Телепина
Способ изготовления свч-биполярных транзисторов
Номер патента: 1032936
Опубликовано: 10.01.1997
Авторы: Жилин, Косогов, Русаков, Телепина, Типаева
МПК: H01L 21/225
Метки: свч-биполярных, транзисторов
Способ изготовления СВЧ-биполярных транзисторов, включающий создание на полупроводниковой подложке коллекторного и эмиттерного переходов и сильнолегированных областей пассивной базы путем селективной диффузии базовой примеси в подложку, отличающийся тем, что, с целью уменьшения емкости коллекторного p n-перехода и КПД коллекторной цепи путем уменьшения горизонтальных размеров областей пассивной базы, диффузию примеси проводят в интервале температур 900 950oС в течение 7 20 мин.