H01L 29/00 — Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер; конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей; конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них

Номер патента: 120877

Опубликовано: 01.01.1959

Авторы: Немчин, Сакович, Юдицкий

МПК: H01L 29/00

Метки: переменного, постоянный, силовой, управляемый

...силового переменного преобразователя СУВ, его главные электроды Рс, и Рс включаются последовательно с источником (трансформатором Т) напряжения и нагрузкой Н силовой цепи, а к электродам Р, и У подводится напряжение от источника управляющего напряжения, При отрицательном напряжении на электроде Рс и отрицательной полярности электрода Р образуется запорный слой на Р - У и на Р,переходах, препятствующий прохождению тока в силовой цепи, и ток нагрузки Н равен нулю.При той же полярности напряжения главной цепи и подаче сигнала управления так, чтобы на электроде Р был положительный полюс, а на электроде У, - отрицательный, в цепи управления появляется ток и имеет место эмиссия положительных зарядов (дырок), перемещающихся под...

Номер патента: 144913

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Грехов, Лебедева, Портной, Темпман, Тимошик, Учайкин

МПК: H01L 29/00

Метки: вентиль, германиевый, малогабаритный

...электронно. дырочный переход 2 при небольшом расходе охлаждающей жидкости и, с другой стороны, сохранить большую теплоемкость конструкции за счет выступов 5 и 6 оснований 3 и 4 и, следовательно, изготовлятЬ вентили с улучшенными перегрузочными характеристиками.Применение полиэтиленовых изолирующих колец 7 и эпоксидного клея 8 для герметизации вентиля и использование для подвода охлаждающей жидкости штуцеров 12, совмещенных с токосъемными и крепежными шпильками, обеспечивает компактность конструкции вентиля.Симметричная конструкция последнего и гибкий токосъемник вывода 13 позволяют очень удобно компановать предлагаемый вентиль в различные схемы с применением последовательного и параллельного соединений.Предмет...

Номер патента: 155236

Опубликовано: 01.01.1963

МПК: H01L 29/00

Метки: 155236

...пластинке вытравливается канавка, разделяющая эмиттерный переход 1 на две неравные части, меньшая из которых с никелевым омическим контактом используется как контакт к управляющему электроду. Вытравливание канавки производится следующим образом.После изготовления и-р-и-р структуры, никелевых контактов к ней. напайки нижнего вольфрамового диска 2, на эмиттерный переход вентиля припаивают верхний вольфрамовый диск 3 с цилиндрическим отверстием, причем внутри отверстия и соосно с ним распалагают и припаивают снабженный нихромовым отводом 4 молибденовый диск 5. Внешний диаметр диска 5 меньше диаметра отверстия в вольфрамовом диске 3. Центрирование диска 5 при впайке производится опусканием цилиндрика 6.После этого канавка заполняется на 4...

Номер патента: 177990

Опубликовано: 01.01.1966

Автор: Фесенко

МПК: H01L 29/00

Метки: реверсивный, составной, транзистор

...малымфициентом использования и не позволяю лучить симметричную схему составного р зистора.В предлагаемом транзисторе повышение коэффициента использовашя достигается шунтированием переходов силового транзистора управляющими транзисторами, эмиттеры кото рых подключены к базовому электроду силового транзистора, а эмиттерные переходы зашунтированы сопротивлениями или диодами. Возможность же получешя симметричной схемы составного транзистора достигается ис пользованием второго (вспомогательного) силового транзистора и обратным включением управляющего транзистора, шунтирующего коллекторный переход силового.На чертеже приведена схема соединения 20 описываемого транзистора.Управляющие транзисторы 1 и 2 включены параллельно эмиттер ному...

Номер патента: 236655

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Курбатов, Рафаевич, Степных, Юдашкин

МПК: H01L 29/00

Метки: блок, выпрямительный

...блоком,Полупроводниковый выпрямительный блок собран из трех отдельных моноблоков, каждый из которых состоит из корпуса 1 с резьбовым выступом 2, радиаторами 3 и двумя гнездамии 5. В гнездах расположены р - и переходы 6 и 7 с гибкими выводами 8 и 9. Пеггеходгг электрггческгг соедггнецыпосредством припоя. При этом один р - и переход припаян со стороны р-зоны, а другой - со стороны и-зоны. Таким образом, р - и переходы вместе с корпусом электрически образуют двухплечевую выпрямительную цепочку со средней точкой. Корпусы крепятся к основанию из изоляционного материала 10 резьбовыми выступами, которые проходят через отверстия основания и закрепляются гайками 11.Гибкие выводы положительной полярности цодсоедгшены путем пайки к токоведущей...

