Патенты с меткой «селенида»

Номер патента: 126971

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Марковский, Сапожников

МПК: C01G 11/00

Метки: кадмия, селенида

...токсичного селенистого водорода и позволяет получить свободный от окисных соединений селенид кадмия в виде мелкокристаллического порошка с высокой степенью чистоты.Особенность способа состоит в том, что селенистокислыи кадмий восстанавливают водородом,Способ осуществляют следующим образом. Исходное сырье (растворы солеы кадмия и селенистого ангдрда) очнцаот заестыми методами от содержащихся в нем микропримесей тяжелых металло (Ре, Х, Со, С, РЬ). Взаимодействием, например, водной взвеси Сг 1 СОа с раствором селенистой кислоты (или взаимодействием сульфата кадмия с селенистокислой солью щелочного металла или аммония) получают безводный селенистокислый кадмий,Селенистокислый кадмий восстанавливают (прокаливают) водородом в кварцевой лодочке...

Номер патента: 143023

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Трушина, Цымбалов

МПК: C01B 19/00

Метки: галлия, селенида

...раствора треххлористого галлия, полученного в качестве промеукуточного продукта в производстве металлического галлия, чистота селенида галлия со:тавляет 99,6%. Если указанный раствор хлорида галлия подвергать не однократной, а трех- или четы. рехкратной экстракционной очистке, то степень чистоты целевого про143023 дукта возрастает до 99,951%. Очень чистый селенид галлия (99,998%) можно получить из раствора хлорида галлия, предварительно очищенного от мЕталлов сероводородной группы пропусканием селенистого водорода при рН = 3 - 4.Селенид галлия с очень высокой степенью чистоты, удовлетворяющей требованиям полупроводниковой техники, получают из треххлористого галлия, приготовленного растворением металлического галлия в...

Номер патента: 265092

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Гор, Печковский, Пинаев

МПК: C01B 19/00, C01G 11/00

Метки: кадмия, селенида

...прокалкой полученной смеси при 300 - 800 С. Выход конечного продукта 73% при следующем содержании примесей (в %): Сс 10 13,0; Сд 5 10; Сс 1504 1,7. Этот способ имеет низкий выход конечного продукта и недостаточно высокую степень чистоты.По предлагаемому способу процесс ведут в потоке инертного газа, содержащего 0,02 - 0,7 г 5 еО; на 1 л газа. Это повышает выход и чистоту конечного продукта.П р и м е р. Для синтеза селенида кадмия используют сульфид кадмия марки г, который предварительно очищают от присутствующего в нем небольшого количества сульфата кадмия. Содержание основных компонентов в исходном сульфиде кадмия следующее, %; Сд 5 74,6; 5 21,2. В качестве газа-носодерии аргонкоторомрида до к. Расходульфидас 00 С.а получаюсодержан...

Номер патента: 316649

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Гор, Печковский, Пинаев

МПК: C01B 19/00, C01G 3/00

Метки: меди, одновалентной, селенида

...до 250 - 400 С.вляют с использованиемреагентов. Однако этотдостичь достаточно высоного продукта ( .78%)ный продукт загрязнен оми. ения селенида од взаимодействия ангидридом при Реакцию осуще твердых исходи способ не позвол кого выхода кон кроме того, кон кисными соединен ее а ст- ых хода и чистоты когается селенистый парообразном соого газа-носителя. а количественный, 2 да одновалентной примесей в продукС целью повышения вы нечного продукта, предла ангидрид использовать в стоянии в потоке инертн Выход конечного продукт содержание в нем селени меди 93,8%, содержание те не значительно и определяется содержанием примесей в исходном сульфиде меди.П р и м е р. Через слой 0,5 г сульфида одновалентной меди марки ч с...

Номер патента: 354497

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Заев, Кузьмина

МПК: H01L 21/477

Метки: кадмия, селенида

...восстановить утерянные в результате длительного хранения технологические свойства селенида кадмия (способность к вакуумному напылению) и может быть использован при производстве полупроводниковых приборов, преи муществец но фотоэлектрических.Известен способ обработки некоторых полупроводниковых соединений путем циклического воздействия температур (термоциклировация) от комцатцой температуры ц выше, Известный способ це позволяет восстановить технологические свойства селецида кадмия, утерянные им в результате хранения.Цель данного изобретения заключается в восстановлении первоначальных технологических свойств (способности к высококачественному вакуумному напылению) селецида кадмия,Поставленную цель достигают путем многократной обработки...

