Элемент интегральной микросхемы
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 354768
Автор: Ходак
Текст
ОП КСАН ИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ 354268 Саюз Саеетских Сакиалистнческих РесптбликК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Зависимое от авт, свидетельстваМ. Кл. Н 011 9/00 Заявлено 31.Ч,1971 ( 1661167/26-9) иоритет итет па деламений и аткрцтисеете МинистраСССР ие УДК 621.382.232(088.8) убликовано 25.Х 1.1972. Бюллетень4 за 1973 та опубликования описания 16.П.1973Авторизобретени И. Я. Хода аявител ЭЛЕМЕНТ ИНТЕГРАЛЬНОЙ МИКРОСХЕМ электриком, боковаязначительно чище, чем пПрименение подслоятродами и связанное сутечки позволяет увелидежность и длительностторяемость параметровнарных элементов. В каслоя должны использовтрики, например ЯО,тения едмет нзо интегральной мик рный диод, состоящ ложки, электродов отличающийся те я тока утечки, уве электродами по и ой диэлектрика. росхемь ий из д и актичто,ичения форме напрэлектр ного м с цел стабил распол Элемент 5 мер плана ческой под териала,уменьшени ности, под 20 жен подслс присоединением заявкиИзобретение относится к электронной технике и может быть использовано на предприятиях, изготавливающих тонкопленочные элементы и схемы.Цель изобретения - уменьшение тока утечки и увеличение стабильности устройства.Достигается это тем, что под электродами по их форме расположен подслой диэлектрика.На чертеже представлен элемент интегральной микросхемы.Устройство состоит из подложки 1, электродов 2, активного материала 3 и подслоя из диэлектрика 4.Применение подслоя диэлектрика под электродами, протравленного по форме электродов, увеличивает длину пути поверхностного паразитного тока на удвоенную толщину подслоя диэлектрика АВ, Кроме того, в предлагаемой конструкции используется более чистый контакт между полупроводником и диповерхность которого оверхность подложки. диэлектрика под элекним уменьшение тока чить стабильность, наь работы, а также повтонкопленочных плачестве материала податься хорошие диэлек354768 Редактор Л, Мазуронок Заказ 252/14 Изд Мо 1085 Тираж 404 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Ж, Раушская наб., д. 45 Типография, пр. Сапунова, 2 Составитель А. ТуляковТехред Л, Богданова Корректоры; Л. Царькова и 3. Тарасова
СмотретьЗаявка
1661167
И. Я. Ходак
МПК / Метки
МПК: H01L 29/00
Метки: интегральной, микросхемы, элемент
Опубликовано: 01.01.1972
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-354768-ehlement-integralnojj-mikroskhemy.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Элемент интегральной микросхемы</a>
Предыдущий патент: Устройство для выхода головок
Следующий патент: Когерентный фильтр
Случайный патент: Способ получения p — я-переходов