354681

Номер патента: 1012308

Опубликовано: 15.04.1983

Авторы: Аллахвердов, Аносов, Каллиников, Кремков, Лебедев, Опаренко

МПК: G08C 19/28

Метки: вертикальной, гидрофизических, полей, структуры, телеизмерения

...приводит к большому объему избыточной информации, которая перегружает память, каналы передачи и ЭВМ.Недостатком описанного способа является также невозможность изменения скорости движения носителя во время зондирования, которую можно менять только перед началом каждого цикла путем установления требуемой плавучести носителя; свободно движущегося вдоль направляющего кабель- троса. Это не позволяет уменьшить общее время зондирования и приспособить описанный способ к изменяющимся внешним условиям:Кроме того, известный способ не приспособлен к автоматизации много-. циклового измерения в автономном ре-. жиме.Цель изобретения - повышение точ", ности измерения. Поставленная цель достигается тем,25 что согласно способу телеиэмерения...

Номер патента: 1710605

Опубликовано: 07.02.1992

Авторы: Воронов, Ганина, Зейналов

МПК: C30B 29/08, C30B 33/10

Метки: выявления, германия, дефектов, монокристаллах, структуры

...диаметром 100 мм,Полировку проводят при перемешивании раствора до получения зеркальной поверхности. По окончании полировки образец промывают водой и оставляют в емкости с водой.Готовят селективный травитель, го берут 225 мл НЕ (ОСЧ 48%) (4, приливают к ней 225 мл НМОз (О (4,5 об,ч.) и 200 мл СНзСООН (ОСЧ (4 об,ч.), В полученный раствор за-г П едложенный способ Известный способП е ложенный способ Известный способСоставитель И.ВороновТехред М,Моргентал Корректор О.Кундрик Редактор В.Данко Заказ 313 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 2,6 г порошка КВг (ТУ 6-09-476-76)...

Номер патента: 1721475

Опубликовано: 23.03.1992

Авторы: Комар, Мигаль, Ульянов, Чугай

МПК: G01N 21/19

Метки: визуализации, дефектов, кристаллических, объектах, структуры

...поляризованного света от лазера 1, пройдя через объектив 2, становится расходящимся, в результате дальнейшего прохождения пучка через объект 5 и отражения от его поверхностей образуется изображение фазовой структуры объекта, которое фотографируют в проходящем и отраженном свете на фотопластинки 8 и 8 соответственно. Затем между объектом и фотопластинкой в проходящем луче последовательно помещают компенсатор 6, а также четвертьволновую пластинку 3 и анализатор 7, которые образуют круговой анализатор, а между источником света и объектом помещают четвертьволновую пластинку 3, превращающую свет в циркулярно поляризованный, изменяют оптическую разность хода, вносимую компенсатором, и фотографируют совмещение изображения объекта с его фазовой...

Номер патента: 1759185

Опубликовано: 09.01.1995

Авторы: Нагорный, Плащинский, Санков, Сидоренко

МПК: H01L 21/336

Метки: кмоп-структур

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КМОП-СТРУКТУР, включающий формирование на пластине монокристаллического кремния I-го типа проводимости пленки защитного диэлектрика, формирование карманов II-го типа проводимости, удаление пленки защитного диэлектрика, формирование пленки подзатворного диэлектрика, формирование областей истока и стока транзисторов с II-м типом проводимости канала и охранных областей путем ионной имплантации примеси II-го типа, ее активации и разгонки, формирование областей истока и стока транзисторов с I-м типом проводимости канала и охранных областей путем ионной имплантации примеси I-го типа, ее активации и разгонки, формирование электродов затворов, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа и повышения его производительности,...

Номер патента: 306432

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Заморозков, Муравьев, Радюк, Ставский

МПК: G01J 3/28, G01N 21/31

Метки: исследовапия, пучков, спектрального, структуры, электронных

...в объеме пучка ионов является причиной того, что оптическое интегральное излучение пучка состоит из только из излучения возбуждения нейтральных атомов, но и из свечения возбуждения ионов. Поэтому распределение интенсивности интегрального излучения по сеченшо пучка зависит не только от распределения плотности тока первичны.; электронов пучка по его поперечному сеченшо, 5 но и от распределения ионов, что искажаетпнформацшо о структуре первичного электронного пучка.Чтобы устранить искажающее влияние излучения ионов, предлагается способ исследо вания структуры электронных пучкоь, основанный на регистрации не интегрального излучения электронного пучка, а излучения отдельной спектральной линии или полосы спектра возбуждения...