Номер патента: 356318

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Китаев, Соколова, Уральский

МПК: C03C 17/22, C23C 18/48

Метки: диэлектрические, материалы, нанесения, покрытий, раствор, свинца, селенида

...натрия, селеномочевину и едкий натр,В целях равномерного покрытия из селенида свинца в предлагаемыи раствор введен гликоколь, исходные компоненты взяты в следующих соотношениях, мольл;Ацетат свинца 10 - з - 0,2Сульфит натрия 10 -- 0,2Селеномочевина 10 -- 0,2Гликоколь 10 -- 2,0Едкий натр до рН 7 - 10.Осаждение раствора следует вести при10 - 70 С. Подготовка подложки заключаетсяв тщательной очистке ее поверхности от различных загрязнений, Использование предложенного раствора дает возможность получитьравномерные, прочно сцепленные слои, без активизации подложки. Последовательность операций при нанесении раствора на стекляннуюпластину следующая. Сначала стекляннуюпластину обезжиривают содой, промывают водой и выдерживают 10 - 20 мин в...

Номер патента: 356319

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Институт, Уральский

МПК: C03C 17/22, C23C 18/48

Метки: диэлектрические, материалы, нанесения, покрытия, раствор, селенида, цинка

...равномерного покрыгия из селенида цинка, в раствор введен гидразин-гидрат.2, Раствор по п. 1, отличающийся тем, чтоисходные компоненты взяты в следующих со отношениях, моль,л:Хлористый цинк 5,10 - з 0 1 Селеномочевина 5 10 -- 0,1 Гидр азин-гидрат 2,0 - 8,0 Ледяная уксусная30кислота до рН 7 - 10 Изобретение относится к области радиотехники,Известны растворы для нанесения покрытия из селеннда цинка на диэлектрические материалы, содержащие соль цинка, например хлористый цинк, селеномочевину и ледяную уксусную кислоту.В целях равномерного покрытия из селенида цинка в предлагаемый раствор введен гидразин-гидрат и исходные компоненты взяты в следующих соотношениях, моль/л:Хлористый цинк 5 10 -- 0,1 Селеномочеви на 5 10 -- 0,1 Гидразин-гидрат...

Номер патента: 497047

Опубликовано: 30.12.1975

Авторы: Атакулов, Афузов, Билялов, Мирзаахмедов

МПК: B01J 17/30

Метки: кадмия, селенида, слоев

...ожет Ндг- % от 3 мм, 1 см - 15% обретения е получения м их в ва исходного с лекулярным к поверхно тем, что, ний, генери адмия загр шка и при т его веса. Способ оса ждение испарении ч 0 рителя мо под углом ющи йся тонапряже селенид к 25 виде поро 10 - 15% оИзобретение относится к способу полученияслоев селенида кадмия, генерирующих фотонапряжение и используемых в оптоэлектронике,Известен способ получения слоев селенидакадмия осаждением их в вакууме на подложки при испарении исходного селенида кадмияиз испарителя молекулярным пучком, направленным к поверхности подложки под углом60. Способ не обеспечивает высоких генерационных свойств получаемых слоев.С целью увеличения фотонапряжений, генерируемых слоем, предложено загружать исходный...

Номер патента: 657478

Опубликовано: 15.04.1979

Авторы: Алиджанов, Ализаде, Гуршумов, Кулиев, Рустамов

МПК: H01L 31/08

Метки: материал, олова, основе, селенида, фоточувствительный

...материалам на основе селенида олова, которые используются приизготовлении видиконов в электровакуумной прожшленности,Известен Фоточувствительный материал, работающий в инфракрасной области спектра, представляющий собойселенид олова (11 .Недостатком известного Фоточувствительного материала является егонизкая фоточувствительность.При 20 С отношение В /В : 1,02,Целью изобретения является повышение фоточувствительности материала,Поставленная цель достигается тем,что в состав указанного фоточувствительного материала дополнительно введен селенид таллия и полученный состав соответствует формуле дый раствор на основе ЯпЯе системы ЯпБе-Т 1 Бе получают сплавлением исходных компонентов в соответствующих количествах в эвакуированных...

Номер патента: 899718

Опубликовано: 23.01.1982

Авторы: Инглизян, Конев, Шевченко, Шмакова

МПК: C01G 3/00, C22C 1/10, C22C 9/00 ...

