Способ получения р—г-перехода

348129 О П И Союз Сооетских Социалистицеских Республикавт. свидетельства М Зависимое Заявлено 05.17,1971 ( 1646126/2 17 гасударственныи камите 1Совета Министров СССРпо делам изобретенийи открытий Приор ите летень39 К 621.382(088.8 публиковано ОЗ.Х.1973. ия 4.П,197 Авторы зобретения С. Х. Мильштейн и В. И. Никитенконститут физики твердого тела АН СССР Заявител-ПЕРЕХОД ОСОБ ПОЛУЧЕН и технолоых прибо с присое инением заявки Дата опубликования оп зобретение относится к обл производства полупроводни ров,В известном способе создания прижимных вьопрямляющих контактов на кремнии и-типа при помощи вольфрамовых микрозондов с использованием дислокаций имеет место малая механическая прочность контактов. Имея хорошие частотные характеристики, указанные переходы, однако, ограничены по мощности ввиду м ал ой площади контактов.Цель изобретения - разработка сварных точечных р - и-переходов, восстанавливающих свои свойства после пробоя и обладающих большей мощностью рассеяния, а также диодных матриц на кремнии и-типа в местах расположения сгустков дислокаций большой плотности, что дает возможность получать выпрямляющий переход, не легируя полупров одн ик.Отсутствие легирования, совмещение операций создания выпрямляющего и омического контактов, использование в обоих случаях одного и того же технологического приема - точечной сварки - значительно упрощает технологию изготовления р - и-перехода. Небольшое количество технологически простых операций, а также несложное оборудование, применяемое в предлагаемом способе, создает предпосылки для полной автоматизации всего технологического цикла изготовления диодов и диодных матриц.р - и-переходы, полученные предлагаемым способом, восстанавливают свои свойства после лавинного пробоя, что достигается использованием в создании р - и-перехода акцепторного действия дислокаций.Эффективность предлагаемого способа исследовали на монокристаллах кремния и-типа с удельным сопротивлением 45 ом см, размеры которых 20 Р,2)(О,5 мм.Образцы деформировали при 500 - 600 С корундовым индентором, заточенным в форме четырехгранной пирамиды. Кристаллы помещали в круглую маленькую электрическую печь (диаметр которой 75 мм, высота 60 мм), размещенную на столе микротвердомера типа ПМТ. По достижении необходимой температуры кристалл укалывали индентором с нагрузкой 2 кг. Затем индентор разгружали, стол твердомера вместе с печью при помощи микрометрического винта п перемещали на 2 - 3 мм для нанесения нового укола.В верхней крышке печи выполнена длинная прорезь, позволяющая проводить локальное деформпрование необходимое число раз по всей длине образца.Размер отпечатка индентора 0,25(О,25 мм, что при использованных нагрузках соответствует давлению 32 кгмм.348129 Составитель А. Кот Редактор А, Батыгин Корректор Е. Хмелева Текред Т. Ускова Заказ 178/12 Изд. Мо 79 . Тираж 780 Подписное ЦгтИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобпетениЙ и открытий Москва, Ж, Раушскаи наб., д. 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 После деформирования образцы травили в растворе НЕ: НМОз: СНзСООН=1: 3: 2 и промывали в дистиллированной воде и спирте. После травления на деформированных участках обнаруживали дислокационные области с большой плотностью дислокаций (по предварительной оценке 10 а - 10" см - а).К недеформированным участкам образца методом точечной сварки приваривали омические контакты из золотой проволоки,диаметром 0,1 мм легированной сурьмой, При этом применяли стандартную схему точечной сварки. Блок конденсаторов общей емкостью 400 мкф заряжали от универсальпото источника питания У 1 ЛПпри напряжении 100 - 110 в. В цепь разрядки конденсаторов для ограничения тока включали реостат типа РСП с сопротивлением 38 ом,Упомянутую золотую проволоку при этом же режиме сварщики приваривали к участкам кристалла с большой плотностью дислокаций.При этом проводили мягкую сварку, а не вплавлепие золота, так как ток не пропускался через массу образца и был подобран та ким образом, чтобы обеспечить достаточнонадежную адгезию металла с полупроводником. 10 Предмет изобретен и я Способ получения р - п-перехода на основепластины кремния и-типа путем приварки контактного материала, отличающийся тем, 15 что, с целью получения р - п-перехода, восстанавливающего свои свойства после пробоя, и увеличения мощности, приварку контактного материала осуществляют к деформированным участкам пластины с плотностью дисло каций порядка 10 - 10 см-а