может бытьвыполнен ца осцове ППЗУ,Устройство работает следуюшлмобразом,В результате пересчета импульсовтактового генератора 4 ца выходесчетчика 5 формируется адрес преобразователя 3 кодов, ца первом выходеимпульсы сдвига для смещеция цц 4 ормаццц в сдвцгающем регистре 2, а ца выходе дешифратора 6 - импульсы начальной установки регистра 2,результате иа выходах регистрапоочередно во вр емеци поя вля ются импульсыы, управляющие считываццем ицформации поочередно с одцого из Фоэ опрцемциков 1 матрицы,Начальцая устацовка фотопрцсмци-.ков 1 матрицы производится выкодцьц,цимпульсами преобразователя 3 нодоя,Благодаря воэможцости программигЮаа 1 Фиг, 2. оставитель Н,Ииляеехред Л.Олиинык ор...

Номер патента: 1535282

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Бехтерев, Десятков, Наймарк, Путырина

МПК: G06K 7/10, H01L 31/14

Метки: фотосчитывающее

...импульсов от задающего генератора 4 "единицы" цикличес", ОС ки перемещаются по регистрам.ЯПоявившаяся в любом иэ зарядов "единица" обеспечивает открытие транзистора 1 О и заряд паразитной емкости фотодиода 9 и прилежащих к нему цепей, в следующий такт с выхода следующего разряда регистра 3 откры- ф вается соответствующий управляемый вентиль 6, и уровень заряда паразитной емкости передается на инфорчан 1 и иный вход элемента 7 задержки, в кс те - ром он перемещается под действием1535282 оставцтель И.Ииляевехрел М,Ходацнч орректор Л.Бес аслот Рел.кто Подписное по изобретениям ц отк Ж - 35, Рауиская цаб., л; " згсл,тоецнэ-излательскцц комбинат 1 атецт , г,)жгорол, нч. рцца, 101 тактовых Импульсов от задающего генератора 4, Через...

Номер патента: 1797418

Опубликовано: 20.09.1995

Автор: Аверин

МПК: H01L 31/14

Метки: фотодетектор

...2 и образующие с ним контакты металл-полупроводник 3, фоточувствительная область 4. Фотодетектор работает следующим образом.При освещении оптическим излучением фоточувствительной области 4 образуется фототок, который является комбинацией электронов и дырок, фотогенерированных в обедненной области обратно смещенного контакта. Этот ток .еоез развязывающую емкость подводится к полезной нагрузке й, создавая на ней измеряемый сигнал, при этом быстродействие фотодетектора с шириной электродов менее 0,5 мкм увеличивается при сохранении его эффективности, если высота электродов не превышает его Формула изобретения ФОТОДЕТЕКТОР с встречно-штыревой системой электродов, размещенных в активном слое слоистой полупроводниковой структуры и...

Номер патента: 1284439

Опубликовано: 10.06.1996

Авторы: Ильичев, Полторацкий

МПК: H01L 31/14

Метки: оптоэлектронный, памяти, элемент

Оптоэлектронный элемент памяти, выполненный на сильнолегированной подложке арсенида галлия, содержащий излучательный p n-гетеропереход, образованный гетерослоями Gа1-yAlyAs и Gа1-2Al2As, последний из которых граничит с подложкой и имеет с ней один тип проводимости при y>2, активный транзисторный слой с контактами истока и стока и электродом затвора, отделенный от указанных гетерослоев изолирующим слоем из твердого раствора Gа1-xAlxAs:О и имеющий сформированную в активном и изолирующем слоях до слоя Ga1-yAlyAs канавку, на дне которой сформирован омический контакт с площадью, меньшей площади дна канавки, и гальванически соединенный с контактом стока,...