Номер патента: 243107

Опубликовано: 01.01.1969

МПК: H01L 29/00

Метки: 243107

...р - и- перехода. Зеркало расположено на расстоянии г/к от,просветленной грани диода, где г = 8 а/1, а Х - длина волны излучения диодного блошка. Зеркало связанно с диодным блоком,полигармоническим прямоугольным волноводом,длинной 2/к и сторонами а и Ь. По другую сторону к диодному блоку, примы,кает волновод той же длины и того же сечения. Выход этого волновода является выходом генератора 3.Для сложения излучения этого генератора и усилителейк нему примыкают один,или несколько усилителей, состоящих,каждый из диодного блока, такого же, как оговорен выше, заключенного с двух сторон,в прямоугольные волноводы длиной г/к со сторонами а и Ь.Для удобства выполнения выходной волновод генератора и входной;волновод усилителя могут быть выполнены...

Номер патента: 354768

Опубликовано: 01.01.1972

Автор: Ходак

МПК: H01L 29/00

Метки: интегральной, микросхемы, элемент

...те я тока утечки, уве электродами по и ой диэлектрика. росхемь ий из д и актичто,ичения форме напрэлектр ного м с цел стабил распол Элемент 5 мер плана ческой под териала,уменьшени ности, под 20 жен подслс присоединением заявкиИзобретение относится к электронной технике и может быть использовано на предприятиях, изготавливающих тонкопленочные элементы и схемы.Цель изобретения - уменьшение тока утечки и увеличение стабильности устройства.Достигается это тем, что под электродами по их форме расположен подслой диэлектрика.На чертеже представлен элемент интегральной микросхемы.Устройство состоит из подложки 1, электродов 2, активного материала 3 и подслоя из диэлектрика 4.Применение подслоя диэлектрика под электродами, протравленного...

Номер патента: 390600

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Андреев, Вител, Жил, Казаринов

МПК: H01L 29/00

...Для получения многослойной гетероструктуры,источники расплавляют и подложку, вращением от механизма вращения попеременно приводят в контакт с расплавом каждого состава,Недостаток этого устроиства состоитчто в течение процесса при перемещениложки имеет место частичный переноплава из одной секции тигля в другуюВ результате составы расплавов в:иках постепенно выравниваются и нарупериодичность состава,в получаемойслойной структуре.С целью устранения этого недостатлучения структур с заданным закононения состава и уменьшения дефектопредложено механизм вращения уствать на держателе подложки. аци,и источники вра об/сек. При этомый контакт подлож- ААз и баАз и идет вующего слоя.на перемещения исять распределением й структуре и полуым...

Номер патента: 409318

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Куйбышевский

МПК: G01D 21/00, H01L 29/00

Метки: автотракторных, например, полупроводниковых, режима, теплового

...устройства и по тарпровочным графикам позволяют произвестиколичественную опенку температурного режи 15 ма выпрямителей. С целью упрощения регистрации и суммирования продо 1 кительноститепловой перегрузки неэлектпческие величины (температура окружающей среды и интенсивность воздушного охлаждения) преобразу 20 ются (например, с использованием терморезисторов и измерителя частоты вырабатываемого генератором тока) в соответствующиеэлектрические величины, которые легко обрабатываотся автоматически.25 В автоматичеоком устройстве происход;тобработка непрерывно поступающей информации и вырабатывается необходимый сигнал.В процессе эксплуатации выпрямительногоблока режимы тепловой перегрузки наступаютЗа дискретно и отличаются...

Номер патента: 444507

Опубликовано: 05.12.1977

Авторы: Лисенкер, Марончук, Сеношенко

МПК: H01L 29/00

Метки: арсенида, галлия, мдп-структур, основе

...разложения тетраэтоксисилана,В другом известном способе слоокиси кремния Ят О выращиваетссениде галлия в результате термичразложения тетэтоксисилана притуре более 550 С.Однако границы раздела адиэлектрик, полученные извсобами, неудовлетворительныплотности поверхностных состоянийболее 10 см.Белью изобретеграницы раздела птрик с низкой плосостояний. образования промежуточногоначиная с критической толщи4445После выращивания промежуточного слоя 5 а И создающего хорошую границу раздела, выращивают слой основного диэлектрика, который обеспечивает высокие рабочие- напряжения, Основной слой диэлектрика5 получают любыми известными иизкотемперв турными способами.В газотранспортной системе, использую щейся для выращивания слоев диэлектрика,...

