Способ изготовления термоэлектрическогоматериала

Номер патента: 968087

Опубликовано: 23.10.1982

Авторы: Браташевский, Краснопольский, Лебедев, Подповетная

МПК: C21D 11/00

Метки: исходным, начала, неравновесным, перлито-аустенитного, превращения, состоянием, сталях, температуры

...50 - 500 С/мин, производят последовательный нагрев нескольких дополнительных образцов: каждого до температуры на 10+1 С ниже температуры Ас предыдущего образца со скоростью 500 - 6000 С/мин и далее выше температуры Ас со скоростью 10 - 30 С/мин,Такую последовательность операций выполняют до тех пор, пока в двух, последних образцах разность измеренных температур начала превращения не достигнет предела точности измерения.Использование серии образцов обусловлено тем, что каждый образец можно нагревать только один раз из-за изменения в процессе нагрева степени неравновесности этого образца, которое оказывает влияние на положение начала превращения.Быстрый нагрев каждого образца серии со скоростью превышающей 500 С/мин производят для...

Номер патента: 503144

Опубликовано: 15.02.1976

Авторы: Антоненко, Войцех, Туровский

МПК: G01K 7/02

Метки: датчик, полупроводниковый, температуры, термоэлектрический

...им т.э.д.с. можно обычным милливольтметром без дополнительных электронных приборов за счет использования в качестве материала термодатчика гидрата закиси никеля.Термоэлектрический полупроводниковый датчик температуры представляет собой плоскую пластину толщиной, например, 12 мм,цилиндрической или прямоугольной формы,изготовленную прессованием под давлением 50006000 кг/см 2 из-порошка гидрата закиси никеля промышленного производства. На противоположные стороны :плоской поверхно 10сти пластины методом вакуумного катодного напыления нанесены серебряные токопроводящие электроды, характерный размер которых составляет, например, 0,9 характерного размера плоской поверхности, причем к серебряным электродам припаяны медные токоотводы.Выходное...

Номер патента: 603352

Опубликовано: 15.04.1978

Автор: Есики

МПК: C22F 1/00

Метки: внутреннему, металлического, окислению, подвергаться, способного

...кой обработке с нагревом на 50-135 С выше и с охлаждением на 50-135 С ниже температуры фазового превращения,причем одновременно к материалу прикладывают нагрузку, создающую напряжение те оо ран сплавов приведены материалов до иведены в табл. 2. Изобрет гии и може рочнении м обных под лению. Известен заключающий ры внутренн Однако в ре внутренние но дисперги териале, чт ной степейи свойства, т до температуя и выдерживаюЗатем на изделчтобы создат0,05 пределапроводят терму с нагревом нхлаждениемтуры фазового603352 5 Э х х Э х х л ч л со л Ч Ч л о СО 1 Л М с с с о м м 1 Л Офс с с о ч с 1 1 1 1 1 1 Э х х 6 М ъ о 6 о х 4 1 Э х о о х о 6 о х М Э х о о х н о с х о о х о О С 1 О Х о хн во 1 О о о И н о п 3 й охХ о Ц 1 х 1:4 О ох О ц о ОО о "...

Номер патента: 314222

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Голубев, Кафтанов, Строганов, Федосеев, Яковлев

МПК: G01K 7/02

Метки: высокочастотномполе, гранулированного, температуры, углеродистого

...ы зцачцтсльцая погреш;ость цзмсрешя, трудиост;1прц цзмсре 11 температуры в условиях Высоэлс 1 тромаг 1 итцых 0,1 ей, д также зцдчцтель:1 дя Пцамцческд 51 погрсшцост;ЦЗМСРЕ 1 П 1 Я,1 О Предлагаемый сособ отлцчается от цзвсст 11 ых тем, что з одной из гранул цагрсвас)ОГО ) ате)и 2; 1 ВысВерл и Ваю Г Глт хои капал,взодят в цсго рабочиц сай термопары, а здтс)1 заполняот свооодиое пространство )С)кдсдом термопары и стенками канала расплазлсццы)1 мста,Лом, Обла:ак)пП) малым дав.,1 сцисм .1 дсьццспць 1 х п 21)ОВ, П 21 ример Олово)1.а также тем что размер грд:1 ул с тсрмопаро 1;ВВ 1 бцрают, исход 51 из среднего)11 змед Всх20 аг)евасмых Грацл.ПредлдГас)ый сОсоб Оосспсчцвдст точноеи цепрсрывцос 1 бсз отключсия гсцсрдторд,прц 01.1 ст;)Ом...

Номер патента: 315053

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Котельман, Липковйч, Пинчевский

МПК: G01J 5/20

Метки: потока, сыпучего, температуры

...а некоторуюусредненную температуру.Предлагаемое устройство не имеет указанных недостатков и отличается тем, что в немцилиндры укреплены на транспортирующемустройстве,Это позволяет повысить тний,На чертеже изображена конструктивнаясхема предлагаемого устройства.Устройство состоит из ленты транспорующего устройства 1, цилиндров 2 и птметра д. Цилиндры 2 крепятся на ленте транспортирующего устройства. Расстояние цилиндров 2 от транспортеров выбирается таким, чтобы цилиндры 2 полностью были погружены в материал. Количество цилиндров 2 зависит от скорости перемещения транспортирующего устройства и требуемой частоты расположения измеряемых зон. Чем больше цилиндров 2, тем ближе расположены зоны движущегося материала, в которых измеряется...