Способ пластического деформирования кристаллов типа а” bi
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
О П И С А Н И Е 354496ИЗОБРЕТЕН ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз СоветскихСоциаттистицескихРеспублик Зависимое от авт, свидетельства344328Заявлено 02.11.1971 ( 1620948/26-25) 11 3 20 1(л. присоединением заявкиПриоритет Опубликов Хотвитет оо аелзобретений и откоои Совете МиниСССР 535,35(088.8) по 09,Х,1972, Бюллетень30икования описания 24,Х,1972 ата опу Авторыизобрете Ю. А. Осипьян, В, ф. Петренко и И. Б. С Институт физики твердого тела АН С авчеико Заявител ОСОБ ПЛАСТИЧЕСКОГО ДЕФОРМИРОВАНИ КРИСТАЛЛОВ ТИПА Ац Втскорость деформации, не пре симально возможной скорост кристалла при данной темпе ции. Через два специальных кристалл, освещают видимым волны собственного поглоще светом и одновременно инфр сти по щую макданпого деформа- в камере с длиной и белым ым невивышаю и для ратуреокна светом ния и акрасн ой волны 5300 А. На кривая деформации обия (Ст 15) при темпераной скорости деформаид деформации - одно- абсцисс откладываетсяобразца, по оси ордиразцы нарезаются в виизм,размерами 2)(3 р,димым светом с длинчертеже изображенаразца сульфида кадмтуре 100 С и постоянции 510 4 си/мин, Восное сжатие, По осистепень деформациидат - напряжение. Обде прямоугольных пр)(10 лм.После выхода дестического течениявичным светом (точ формации на стадию плакристалл освещают перка 1) с длиной волны 200 А, вь В дал ротекаетВ точках нфракра Изобретение относится к обла лупроводниковой электроники.Известен способ деформирования полупроводниковых кристаллов типа Ац Вд путем приложения механического усилия и воздей ствия на них электромагнитным излучением из области собственного поглащения.Цель изобретения - управление пластичностью кристаллов,Цель достигается за счет того, что на ста дии пластической деформации, осуществляемой с определенной скоростью при заданной температуре, фоточувствительный кристалл облучают двумя источниками света - первичного (с длиной волны в области собственно го поглощения), определяющего дополнительное упрочнение кристалла, и вторичного (с длиной волны в инфракрасной области), приводящего к разупрочнению, величина которого зависит от интенсивности и длины волны 20 вторичного источника.Деформирование осуществляется в закрытой камере на специальной машине. Виды деформации могут быть различными: одноосное сжатие, изгиб, растяжение и т. д, В ка мере поддерживается постоянная температура, при которой для данного кристалла наблюдается фотопластический эффект. Машина, осуществляющая пластическую деформацию кристалла, обеспечивает определенную 30 зывающим сильное упрочнение. нейшем пластическая деформация при более высоких напряжениях.2, 4 и 6 включается дополнительное сное освещение кристалла с длиной олны 9500 А, Под действием инфракрасног свещения кристалл разупрочняется, дальней354496 Предмет из об ре т ения Составитель А. Кот Техред Т, Курнлко Корректор Г. Запорожец Редактор Л. Мазуронок Заказ 3579/4 Изд. Мо 1467 Тираж 406 Подписное ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Ж.35, Раушская наб д. 4/5Типография, пр, Сапунова, 2 шее пластическое течение происходит при меньших напряжениях.Величина разупрочнения составляет 20 - 25 от величины упрочнения. При выключении инфракрасного света наблюдается упрочнение в точках 3, б и 7), Это явление можно наблюдать многократно для одного и того же образца. Для получения значительного разупрочнения кристаллов под действием инфракрасного света необходимо, чтобы интенсивность инфракрасного света была больше интенсивности первичного света.Величина разупрочнения зависит от интенсивности и длины волны инфракрасного 4света. Для кристаллов сульфида кадмия разупрочнение максимально при длине волны ИКС около 9500 А,При освещении кристаллов только инфракрасным светом без первичной подсветки изменения пластичности не наблюдается,10 Способ пластического деформирования кристаллов типа А" Вд по авт. св, Мв 344328 отличающийся тем, что, с целью управления пластичностью, кристаллы типа Ап ВУ одновременно облучают инфракрасным светом,
СмотретьЗаявка
1620948
Ю. А. Осипь В. Ф. Петренко, И. Б. Савченко Институт физики твердого тела СССР
МПК / Метки
МПК: H01L 31/16
Метки: деформирования, кристаллов, пластического, типа
Опубликовано: 01.01.1972
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-354496-sposob-plasticheskogo-deformirovaniya-kristallov-tipa-a-bi.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ пластического деформирования кристаллов типа а” bi</a>
Предыдущий патент: 354495
Следующий патент: Способ обработки селенида кадмия
Случайный патент: Импульсный стабилизатор напряжения