Тизенберг

Номер патента: 1496220

Опубликовано: 27.05.2009

Авторы: Воронков, Гусева, Левковская, Мирскова, Суслова, Тизенберг

МПК: A61K 31/52, C07D 213/70, C07D 215/36 ...

Метки: гетерилтиоуксусных, гиполипидемическим, действием, кислот, обладающие, соли, трис(2-гидроксиэтил)аммониевые

Трис(2-гидроксиэтил)аммониевые соли гетерилтиоуксусных кислот общей формулы где Het -2-пиридил, 2-хинолил 2-пиримидинил или 6-пуринил, обладающие гиполипидемическим действием.

Номер патента: 946219

Опубликовано: 10.05.2008

Авторы: Амосова, Васильева, Воронков, Кузнецов, Морозова, Платонова, Тизенберг, Трофимов

МПК: A61K 31/795, C08F 226/10

Метки: n-винилпирролидона, антидота, дивинилсульфида, кадмия, обладающий, ртути, свойствами, сополимер

Сополимер N-винилпирролидона и дивинилсульфида формулы: где m:n = 75-80:25-20,с молекулярной массой 3000-3400, обладающий свойствами антидота ртути и кадмия.

Номер патента: 1417426

Опубликовано: 10.06.1996

Авторы: Воронков, Гусева, Кузьмина, Левковская, Мирошников, Мирскова, Суслова, Тизенберг

МПК: A61K 31/10, C07C 317/46

Метки: гипохолестеринемическим, действием, кислоты, обладающая, парахлорфенилсульфонилуксусной, соль, трис-(2-гидроксиэтил)аммониевая

Трис-(2-гидроксиэтил) аммониевая соль парахлорфенилсульфонилуксусной кислоты формулыобладающая гипохолестеринемическим действием.

Номер патента: 344777

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Пахомов, Попова, Тизенберг, Шевцов

МПК: H01L 21/365

Метки: полупроводниковыхприборов

...с различными коэффициентами диффузии до концентраций примесей, разность которых превышает по крайней мере два порядка.В процессе дальнейшей диффузии примесей из выращиваемого эпитаксиальцого слоя в исходцый полупроводниковый материал (подПроцесс осуществляют следующим образом.На пластине германия р-типа проводимости с базовым соединительным слоем г-типа проводимости известными методами фотолитографии и маскирования гермацця, например пленкой ЬЮа, локально путем, например, травлеция в газообразцом НС 1 создают окца (углублеция) для эмиттера, в которые эпитаксцальцо осаждается, например, хлоридцым методом монокристаллический слой германия, легированный в процессе эпитаксиальцого осаждения акцепторцой примесью, например бором,...

Номер патента: 173456

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Калнач, Тизенберг

МПК: G01K 1/14, G01K 7/02

Метки: расплавов, температуры, тиглях

...при помощи термопар которую погружают в расплав сверху, не обеспечивают достаточной точности измерения в разных точках поверхностного слоя расплава (зоны кристаллизации) вследствие отвода тепла через защитную оболочку,По предложенному способу для повышения точности измерения градиентов температуры в зоне кристаллизации расплава термопару вводят в расплав через отверстие, расположенное в донной или боковой части тигля ниже уровня расплава.Для свободного перемещения термопары между ее оболочкой и корпусом тигля создают зазор, удержание расплава в котором обеспечивают примепением не смачиваемых расплавом материалов тигля и оболочки термопары. Описанный способ может быть применен для контроля градиентов температуры при совершенствовании...