Номер патента: 376030

Опубликовано: 05.12.1977

Авторы: Лисенкер, Марончук, Сеношенко

МПК: H01L 29/00

Метки: арсенида, галлия, основе, прибор

...сущест"венно улучшить характеристики полевыхприборов на основе баАз, например,увеличить максимальную рабочую часто. -ту полевых транзисторов и МДП-варика 2 О пов . трук в нающих кон ройс поль рмула изобретения Прибор изолиров ю щ и й ния его дом галл ложен до Зогаллия с тли ч ю улусе . арсеннка распс" трида г;-.з арсенидодом, ос целк междиэлектрслой н на основе иным элект я тем, чт арактерист я и слоем д олнительныгаетс диэле Изобретение относится к с циям полупроводниковых уст т основе арсенида галлия, ис зу принципы эффекта поля.Известна конструкция полевого транзистора на основе арсенида галлия с использованием однослойного диэлектрика из нитрида кремния (МДП-структу ры) еИзвестные МДП- структуры не позволяют получить плотность...

Номер патента: 457421

Опубликовано: 05.06.1979

Авторы: Грехов, Линийчук

МПК: H01L 29/00

Метки: двухоперационный, тиристор

...эмитте- ра технический институт и Описаннйе конструктивные особенности тиристора позволяют повысить выключаеый ток за счет обеспечения необходимых величин коэффициентов усиления по току составляющих транзисторов р-л-р ф пг), приАвыполнении. Условия, "р-о.р ф.ра также за счет низкого сопротивления растекания управляемой базы и повышенного напряжения пробоя планарного эмиттера.Наличие в слоЕ широкой базы тиристора области с повышенной концентрацией примеси, градиент которой направлен к анодному эьиттеру, позволяет существенно .уменьшить толщину базы без изменения величины р.п.р, что сокращает время переходных процессов включения и выключения.Улучшение .частотных харак,.еристик достигается также за счет действия встроенного поля в...

Номер патента: 881898

Опубликовано: 15.11.1981

Авторы: Валитов, Волков, Зельцер, Осинцев, Пестрякова, Светцов, Сыромятников, Уманский

МПК: H01L 29/00

Метки: моделирования, полупроводникового, элемента

...нагрузки выхоДной транзистор 9, диода 10, включенного между коллектэром выходного транзистора 9 и инвертирующим входом. Между базой устройства и базой выходного транзистора 9 включена емкость 11. За базу устройства принимается инвертирующий881898 Формула изобретения Составитель В,Юдинаедактор Л. Тюрина Техред С.Мигунова Корректор М.Шарош аказ 9988/81ВНИИПИ Гопо дел113035, М 787венного комибретений и оЖ, Раушск Подписно ета СССР Тир дар м и ква ыти я, наб., д лиал ППП "Патент", г.ужгород, ул. Проектна вход, за эмиттер и коллектор - соответствующие выводы выходного транзистора 9,В базу устройства, являющуюся инвертирующим входом ОУ 1, задаетсявходной ток, проходящий через переменный резистор 2 и вызывающий навыходе напряжение...

Номер патента: 1257731

Опубликовано: 15.09.1986

Авторы: Вороновский, Дижур, Ицкевич

МПК: H01L 29/00

Метки: переключательный, прибор

...контакты 5, посредством которых осуществляется электрическая связь с означенным полупроводниковым переходом, и проводники 6, соединенные с означенными контактами, выходящие наружу через уплотнение 7, Давление создается нагружением поршня с последующей фиксацией гайкой 8.аП р и м е р. Серийно изготовленный туннельный диод из СаАз-АИ 201 Г помещают в камеру высокого давления, содержащую среду, передающую давление (607 трансформаторного масла и 407 пентана), При давлениях до 15 кбайт он ведет себя как обычный туннельный диод с изменяемой давлением крутизной вольт-амперной характеристики. При охлаждении до температуры 4,2 К становится прибором с двузначной вольт-амперной характеристикой, причем отношение проводимостей в состояниях...

Номер патента: 1555807

Опубликовано: 07.04.1990

Авторы: Акопян, Вейнгер, Мехтиев, Пойманов

МПК: H01L 29/00, H03C 3/22

Метки: емкости, модуляции, параметрических, перехода, устройствах

...(б) состояниях выключателя 7 и соответствую щие им временные диаграммы, показывающие характер изменения емкости и-р-перехода (в и г соответственно), при воздействии на него синусоидального напряжения (д).Сущность способа модуляции емкости и-р-перехода в параметрических устройствах заключается в следующемВ случае, когда управляющее напряжение приложено к торцевым электродам 13 и 14 и-р-перехода 12, на его базовую область воздействует электрическое поле, которое направлено параллельно базовой области п-р-перехода, Распределение потенциалов в области с противоположным типом проводимости не зависит от направления электрического поля, воздействующего на базовую область и-р-перехода параллельно ей, Поэтому величина емкости п-р-перехода при...