Метки: меди, селенида, состава, фазы

...причем в качестве медьсодержащего электролита используют водный раствор медного купороса,Электрохимическая ячейка, используемая для изменения состава фазыСц 5 е, состоит из медного электрода,водйого раствора медного купороса,исходного сплава Сц 5 е и второгоФ.Хэлектрода, например графита, Изготовление раствора медного купоросанамного проще, чем изготовление твердого электролита ЗСНЙ СН Вг 17 СцВг.Жидкий электролит может успешно использоваться для контролируемого изменения состава фазы Сц 5 е в области температур0-90 фС. Погрешностьв определении степени отклонения состава от стехиометрического лф 0,013,П р и м е р. В электрической ванне с 203-ным раствором медного ку,пороса, в которой анодом служит медная пластина, в качестве катода...

Номер патента: 970292

Опубликовано: 30.10.1982

Авторы: Кулаков, Фадеев

МПК: G02B 1/11

Метки: оптических, просветления, селенида, цинка, элементов

...с образованиемслоя окиси цинка равной толщины. Показатель преломления 2 пО ниже, чем.у 2 пЯеи меняется от 1,89 до 1,61в интервале длин волн 2,5-11 мкм.30 Просветление является результатом970292 Величина отраженияот обеих поверхностейэлемента, В длина волны,на .которойполучено минимальноеотражение,мкм Время выдержки Темпе- элемента в печи, ратурач печи,С Образец до отжига после отжига 30,0+1,0 9,0+1,0,2,5 500 1,0 500 5,5+1,0 3,0+1,0 30,0+1,0 6,0 3,0 11,0 30,0+1,0 500 6,0 Составитель И. Осташенко Редактор Н, Гришанова ТехредЛ.Пекарь Корре ктор И. Ватрушки наЗаказ 8383/56 Тираж 518 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035 уМосква, Ж, Раушская наб., д. 4/5 филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул....

Номер патента: 1085934

Опубликовано: 15.04.1984

Авторы: Гуляницкий, Микитченко, Скопенко

МПК: C01G 9/00

Метки: селенида, цинка

...термическое разложение гицразинного комплекса селенидг цинка проте- ЗОкает бурно, так как селенид пинка яв.ляется канализатором разложения гидразина, что обусловливает взрыноопасность процесса.Цель изобретения - повышение чис.5 3тоты продукта, упрощение процесса иобеспечение его нзрывобезопасности.Поставленная цель достигается тем,.что согласно способу получения селенида цинка, селенид цинка получаютпутем термического разложения Еп, Гу(Бе СЫ), где Ру - пиридин, н инертной среде при температуре 510-520 С.При температуре ниже 510 С получаемый Еп Бе содержит в качестве приме сей продукты неполного распада исходного соединения, При 510-520 Сообразуется Еп Бе желтого цвета кубической структуры типа сфалерита, Приотемпературе выше 520 С...

Номер патента: 1148832

Опубликовано: 07.04.1985

Авторы: Антипов, Владыко, Гринберг, Дерновский, Мовум-Заде

МПК: C01B 17/00, C01B 19/00

Метки: порошка, селенида, цинка

...приборов, 25Наиболее близким к изобретению по технической сущности и достигаемому результату является способ получения селенида цинка путем коитактирования газообразного селеноводорода с ЗО парами металла при температуре до 1000 С 21., Недостатком известного способа является образование порошка различой дисперсности ( . 50 мкм) в зави 35 симости от условий проведения процесса, в то время как. для производства оптической керамики необходим особо чистыйпорошок селенида цинка определенной днсперсности.40Цель изобретения - получение тонкодисперсного порошка селенида цинка,2Поставленная цель достигается тем, что взаимодействию с селеноводородом подвергают пары элементарного цинка, полученные путем барботирования инертного газа через расплав...

Номер патента: 1217783

Опубликовано: 15.03.1986

Авторы: Бекжанова, Оспанов

МПК: C01B 19/00

Метки: извлечения, меди, медного, производства, раствор, селенида, шламов

...из шламов медноГо производства и может быть использовано в фазовом анализе шламов при изучении форм нахождения соединений селена.Цель изобретения - повышение селективности и сокращение времени извлечения.10Извлечение селенида меди осуществляют из шламов медного производства следующего состава, мас, : СцБе 0,84; А 8 Бе 4,1; РЪЯе 0,18; СцАдБе 1,57.Изобретение иллюстрируется сле 15 дующими примерами.П р и м е р 1, Навеску шлама обрабатывают 5 -ным раствором сульфита натрия нри кипячении в течение 1 ч, в раствор переходит элементарный селен. Нерастворимый остаток отфильтровывают и затем обрабатывают растворителем следующего состава: ,Зунитиола, 1 гидроксида аммония,25 96 . воды - в течение 30 мин при перемешивании и температуре 18-20 С, ж:т...

