Полупроводниковый прибор
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 349210
Авторы: Австри, Иностранец, Сименс
Текст
349230 ОП И САНИ Е ИЗОБРЕТЕН ИЯ Союз Соеетских Социалистических РеспубликК ПАТЕНТУ висимый от патентаЗаявлено 04.Х 11,1968 ( 1288163(26-25) Приоритет 02 Х 111.1968,Р 1764773.3, Ф Ч. Кл. Н 0111 Комитет па делам изобретений и открыти(088.8) при Совете МинистСССР та опубликования описания 1,1 Х.197 Автор зобретения Иностранец Манфред Чермакявите ОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБО 2 ава можногодные для ами, такие , молибден,Изобретение относится к полупроводниковым приборам.При герметизации полупроводниковых приборов широко применяются корпуса, в которых между металлическим основанием и электрическим выводом имеются пластмассовые элементы.Когда прибор работает в условиях частых и резких изменений температуры, нарушается соединение между металлическими и пластмассовыми деталями.Для устранения этого недостатка предлагается детали корпуса, соединяющиеся с пластмассовыми элементами, выполнять из металлокерамического сплава хотя бы в тех местах, где они прилегают к пластмассовым элементам. Предпочтительнее же такие детали выполнять целиком из металлокерамического сплава.Для металлокерамического сплприменять металлы и сплавы, приконтактирования с полупроводниккак железо, никель, медь, серебровольфрам.Необходимым требованиям отвечает, например, сплав, содержащий в металлический основе медь 30 - 70% и железо 70 - 30%,Пластмассовые элементы корпуса выполняют из термопластическои массы, например, на основе эпоксидной смолы.На фиг. 1 показан предложенный полупроводниковый прибор, вид сверху; на фиг. 2 - 5 то же, разрез по А - А; на фиг. 3, 4, 5 - соединение корпуса и вывода с герметизирующей пластмассой, варианты.Деталь 1 корпуса из металлокерамическогосплава выполнена со сквозным отверстием 2 10 прямоугольного сечения в центре и рифлением8 снаружи. В сквозном отверстии укреплен полупроводниковый элемент, содержащий полупроводниковое тело 4, например из монокристаллического кремния, с р-п-переходом, 15 соединенное слоем мягкого припоя 5 с электродами б и 7, изготовленными, например, из меди. Боковые поверхности полупроводникового тела защищены слоем лака 8.Полупроводниковый элемент связан с одной 20 стороной 9 отверстия через электрод б и слоймягкого припоя 5. Электрод 7 соединен с выводом 10 также через слой мягкого припоя 5, Пружина 11 опирается на нажимной изолятор 12 из керамического материала, Нажимной 25 изолятор прилсгаст и выводу 10.Пространство между полупроводниковымэлементом и деталью 1 корпуса заполнено пластмассой 18, которая вместе с деталью.2 Составитель Г. Корниловактор Т. Орловская Техред 3, Тараненко Корректор В. Жолудев аказ 2676/18 Изд,1156 Тираж 406 ПодписноЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 ография, пр. Сапунова, 2 корпуса полностью закрывает полупроводниковый элемент. Пластмасса может быть залита, вбрызгана или впрессована и проникает при этом в поры детали корпуса и токоподводящей детали.На фиг, 1 паяные контакты стабилизированы пружиной. Она не всегда необходима, так как пластмасса обеспечивает достаточное давление в местах пайки.Полупроводниковый элемент может быть установлен в чашеобразной детали 1 корпуса (см, фиг. 3).Деталь 1 корпуса (см. фиг. 4) представляет собой плоскую плитку, на которой расположены полупроводниковые элементы или другие конструктивные детали и которая является таким образом сборной шиной. На фиг, 5 представлена конструкция таблеточного типа, которая может быть выполнена как с прижимными, так и с паяными контактами.5 Полупроводниковый прибор, герметизированный пластмассой, содержащий полупроводниковую пластину, по крайней мере, с одним 10 р-п-переходом, имеющую электрический вывод и установленную на основании корпуса прибора, отличающийся тем, что, с целью повышения его термоциклоскойкости и надежности, основание корпуса и/или электрический 15 вывод выполнены из металлокерамическогоматериала хотя бы в местах соединения с герметизирующей пластмассой,
СмотретьЗаявка
1288163
Иностранец Манфред Чермак, Австри Иностранна фирма, Сименс ФРГ
МПК / Метки
МПК: H01L 23/06
Метки: полупроводниковый, прибор
Опубликовано: 01.01.1972
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-349210-poluprovodnikovyjj-pribor.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Полупроводниковый прибор</a>
Предыдущий патент: Способ формирования электронного пучка
Следующий патент: Газотеплозащитпып аппарат
Случайный патент: Стенд для испытания объемных гидрома-шин