Патенты с меткой «иоффе»

Номер патента: 178841

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Сидоров, Школьников

МПК: C21C 1/08, C22C 37/00

Метки: буров, иоффе

...редкометаллидоров, К, Ф. ли В. М, Буров автомобильныйледовательскийческой промышленн Центр аявител МОДИФИЦИРОВАНИЯ ЧУГУН 2 по стабпльц свойствам ( гателей внут равцомерю5 тый графит. ости структуры и ме апример, поршневые рецнего сгорания),распрсделецны мелк ханическим ;ольца двиполучаетсяопластицчазобр едм угуца на осотличающийластццчатогошого по сечецировацияэлементов,получения праспределержит, %:це ме нее 35 до 7 мельпыхериевой 65,Известны сплавы для модифицирования чугуна на основе редкоземельных элементов, например сплав ФЦМ, содержащий 40 - 45% церия, 20 - 25% лантана, остальное РЗЭ, железо и магний.Предложенный сплав содержит, %:лантана не менее 35железа до 7прочих редкоземельныхэлементов цериевойподгруппы до б 5Это позволяет...

Номер патента: 260745

Опубликовано: 01.01.1970

Автор: Маковский

МПК: H01B 3/00

Метки: и.а, им, институт, иоффе, рыбкин, строкан, технический, физико, хусаинов

...в запрещенной зоне, например на германии, с барьером металл - полупроводник, например германий - золото. Величина концентрации электронов у поверхности равнат5 ктгде и, - равновесная концентрация электронов в полупроводнике; р - контактная разность потенциалов; 10 К в постоянная Больцмана.Изменением срк путем различной обработки поверхности, степени легирования и подбора металла можно избежать раскомпенсации 15 в равновесном состоянии.При этом в процессе травления и нанесения металла энергетическое расстояние от уровня Ферми до уровня примеси должно быть больше, чем величина изгиба зон на 20 поверхности кристалла.С приложением внешнего напряжения концентрация у поверхности остается неизменной, так как металл является бесконечным...

Номер патента: 335712

Опубликовано: 01.01.1972

МПК: H03M 1/12

Метки: иоффе, йдтейтко-ихнгенйбибяиотгмаа

...один из выводов которого соединен со вторичной обмоткой непосредственно, а другой - через имлульсный нуль-орган,На чертеже пок ана схема датчика с,подвижным якорем.Он состоит из дифференциально-трансформатор 11 о о датчика перемещение - временной 5 интервал 1, генератора прямоугольных импульсов 2, рсзистора 3, включенного последовательно с,псрвичнымц обмотками датчика, и цмпульсцого нуль-органа 4, который подсоединен к одному цз копцов вторичных обмоток О датчика ц резистора, Второй вьгвод резисторасоединен со втори шой пенью датчика. Дат 1 и 1 к 1 моткст быть Выполиси как с подвижныъ 1 якорем, так и с,подвижной катушкой.Нри включении генератора прямоугольных 5 импульсов (О) в первичной цели датчика 1возникает ток (11), изменяющийся в...

Номер патента: 348148

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Витовский, Вихлий, Машовец

МПК: H01L 39/24

Метки: им, институт, иоффе, ленина, рыбкинирдена, физико-технический

...ПОСО дальнеишем охлажд ческой температ ры ряда возникают в чего образуется све 5 на поверхности приала. из обретен и Предмет Способ получения 0 риала из полупрово тем его охлаждения туры, отличаоирйся чения сверхпроводя проводникового мат 5 зец из полупроводн ЛпВч охлаждают 200 К, шлифуют и ской температуры.Изобретение относится к способу получения сверхпроводящего материала на основе промышленных полупроводниковых материалов.Известен способ получения сверхпроводящего материала на основе непромышленных полупроводниковых материалов, например беТе и ЬгТОз.Цель изобретения - создание способа получения сверхпроводящего материала на основе промышленных полупроводящих материалов типа ЛтпВч,Цель достигается тем, что по предлагаемому способу...