Номер патента: 1687592

Опубликовано: 30.10.1991

Авторы: Абдинов, Абуталыбов, Гусейнов, Ларионкина, Рагимова

МПК: C09K 11/62, C09K 11/88

Метки: индия, люминесцентный, материал, основе, селенида

...Яе, Но в кварцевой ампуле вертикально в печи при 1000 К и из полученных поликристаллов выращивают монокристаллы методом Бриджмена в виде слитков длиной 45 - 50 мм, диаметром 8 - 40 мм, которые скалывают по плоскостям спайности. 1 табл 1 ил. высокой частоты:1 п марки В-З, Яе марки В,Но-ГО М.99.71.Монокристаллы люминесцентного материала выращены из полученных поликристаллов методом Бриджмена: скоростьперемещения ампулы 1,6 мм/ч, скорость падения температуры вдоль слитка 4 - 5 град/ч,температура зоны перемещения ампулы1000 - 450 К, отжиг при 450 К в течение нескольких часов и последующее охлаждениедо комнатной температуры с указанной выше скоростью, время всего процесса около5 сут. Выращенные монокристаллическиеслитки длиной 45-50 мм,...

Номер патента: 1718103

Опубликовано: 07.03.1992

Авторы: Бекмухаметова, Енсепова, Захаров, Нуртаева

МПК: G01N 27/48

Метки: кадмия, присутствии, селенида

...из таблицы, способ является более универсальным: позволяет одновременно в одной пробе (Сб+СОЯе+Яе) определить доа компонента Сб и СОЯе, в то время как известный способ дает возмокность определения только одного компонента Сд в присутствии СОЯе. Кроме того, способ упрощает определение: исклгочаются операции растворения образца, кипячения, охлаждения, фильтрования, которые снижают эксНедостатками известного способа яв- вляются использование ртутного электрода, ичто противоречит современным требованиям экологии, ограниченность метода, таккак он применим только длл определения 5основного компонента кадмия, входящего всостав селенида кадмия, путем растворенияпробы. Кроме того, метод не пригоден дляопределения элементного кадмия на...

Номер патента: 1758511

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Драгомерецкий, Кива, Ковалюк, Середюк

МПК: G01N 11/00

Метки: деформации, индия, исследовании, качестве, кристалла, полупроводникового, применение, селенида, слоистого, смеси, твердеющей, тензодатчика

...бетонной смеси в процессе непрерывного и неразрушающего контроля путем применения слоистого полупроводникового кристалла 1 пЯе. В ходе исследований получена временная зависимость сопротивления электрическому току моноселенида индия помещенного в бетонную массу, При этом высокая чувствительность при разделении фаэ замерзания и схватывания твердеющих смесей достигается за счет использования эффекта, возникающего в результате объемных деформаций ЧЭ, Поскольку, а отличие от прототипа, где сущность способа контроля заключалась в использовании классического тензоэффектг. для моноселенида индия,погруженного в твердеющую массу. существенным является всестороннее сжатие, чувствительность к которому в псе достигаег значений -10 Па что на...

Номер патента: 1605587

Опубликовано: 23.11.1992

Авторы: Бороденко, Кухтина, Лисецкая, Носачев

МПК: C30B 11/02, C30B 29/48

Метки: кристаллов, селенида, цинка

...режим, при котором проводят кристаллизацию шихты при скорости протагивания тигля через температурное поле 30 - 50 мм/ч. Затем, воэвра1605587 40 Таблица 1 тив тигель с помощью механизма перемещения в исходное положение, полученный слиток протягивают через температурное поле со скоростью 3 мм/ч. Коэффициент поглощения выращенного кзоисталла на длине волны 10,6 мкм 5,1 10 см,Выращенный кристалл загружают в кварцевую ампулу, сделанную по типу "песочных часов", засыпают металлическим селеном квалификации ос.чвакуумируют до 10мм рт.ст. и эапаивают, Ампулу помещают в шахтную печь и отжигают при 600 С в течение 120 ч. Селен переливают в свободный обьем ампулы, ампулу с кристаллом охлаждают в режиме 100 С в час.Коэффициент поглощения полученного...

