H01L 29/68 — управляемые только электрическим током или потенциалом, приложенным к электроду, по которому не проходит выпрямляемый, усиливаемый или переключаемый ток

Номер патента: 118913

Опубликовано: 01.01.1959

Авторы: Елинсон, Ждан

МПК: H01J 1/304, H01L 29/68

Метки: автоэлектронный, эмиттер

...необходимой толщины высаживается на вольфраме при разложении паров тетраэтил 1 силиката в результате нагревания вольфрамового острия примерно до 1100 в атмосфере этих паров. Для получения во внешней части диэлектрического слоя кварца полупроводникового участка в кварц методом термической диффузии вводится углерод, образующийся при разложении метана. Толщина слоя кварца зависит от времени прогрева вольфрамового острия в атмосфере паров тетраэтилсиликата, а толщина полупроводникового слоя определяется временем прогрева покрытого кварцем вольфрамового острия в атмосфере метана. Описываемый эмиттер может быть также использован в качестве полупроводникового триода с управлением при помо. щи поля (фильдистора), В некоторых случаях, при...

Номер патента: 168759

Опубликовано: 01.01.1965

Автор: Фесенко

МПК: H01L 29/68

Метки: выпрямитель, полупроводниковом, триоде, управляемый

...соединенных диодов,На фиг, 1 и 2 изображеныпериодного и двухполупериотеля. Управление тем регулиро изменяется с нением сопро ряда сигналов быть снабжен чертеже не п противления триодом ания уппомощью ивленпя на входе управляказан).О нагруз схемы однополудного выпряминия включе а (фиг, 1) и конденса и управляе а из огранич диого огра довби 7,элементо подключенно яжение той подается на жение фазопериодной схеме ращатель через ие (на чертеже дным ограничисостоит из двух ащих по два олу азо В нереверсивнои дву25 выпрямителя (фиг. 2)ограничивающее сопротне показано) соединентелем, который в этом спараллельных ветвей,30 диода б и 7 (или больш ивлен с ди лучае одерж ) Подписная группаВ цепи управле1 мостового...

Номер патента: 296179

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Загребнева, Петров, Сухариер, Сучилин, Трусаков

МПК: H01L 29/68

Метки: активный, схем, электронных, элемент

...схем, предназначенньш для преобразования электрических сигналов, содержащий эмиттер электронов на основе тонких структурно- дискретных металлических пленок.Недостаток известного элемента состоит в том, что из-за наличия тока в цепях всех электродов его применение для усиления слабых электрических сигналов ограничено.Целью изобретения является обеспечение усиления слабых электрических сигналов.Это достигается тем, что активный элемент снабжен одним или несколькими дополнительными управляющими электродами, усиленными слоями диэлектрика, прилегающими к структу ре со стороны, противоположной эмиттеру,В связи с тем, что эмптгеримесную структуру, электрическое поледов 6 способно проникнуть сквозьпространство между эмиттером иб ром 4 и...

Номер патента: 349044

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Загребнева, Осипов, Петров, Серебр, Сухариер, Трусаков

МПК: H01L 29/68

Метки: активный, схем, электронных, элемент

...изобретения является усиление слабых электрических сигналов. Цель достигается тем, что активный элемент снабжен одним или несколькими дополнительными управляющими электродами, расположенными в одной плоскости с эмиттером.Изобретение поясняется чертежом,Активный элемент содержит эмиттер 1, контактные пленки 2 и 3, коллектор 4 и вспомогательные управляющие электроды 5, расположенные на той же поверхности основного диэлектрика б, на которой находится эмиттер, Электрическое поле над поверхностью эмиттера зависит от потенциалов на управляющих электродах, поэтому при изменении потенциалов на управляющих электродах может изменяться ток коллектора 4. Эффективность воздействия эл на поле вблизи эмиттера была оп помощью ЭЦВМ БЭСМ. Для...

Номер патента: 1308119

Опубликовано: 15.03.1990

Авторы: Аболтиньш, Золовина, Кугель

МПК: H01L 29/68

Метки: полупроводниковый, прибор

...изолированный полевой электрод, а на другой симметрично первому электроду расположен аналогичный второй электрод, и два электрода, расположенные в ряд и образующие с пластиной омические контакты. Расстояние между вторым электродом и наиболее удаленным от него электродом, образующим омический контакт, определено соотношением, Пластина выполнена из кремния, удельное сопротивление которого определено соотношением 10ф фС: трика, электроды 6 и 7, образующие с пластиной омические контакты.Бып изготовлен полупроводниковый прибор, в котором кремниевая пластина, п-типа проводимости имела удельное сопротивление 0,1 Ом м и размеры 20 х 10 х 0,5 мм. Изолированные металлические электроды были изготовлены из латуни с размерами 10 х 10...

Номер патента: 1094528

Опубликовано: 23.07.1993

Авторы: Вето, Кузнецов, Скрылев

МПК: H01L 29/68

Метки: зарядовой, прибор, связью

...текущиеполя ускоряющие пернос "1"татказаряда, и профиль поверхностного по"тенциала носит резко выраженный ступенчатый характер. Отсутствие тянущих полей с продольной компонентойограничивает бысгродействие ПЯС сэлектродами, имеющими выступающиечасти,Целью изобретения является увеличение бцстрщействия.10Этсдостигается тем, что в приборе с зарядсзой связью, содержащем.электроды йереноса заряда, перекрывающие канал переноса, снабженныевыступами в направлении переноса заряда, поперечный размер которых непревышает размера, на которое рас. пространяется область пространственного заряда в подложке, выступы име"ют форму трапеции, большее основа" цние которой примыкает к электродупереноса, перекрывающему канал переноса.На фиг,1 изображены...