355696

Номер патента: 302998

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Богданов, Губырин, Додонов, Ермолаев, Захаренко, Мельников

МПК: H01L 21/98

Метки: полупроводниковых, приборов, сборки

...в виде хоккейной клюшки или крючка (фиг. 1). На концах зубьев могут быть выштампованы фигурные выступы в форме уступа, П-образные (фиг.2).Отрезки ленты (фиг. 3) могут располагаться в кассете зубьями в одну сторону или навстречу один другому в зависимости от расположения выводов диода,При сборке диодных матриц на отрезках металлической ленты 4 (фиг. 4) оформляют группы выводов, один из которых имеет форму, например, хоккейной клюшки, а другой - крючка. Для фиксации отрезков ленты при сборке на ленте отформованы фиксирующие отверстия 5,Перед сборкой на каждую ленту напаивают по два кристалла в одинаковом положении. На одну из лент кристаллы напаивают или на вывод в форме хоккейной клюшки, или на вывод в форме крючка.На другучо...

Номер патента: 403362

Опубликовано: 05.06.1976

Авторы: Антонов, Голото, Казаков, Молдованов

МПК: H01L 21/22

Метки: полупроводниковых, приборов, сборки

...усилии, не превышаю - шем величину предела упругости полупроводникового кристалла.Детали и злементы полупроводникового прибора, контактирующие поверхности которь 1 х имеют шлифовальные или полированные обезжиренные поверхности, помешают в вакуумную камеру (например, с остаточным вакуумом 110 3-110 7 мм рт, ст.), нагревают до температурь., не превышаюшей 0,4 температуры плавления легкоплавкого материала соединяемых деталей, прижимают их друг к другу с удельным усилием, не превышгкицим величину предела упругости голупроводникового кристалла, выдерживают при температуре сварки в те -403362 Составитель М Яенешкинатехред Е Петрова Корректор Е РЕ. Рожкова Редактор И Ш б Изд, М Я Заказ 6310 ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров...

Номер патента: 463401

Опубликовано: 25.06.1975

Авторы: Лепетило, Янович

МПК: H01L 7/68

Метки: полупроводниковых, приборов, сборки

...- ца флдццс 2 О 4 инструмента; механизм прижима подложи)1с шарнирной опорой, связанной с корпусом рабочей головкц через цаправляощую внутреннего трения.Шарнирная опора выполцсца в вцдс вту.)- О с Опор)ым ф,аниса 9, кднтд),т;11) Оц 1 сйпо сфере с корпусом 10, с которым также контактирует по сфере шайба 11. Между шайбой 11 и флаццем 12, закрепленным в верхней части втулки 8, установлена пружц- зО на сжатия 1). Шарнирная опора соединенаС КРИУСХ РЯООСИ ГОГОБКР ПсИРЯ В.15 ОиСи ВпутрсппеГО трспи 51, ВыиОлпсппОЙ В Виде двух плоско-параллел 1 Иых пру 5 кип 14 с плаваю 1 Ци 5 КРЕПЛСПИС.ЪстрОЙство ряоотяст следуоцпм оразом.После зс 1 хвятя кристял,12 1 э и:1 стрммепТО ПУТОМ СОЗДЯ 1 И 51 ВЯКУУМЯ РООЧЯ 5 О,ОБ.ея, я Вместе с пей мехапизх...

Номер патента: 938219

Опубликовано: 23.06.1982

Авторы: Беляков, Голубев, Грицевский, Груздев

МПК: G01R 31/26

Метки: качества, конструкции, полупроводниковых, приборов, соединений, теплозащищенных, элементов

...Вп, =80 оС.Схема содержит резисторы 1 и 2, величина сопротивления каждого из ко. торых равна (1/2 Йп) - половине соб-. ственного теплового сопротивления терморегулятора, резистор 3 (Й) - контактное сопротивление терморегулятор-полупроводниковая структура, В.п - тепловое сопротивление, равное Йп, = 1/2 В., + В емкость 4, Сптеплоемкость термор.гуля 1 ора, резистор 5 и емкость 6 йт и Ст - тепловое сопротивление и теплоемкость полупроводниковой структуры, соответственно, Чт - мгновенный перегрев терморегулятора, Чп - мгновенный перегрев полупроводниковой структуры.1 В реальном теплозащищенном приборе выполняются следующие соотношения:й йт; СС,; "-т 1 где п - пк Сп а Тт = йт СтПусть в произвольный момент времени С = С; полупроводниковая...

Номер патента: 1220030

Опубликовано: 23.03.1986

Автор: Сергеев

МПК: H01L 21/68

Метки: полупроводниковых, приборов, сборки

...и кулачки-эксцентрики 12,взаимодействующие с подпружиненными двуплечими рычагами 6, На одном плече двуплечего рычага 6 установлены пластина со сквозным отверстием 13 по форме крышки 5 и сопряженные с ним от 40 верстия 14 под два сварочных электрода (не показаны). Сквозное отверстие 13 в верхней части выполнено с заход- ными фасками 15 и фасками 16 в некией части продольных граней 17 сквознога отверстия 13. Нижние кромки 18 поперечных граней 19 сквозного отверстия 13 выполнены острыми с минимальными радиусами 0,05 - 0,10 мм. Дляа сборки полупроводниковых при 5 О боров, например интегральных микросхем в прямоугольных корпусах, высота корпуса полупроводникового прибора Н, минимальное расстояние Ь междунаправляющим выступом 2 гнезда и...