Номер патента: 1349543

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Загоруйко, Комар, Кривошеин, Росторгуева

МПК: C03C 23/00, G02B 1/12

Метки: оптических, просветления, селенида, цинка, элементов

...на ноздухе до комнатной температуры,После охлаждения измеряют спектр пропускания оптического элемента, Максимальное зцачение пропускания получается ца длине волны 5,5 мкм и составляет 98,87 Коэффициент поглощения элеиента на длине волны ИК-излучения 10,6 икм после отжига состанляет 0,02 см П р и и е р 2, Оптический элемент,окак в примере 1, отжигают при 500 Св течение 30 мин при одновременномоблучении оптической поверхности элемента УФ-излучением с длиной волны0,2537 мкм и плотностью на поверхности образца 0,4 Вт/си, после чегооптический элемент охлаждают на воздухе до комнатной температуры.После охлаждения измеряют спектрпропускания оптического элемента,Максимальное пропускание получаетсяна длине волны 2,5 мкм и...

Номер патента: 1808888

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Кожевников, Колесников

МПК: C30B 13/00, C30B 29/48

Метки: кристаллических, пластин, селенида, цинка

...Сущины выращивают стью 7 - 20 мм/ч с лизации, находяравлению движеуд ч+Ь, где ть движения зоны 50Ь 60. Полржанием газовых . 1 табл., 1 ил.на плоскости фронта кристаллизации у найден экспериментально.На графике представлена экспериментальная зависимость диаметра газовых включений О от скорости движения зоны ч.Из графика видно, что величина О линейно уменьшается с ростом скорости, При значении у -50 достигается эффективное удаление газовых включений любого размера (для интервала скоростей движения зоны 7-20 мм/час). Создание больших углов наклона нецелесообразно, т.к. ведет к снижению оптических характеристик кристалла, что связано с ухудшением очистки ЕпЯе от посторонних примесей. Нижняя граница интервала допустимых значений у зависит...

Номер патента: 1810402

Опубликовано: 23.04.1993

Авторы: Кожевников, Колесников

МПК: C30B 29/48, C30B 33/02

Метки: кристаллов, оптически, прозрачных, селенида, цинка

...к низуТребуемый для проведения отжига по кристалла 3 град/см и скорости сниженияпредлагаемому способу интервал темпера- температуры 26 град/ч так, что по окончатур верха кристалла в начальный момент 5 нии отжига температура верха кристалла соотжига 1240 - 1280 С выбран эксперимен- ставляет 650 С. Получен кристалл селенидатально и соответствует температуре верха цинка с коэффициентом поглощения излукристалла по окончании его выращивания. чения свето ИК-уиапазона с длиной волныПри начальной температуре свыше 1280 С 10,6 мкм 1,3 10 см .происходит термическое травление верх Дополнительные примеры приведены вней части образца за счет испарений селе-таблице (строки 1 - 8).нида цинка, что ведет к неоправданным...

Номер патента: 1526303

Опубликовано: 07.05.1993

Авторы: Гальчинецкий, Рыжиков, Старжинский, Файнер

МПК: C30B 29/46, C30B 33/00

Метки: оптических, селенида, термообработки, цинка, элементов

...относится к обработке кристаллов, конкретно селенидд цинка, и позволяет уменьшить их коэффициент оптического поглощения в инфракрасной области, Иэ кристалла селенида цинка резкой, шлифовкой и полировкой получают оптический элемент, Элемент подвергают термообработке в атмосфере насыщенного пара еллура при 1000-1050" С в течение 40-44 ч, Достигают уменьшения коэффициента оптического поглощения по длине волны 10,6 мкм до 3,5 10 см . 1 табл,электропечь сопротивления. Температуру в печи доводят до 1000 С, оыдержиоаот при этой темературе 40 ч, здтел печь выключдют, После остыоднил печи до комнатной температуры ампулу вынимают, разбивают ее, извлекают оптические элементы и измеряют их коэффициенты поглощения, которые оказываотся равными...

Номер патента: 1630334

Опубликовано: 15.05.1993

Авторы: Бороденко, Кухтина, Лисецкая, Рыжиков, Силин

МПК: C30B 29/48, C30B 33/02

Метки: кристаллических, основе, селенида, цинка, элементов

...полного удаления воздуха и затем нагревают до 1000 - 1080 С, выдерживают при заданной температуре 3 - 10 ч, после чего температуру снижают со скоростью 200 С/ч, при комнатной температуре отключают проток водорода и извлекают элементы. По известной технологии 30 получения сцинтилляционного материала из легированного селенида цинка с целью создания центров люминесценции элементы ЛпЯе(Те) дополнительно отжигают в насыщенных парах цинка. Для чего данные элементы помещают в кварцевые ампулы вместе с навесками цинка, необходимыми для создания насыщенных паров цинка. Ампулы вакуумируют, запаивают и выдерживают при 1000 С в течение 24 ч, После повторной шлифовки и пол ировки измеряют коэффициенты поглощения и ослабления элементов, которые...

Номер патента: 1558041

Опубликовано: 23.05.1993

Авторы: Кобзарь-Зленко, Комар, Кулик

МПК: C30B 11/02, C30B 29/48

Метки: кристаллов, селенида, цинка

...25 цинка и магния и селенидами примесныхэлементов. Затем температуру в печи снижа)от со скоростью 10-30 в час до температуры плавления хлоридов калия 770 С и печь отключают. В пересыщенном растворе 30 образуется очень много центров кристаллизации и кристаллы растут в виде. пластин-чешуек толщиной примерно 0,1-3 мм в поперечнике. При такой кристаллизации достигается очистка селенида цинка от при мясных элементов как за счет обменныхреакций между хлоридами цинка и магния и сепенидами примесных элементов, так и за счет различных коэффициентов распределения примеси в растворе-расплаве, а размеры ,40 кристаллов не имеют решающего значения.Удельная поверхность монокристаллического селенида цинка снижается; а насыпной удельный вес...

Номер патента: 1468023

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Кобзарь-Зленко, Комар, Кулик

МПК: C30B 11/02, C30B 29/48

Метки: кристаллов, селенида, цинка

...полости секций 3 заполняют селенидом цинка и в горизонтальном положении контейнера 1 устанавливают одну на другую в нижнюю кристаллизационную полость 2, после чего контейнер 1 устанавливают вертикально, апитатель 4 заполняют оставшимся селени 5 дом цинка. В рабочем положении контейнера 1 цилиндрическая оськристаллизационной полости секций 3 располагается перпендикулярно направлениюкристаллизации. Загруженный контейнер 110 устанавливают в компрессионной печи нашток механизма возвратно-поступательного перемещения, компрессионную печь герметизируют, вакуумируют, заполняютаргоном. Производят оплавление загрузки15 селенида цинка из питателя 4 в кристаллизационные полости секций 3 при перегреверасплава выше...

Номер патента: 1625068

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Загоруйко, Кобзарь-Зленко, Комар

МПК: C30B 29/48, C30B 33/02

Метки: кристаллов, оптически, прозрачных, селенида, цинка

...в которой показано изменение коэффициента 3 см в зависимости от условийобработки),Это достигается благодаря воздейст 30 вию на образец термических напряжений,расположенных под углом 90 к плоскостиобразца, Расположение боковых нагревателей под прямым углом к центральному обусловливает аналогичное расположение35 градиента температур в полости нагревателей и образующихся термических напряжений в материале кристалла, чтоспособствует противоположному воздействию термических напряжений на разориен 40 тированные по объему кристалласпонтанные напряжения кристаллическойрешетки образца.Проектируя эти точки в систему координат температура (Т, С) - длина (см), получаем точки а, б, в, г, д, е, и т.дсоединяя их между собой, получаем графическую...

Номер патента: 1157889

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Кобзарь-Зленко, Коновалов, Носачев

МПК: C30B 11/02, C30B 29/48

Метки: выращивания, кристаллов, селенида, цинка

...мощности устанавливают ширину расплава в графитовом тигле по сплавившемуся порошкообразно 40 последующую повторную кристаллизацию с меньшей скоростью пропускания, отличающийся тем, что, с целью улучшения оптических свойств кристаллов, повторную кристаллизацию ведут при ширине эоны расплава 1,2 - 4,0 см, величине давленияинертного газа, не превышающей кристаллизационное давление, развиваемое рас тущим кристаллом. Формула и зоб рете н и я СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ СЕЛЕНИДА ЦИНКА, включающий плавление исходного материала, его кристаллизацию при пропускании тигля с расплавом через температурный градиент под избыточным давлением инертного газа и му селелиду цинка, которая вначале не должна быть более 2 см. Руководствуясь полученными при...